随着市場對筆記本電腦快充需求的增加,英飛淩針對28V輸出, 推出USB PD3.1高功率密度方案,突破了長期以來的100W功率限制,最高功率可達到140W,進一步提高筆記本的充電效率,可以滿足更大功率的設備供電。
随着市場對筆記本電腦快充需求的增加,英飛淩針對28V輸出, 推出USB PD3.1高功率密度方案,突破了長期以來的100W功率限制,最高功率可達到140W,進一步提高筆記本的充電效率,可以滿足更大功率的設備供電。
英飛淩USB-PD 3.1 EPR的
140W高功率密度解決方案

采用混合反激 (HFB)拓撲,支持5-28V寬壓輸出
可靈活搭配CoolGaN™ 或 CoolMOS™ ,滿足不同的産品定位需求
相比傳統QR,ACF拓撲,具有明顯的系統優勢:
- HFB拓撲優勢,磁性器件更小(用RM8實現140W設計)
- 全軟開關控制,EMI更易處理
- HFB級用CoolMOS™ 即可達到業界領先的效率和功率密度
-同步整流可使用80V MOSFET,降低成本及器件的選型難度
協議部份采用了基于ARM核的EZ-PD™ CCG3PA,支持PD3.1 EPR

XDP™ 用于高功率充電器和适配器的控制器
數字多模式混合反激(HFB) IC - XDPS2201
系統/ 應用概況


關鍵特性
集成600V高壓啟動和高低邊MOS 驅動
多模式運作 用于優化不同輸入,輸出及負載條件下的效率
-在所有條件下實現ZVS
-CRM* 實現最優效率
-ZV-RVS** 改善輕載效率
-Active burst-mode 改善極輕輕載效率和待機功耗
支持 USB-PD 變電壓輸出應用
頻率抖動 用于改善EMI
高度靈活可變的IC參數 通過UART 配置滿足指定系統的需求
高系統可靠性 IC集成整套完備的保護
-可通過引腳讀出
* CRM: 連續諧振模式
** ZV-RVS: 零電壓諧振谷底開關
EZ-PD™ CCG3PA
即插件即用型 USB-C PD 控制器
系統/ 應用概況

關鍵特性
USB-C PD 控制器, 支持PD3.1,PD 3.0,QC 4.0,BC1.2,Apple Charging 2.4A,Samsung AFC
基于Arm® Cortex®-M0 的 MCU 64KB Flash
EZ-PD 配置功能可針對客戶特定規格進行參數配置
集成計時/計數/脈寬調制模塊 ,6個GPIO
集成模拟模塊
-可配置的 VBUS 過壓保護,過流, 欠壓, 和短路
-集成 2個 VBUS 放電管和 及負載開關驅動
- 低邊電流檢測
24 QFN (16 mm2)
CoolGaN™
高效,高可靠性的氮化镓産品
CoolGaN™驅動簡單可靠
電流型驅動器件,隻要RRC網絡即可直接驅動,簡單,可靠。

針對适配器應用600V
CoolGaN™ 産品陣容

分立CoolGaN™關鍵特性
采混合漏極結構具有非常優異的動态Rdson性能
栅極電流注入驅動
-栅極不易産生電壓尖峰,集成ESD保護,提高可靠性
- 通過注入空穴提升溝道載子密度提高飽和電流密度
-通過栅極阻容設計兼容傳統模拟控制器,開關速度可調
經過市場及高可靠應用驗證的成熟産品
集成Driver的CoolGaN™關鍵特性
基于CoolGaN™ 開發的集成驅動的氮化镓産品
采用半橋結構,目标應用圖騰柱PFC, ACF,AHB, LLC和基于DSP/MCU的數字電源方案
支持3.3V邏輯電平輸入,集成18nS的抗尖峰脈沖濾波器
通過栅極的Rtr可調節開關速度

PFD7 系列
專為軟開關拓撲設計的CoolMOS™
MOS滞回損耗産生

PFD7專為軟開關設計
match在軟開關應用中,非常小的滞回損耗提升系統效率
集成ESD保護器件提高生産良率,降低成本及産品售後失效率
更低的驅動損耗 (Qg, Qgd)提升輕載效率match
集成快恢複體二極管超低 Qrr降低,為半橋開關提供一個額外的安全裕量,減少設計量
産品陣容
減小滞回損耗的案例

英飛淩65W内部測試用闆
輸入電壓:90 VAC – 265 VAC
輸出電壓: 5 - 20 V
标稱功率: 65 W
工作頻率: 100 - 220 kHz
變壓器: RM10LP
OptiMOS™ PD用于
充電器/适配器的低壓MOSFET産品
OptiMOS™ PD 功率 MOSFETs 的主要封裝 PQFN 3.3x3.3 和PQFN 5*6封裝
專為充電器/适配器設計,價格和交付更有靈活性
支持邏輯電平輸入保證在低電壓下完全導通,具有很低的通态電阻
業界領先的低開關損耗,幫助通過能效等級測試。
OptiMOS™ PD:用于同步整流的重點推薦型号

OptiMOS™ PD/6:用于負載開關的重點推薦型号

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