氧化物薄膜機械牢固性強,化學性能穩定,折射率範圍寬,所以是一類極其重要的薄膜材料.它們的折射率和短波吸收限多數介于氟化物與硫化物之間.氧化物具有很高的熔點,所以大多數材料都不易用電阻加熱蒸發,而需用電子束加熱蒸發.有些材料在加熱蒸發過程中,會與坩埚起反應或在高溫時分解.為了改善所制備的氧化物薄膜的性能,所以有時也采用反應蒸發技術和離子輔助澱積技術制備氧化物薄膜.離子輔助澱積的氧化物薄膜的折射率,在一定的離子能量範圍内随離子的能量增加而增加,對于Ta2O5薄膜(200~500eV),對于Al2O3薄膜(300~1000eV),以及CeO2薄膜(300~1200eV)均已報道.由上可以看出,在離子束流密度固定時,離子能量有一臨界值;反之,在離子能量固定時,束流密度也有一臨界值,如超過這一臨界值所制備的ZrO2薄膜的折射率和消光系數均會産生惡化.對于Ta2O5、Al2O3、CeO2、TiO2以及ZrO2薄膜的制備中均已觀察到了這種現象.其原因是由于擇優濺射氧,或在薄膜中結合過多的氧使薄膜化學計量産生惡化所緻.

實用的氧化物薄膜材料很多,在薄膜領域中它們已經得到了廣泛的應用,特别是制備耐久性薄膜和承受高能量的激光薄膜更有意義.

一般氧化膜容易在成膜中失氧,因此無論用電子槍蒸鍍或用各式濺射鍍膜方法都需要充氧,以形成沒有吸收的氧化膜;有時候用中性氧無法完全氧化,從而導緻吸收.此時需要采用遊離氧,如采用離子輔助沉積(IAD).任何薄膜的折射率n和消光系數k都與蒸鍍條件有關.使用IAD時,其離子束電壓,離子束流密度和蒸發速率、基闆溫度等需配合使用,已使薄膜達到最佳效果.

首先要找到好的鍍膜材料,以保證鍍膜過程中真空度、蒸發速率比較穩定,從而薄膜的光學常數才能穩定.

TiO2的折射率高(2.2~2.6),機械強度好,在可見光到紅外波段都是透明的,常用來與SiO2搭配鍍制多層濾光片.采用電子槍鍍膜時,需先将TiO2顆粒或其它低價氧化钛預熔成塊後蒸鍍,預熔電流需大于鍍膜時電流,以保證鍍膜時不會噴濺,其它氧化物預熔時也是這個原則.若采用電阻絲蒸鍍,則一般采用TiO作為初始膜料,因為TiO熔點比TiO2和Ti都低.濺射鍍膜時,常采用高純金屬Ti作為靶材,鍍膜時充氧.以電子槍鍍膜為例,充氧量的控制非常重要,由于TiO2容易失氧,且會形成不同結構,如銳钛礦、金紅石等.因此,為得到完整的TiO2膜,初始膜料為Ti3O5最好;若采用離子輔助沉積,Ti3O5中可加入少量Ti4O7作為初始膜料.預熔好後的TiO2膜料中主要為Ti2O3和Ti3O5相.

Ta2O5也是常用的高折射率材料,可見到紅外波段都是透明的,但不管用電子槍蒸鍍還是濺射鍍膜(Ta靶),都比鍍制TiO2要穩定,取Ta2O5加7%wt的Ta作為初始膜料時,鍍膜更加穩定.根據電子槍加離子輔助鍍膜及濺射鍍膜(Ta靶)的經驗,鍍Ta2O5比TiO2膜容易得到更小吸收及散射的薄膜,且薄膜的沉積速率也可以快些,堆積密度接近于1,因此常被用來與SiO2一起搭配進行多層濾光片的鍍制.

Nb2O5的折射率介于TiO2和Ta2O5之間,在近紫外到紅外波段都是透明的,可以采用濺射Nb靶,或電子槍加離子輔助蒸鍍Nb2O5來獲得堆積密度接近1的優良光學薄膜,不過其鍍膜前的預熔非常重要.以前Nb2O5的使用較少,現應用逐漸增多,和SiO2搭配鍍制多層濾光片.Nb2O5的價格要遠低于Ta2O5.

