1873 年，科學家約瑟·美(Joseph May)及偉洛比·史密夫(WilloughbySmith)就發現了硒元素結晶體感光後能産生電流，由此，電子影像發展開始，随着技術演進，圖像傳感器性能逐步提升。

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20 世紀50 年代——光學倍增管(Photo Multiplier Tube，簡稱PMT)出現。

1965年-1970年，IBM、Fairchild等企業開發光電以及雙極二極管陣列。

1970年，CCD圖像傳感器在Bell實驗室發明，依靠其高量子效率、高靈敏度、低暗電流、高一緻性、低噪音等性能，成為圖像傳感器市場的主導。

90年代末，步入CMOS時代。

▲圖像傳感器的曆史沿革

1、光電倍增管

光電倍增管（簡稱PMT），真空光電管的一種。工作原理是：由光電效應引起 ，在PMT入射窗處撞擊光電陰極的光子産生電子，然後由高壓場加速，并在二次加工過程中在倍增電極鍊中倍增發射。

光電倍增管是一種極其靈敏的光檢測器，可探測電磁波譜紫外，可見和近紅外範圍内光源，提供與光強度成比例的電流輸出，廣泛應用于驗血，醫學成像，電影膠片掃描（電視電影），雷達幹擾和高端圖像掃描儀鼓掃描儀中。

▲光電倍增管

2、CCD

CCD全稱為Charge Coupled Device，中文翻譯為”電荷藕合器件”。它使用一種高感光度的半導體材料制成，能把光線轉變成電荷。因而具有靈敏度高、抗強光、畸變小、體積小、壽命長、抗震動等優點。CCD是電子設備， CCD在矽芯片（IC）中進行光信号與電信号之間的轉換，從而實現數字化，并存儲為計算機上的圖像文件。

數字成像始于1969年，由Willard Boyle和George E. Smith于AT＆T貝爾實驗室發明 。 最初緻力于内存→“充電’氣泡’設備”，可以被用作移位寄存器和區域成像設備 。

2009年， Willard Boyle和George E. Smith獲得諾貝爾物理學獎 。

1997年，卡西尼國際空間站使用CCD相機（廣角和窄角） 。 美國宇航局局長丹尼爾戈爾丁稱贊CCD相機“更快，更好，更便宜”；聲稱在未來的航天器上減少質量，功率，成本，都需要小型化相機。而電子集成便是小型化的良好途徑，而基于MOS的圖像傳感器便擁有無源像素和有源像素（3T）的配置。

3、CMOS圖像傳感器

CMOS全稱為ComplementaryMetal-OxideSemiconductor，中文翻譯為互補性氧化金屬半導體。CMOS的制造技術和一般計算機芯片沒什麼差别，主要是利用矽和鍺這兩種元素所做成的半導體，使其在CMOS上共存着帶N(帶–電)和P(帶 電)級的半導體，這兩個互補效應所産生的電流即可被處理芯片紀錄和解讀成影像。

CMOS圖像傳感器使得“芯片相機”成為可能，相機小型化趨勢明顯 。

▲“芯片相機”上的帶有有緣像素轉換器的CMOS有效像素傳感器

1995年2月，Photobit公司成立，将CMOS圖像傳感器技術實現商業化 。

1995-2001年間，Photobit 增長到約135人，主要包括：私營企業自籌資金的定制設計合同、SBIR計劃的重要支持（NASA / DoD）、戰略業務合作夥伴的投資，這期間共提交了100多項新專利申請。

CMOS圖像傳感器經商業化後，發展迅猛，應用前景廣闊，逐步取代CCD成為新潮流。

2001年11月 ，Photobit被美光科技公司收購并獲得許可回歸加州理工學院。與此同時，到2001年，已有數十家競争對手嶄露頭角，例如Toshiba，ST Micro，Omnivision，CMOS圖像傳感器業務部分歸功于早期的努力促進技術成果轉化。後來，索尼和三星分别成為了現在全球市場排名第一，第二。後來，Micron剝離了Aptina，Aptina被ON Semi收購，目前排名第4。CMOS傳感器逐漸成為攝影領域主流，并廣泛應用于多種場合 。

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