IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣栅雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣栅型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點,驅動功率小而飽和壓降低。非常适合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
IGBT模塊是由IGBT(絕緣栅雙極型晶體管芯片)與FWD(續流二極管芯片)通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體産品;封裝後的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上;
IGBT模塊具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點;當前市場上銷售的多為此類模塊化産品,一般所說的IGBT也指IGBT模塊;随着節能環保等理念的推進,此類産品在市場上将越來越多見;
IGBT是能源變換與傳輸的核心器件,俗稱電力電子裝置的“CPU”,作為國家戰略性新興産業,在軌道交通、智能電網、航空航天、電動汽車與新能源裝備等領域應用極廣
作為電力電子重要大功率主流器件之一,IGBT已經廣泛應用于家用電器、交通運輸、電力工程、可再生能源和智能電網等領域。在工業應用方面,如交通控制、功率變換、工業電機、不間斷電源、風電與太陽能設備,以及用于自動控制的變頻器。在消費電子方面,IGBT用于家用電器、相機和手機。
IGBT功率模塊采用IC驅動,各種驅動保護電路,高性能IGBT芯片,新型封裝技術,從複合功率模塊PIM發展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發展,其産品水平為1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于變頻調速外,600A/2000V的IPM已用于電力機車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB,用于艦艇上的導彈發射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術組裝PEBB,大大降低電路接線電感,進步系統效率,現已開發成功第二代IPEM,其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化成為IGBT發展熱門。
圖是找的有點老
國内市場需求急劇上升曾使得IGBT市場一度被看好。雖然長期來看,IGBT是一個值得期待的市場,可是到目前為止IGBT的核心技術和産業為大多數歐美IDM半導體廠商所掌控,中國在2014年6月成功研制出8寸IGBT專業芯片,打破國際壟斷 。并且随着各國政府都将削減可再生能源及交通等領域的支出,IGBT市場能否再度增長?
根據最新的調查報告顯示,各種IGBT器件和模塊的銷售額在2013年将有一定程度的複蘇,2014年稍稍減速,待經濟複蘇并穩定後,從2015年開始将穩定增長。雖然2013年IGBT市場增長趨勢有所下降,但随着國内技術的進步,其發展前景還是十分被看好的。
(摘自:百度百科)
mos簡介
MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。
場效應管分為PMOS管和NMOS管,屬于絕緣栅場效應管。
驅動IC是什麼?
LED就是發光二極管,當二極管的數量多或者管子比較耗電量大時就需要驅動了,而且是幾級驅動,把這幾級驅動做到一個集成的電子芯片裡,這個芯片就叫驅動IC,簡單說就是發揮給二極管提供補償電流的作用。
Foundry,在集成電路領域是指專門負責生産、制造芯片的廠家。Foundry原意為鑄造工廠、翻砂車間、玻璃熔鑄車間,從它的字面意思可以看出其與集成電路的聯系,因為矽集成電路的制造也跟“玻璃”和“砂”有關。
Fabless,是Fabrication(制造)和less(無、沒有)的組合,是指“沒有制造業務、隻專注于設計”的集成電路設計的一種運作模式,也用來指代未擁有芯片制造工廠的IC設計公司,經常被簡稱為“無晶圓廠”(晶圓是芯片\矽集成電路的基礎,無晶圓即代表無芯片制造);通常說的IC design house(IC設計公司)即為Fabless。
IDM是半導體行業中指的“ 整合元件制造商”(Integrated Device Manufacturer)
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