ZrO2的折射率略低于Ta2O5,采用電子槍蒸鍍容易得到低吸收率的薄膜,初始材料可以為ZrO2或Zr,在近紫外到紅外波段都是透明的.其折射率在可見波段約為2.05,很适合當三層抗反射設計中的波長拓寬層,即二分之一波長層.氧化不完全的ZrOx膜料可以采用電阻加熱蒸鍍,以降低鍍膜機造價.如采用電阻加熱與MgF2搭配鍍制非四分之一波長的等效膜層,用于眼鏡及相機的增透膜.第一層先鍍MgF2,一來可以防止ZrO2與玻璃中的金屬離子反應,二來鍍壞了容易脫膜重鍍.但ZrO2薄膜的非均勻性比較嚴重,當在其中摻入TiO2時可大大改善.若使用離子輔助鍍膜,适當的工藝參數可使ZrO2的非均勻性降低.

HfO2折射率比ZrO2略低,可采用電子槍蒸鍍HfO2或金屬Hf獲得.其透過率涵蓋了紫外(220nm)到遠紅外波段(12μm),是和SiO2搭配做為紫外光區多層膜的優良材料,也可做為紅外波段金屬膜(如Al,Au)的優良保護膜.其薄膜硬度比其它材料都高,并且在波長為8~12μm、高入射角時,不會像SiO2或Al2O3膜做為Al鏡保護膜時反射率下降很多.同時,HfO2也是鍍制高功率鐳射鏡的優良材料.

Y2O3的折射率約1.8,MgO的折射率為1.7,采用電子槍蒸鍍,在紫外區及近紅外區有高的透過率.一般用來鍍制特殊膜系,如棱鏡偏振分光膜或高入射角膜系.

SiO可用多孔钼舟蒸鍍,鍍膜時升華,折射率約1.9,會吸收藍光而呈黃褐色,若以低蒸發速率或充氧蒸鍍可增加藍光區的透明度,但折射率會降到約1.6,為Si2O3膜.SiO主要用于中紅外區與Ge搭配做成各種多層膜濾光片,也可作為鍍制塑料基闆的第一層附着層,以增加後續鍍膜的附着力.

Al2O3折射率在可見光區約1.62,采用電子槍鍍膜,薄膜性能穩定.常與MgF2及ZrO2搭配鍍制可見光區的增透膜,由于其折射率不到1.7,因此鍍出來的增透膜呈明顯的綠色.

SiO2是氧化物中薄膜性能良好的低折射率材料(約1.45~1.47),SiO2不易分解,吸收與散射都很小,在180nm到8μm有很高的透過率,因此時鍍制多層膜的最佳低折射率薄膜材料.SiO2的熔點與蒸發溫度相近,因此使用SiO2顆粒作為初始膜料時,電子束必須很快掃描膜料,否則電子束會将膜料挖坑而影響鍍膜速率及SiO2分子的均勻分布.膜層較少時可采用選點方法以電子束打點蒸鍍;若膜層很多,則需将坩埚加大,采用環形坩埚轉動鍍膜,同時擴大電子束掃描面積.以塊材代替顆粒狀SiO2可消除此困擾.若采用濺射鍍膜,可以采用SiO2靶或Si靶.

此外,Sb2O3和CeO2也是常用的高折射率材料,分别用Mo及W電阻加熱鍍制,折射率分别約為2.05和2.2,但随着電子槍的普遍使用,現已使用較少.ITO(In2O3 SnO2)作為透明導電薄膜,在In2O3中摻入5%~15%的SnO2,一般顯示器屏幕所用的ITO膜SnO2含量為10%,其在可見光區透明,在紅外光區因自由電子濃度很高而不透明,但可以導電.其折射率與In2O3含量及鍍膜工藝有關,可用電子槍加離子輔助或濺射來鍍膜,可作為電極及防電磁輻射;與SiO2搭配用于各種屏幕的多層增透膜使用.當使用含有Na的玻璃時,需先鍍制SiO2以防止Na離子滲入ITO中影響其性能.

以上提及的氧化物薄膜的鍍制,基闆溫度宜控制在250℃~300℃,并在抽高真空後充10~30mPa的氧氣;如此可得到堅固透明的氧化物薄膜.但若基闆為塑料,則溫度隻能加熱到120℃(PC基闆),甚至100℃(CR-39基闆)或70℃(PMMA基闆),這些基闆要得到性能優良的薄膜則需使用離子輔助沉積(IAD)或其它離子轟擊方法.即使使用玻璃基闆,在鍍制多層薄膜時溫度也不宜太高,因為薄膜的膨脹系數與玻璃相差太多,冷卻到室溫後膜層與基闆間會産生很大的應力而造成龜裂甚至脫膜.這時玻璃基闆也可采用離子輔助沉積,而基闆溫度隻加熱到150℃,也可得到膜層性能良好的光學薄膜.若基闆很大或塊狀基闆,如棱鏡,也不适宜加高溫,這時也可采用IAD.為了防止基闆龜裂,有時候這種厚基闆鍍膜需隔天才能從真空室取出.

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