P型半導體:B摻雜,多餘的空穴,少子的電子。
N型半導體:P摻雜,多餘的電子,少子的空穴。
PN結具有整流特性,即正向導通,反向截止。
内建電場:
内建電場的概念
半導體=P型半導體 N型半導體
A.PN結外接電源:/正向偏置:導通
\反向偏置:截止
B.PN結電容:/勢壘電容
\擴散電容
B-1.勢壘電容
位置:發生在PN結交界處
原理:兩端電壓引起交界處電荷量的變化
研究對象:主要是多子
PN結變窄,空間電荷區變小,結中空間電荷量變少~電容放電:正向電壓升高、反向電壓減小。
PN結變寬,空間電荷區變大,結中空間電荷量變多~電容充電:正向電壓減小、反向電壓升高。
B-2.擴散電容
位置:正向偏置
研究對象:少子
原理:當電壓正偏,且變大時,P區中的少子(負離子)與N區的少子(空穴)濃度梯度增大。
A與B的關系:
當PN結正向偏置時,電阻小,主要表現為擴散電容;
當PN結反向偏置時,電阻大,主要表現為勢壘電容。
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