工藝目的:通過化學反應腐蝕掉矽片背面及四周的PN結,以達到正面和背面絕緣的目的,同時去除正面的磷矽玻璃層。
工藝材料:合格的多晶矽片(擴散後)、H2SO4(98%,電子級)、HF(40%,電子級)、KOH(50%,電子級)、HNO3(65%,電子級)、DI水(大于15 MΩ·cm)、壓縮空氣(除油,除水,除粉塵)、冷卻水等。
工藝原理:
Rena Inoxide刻蝕工藝主要包括三部分:
硫酸、硝酸、氫氟酸 氫氧化鉀 氫氟酸
本工藝過程中,硝酸将矽片背面和邊緣氧化,形成二氧化矽,氫氟酸與二氧化矽反應生成絡合物六氟矽酸,從而達到刻蝕的目的。
刻蝕之後經過KOH溶液去除矽片表面的多孔矽,并将從刻蝕槽中攜帶的未沖洗幹淨的酸除去。
最後利用HF酸将矽片正面的磷矽玻璃去除。并用DI水沖洗矽片,最後用壓縮空氣将矽片表面吹幹。
工藝流程 略
主要控制點 略
工藝準備 略
注意事項 略
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