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晶體管電路如何分析

圖文 更新时间:2024-12-25 10:25:30

為了改善晶體管的開關特性,減小晶體管的損耗,在晶體管基極驅動電路的設計上會采取一些加速措施。如下:

晶體管電路如何分析(幾種常見的晶體管加速電路)1

加速電路一

在加速電路一中,并聯在RB兩端的電容CB稱為加速電容,數值一般在1nf~3.3nf。當Nb上端産生一個正的驅動電壓時,由于電容兩端電壓不能突變,上電瞬間電容如同短路,因此可認為為VT1提供了很大的正向基極電流,使晶體管迅速導通。之後,電容CB被充電至激勵電壓的峰值而進入穩态。當晶體管的驅動電壓突變為0時,還是因為電容電壓不能突變,CB兩端的電壓加到VT1的發射結上,可以形成很大的反向基極抽取電流,使VT1迅速關閉并進入問題。

晶體管電路如何分析(幾種常見的晶體管加速電路)2

加速電路二

在加速電路二中,高速開關二極管IN4148與電阻R1的作用是當晶體管VT1截止時,為反向基極電流提供一個低阻抗的通路。

晶體管電路如何分析(幾種常見的晶體管加速電路)3

加速電路三

在加速電路三中,并聯在基極電阻RB兩端的高速開關二極管IN4148的作用是當晶體管VT1截止時,為反向基極電流提供通路,迅速釋放基極與發射極間電容儲存的電量,加快晶體管的關閉。

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