華為硬件技術工程師面試機考試題及答案

一、是非題 [8x4]

1、（ ）DRAM 上電時存儲單元的内容是全0，而 FLASH 上電時存儲單元的内容是全1。

2、（ ）眼圖可以用來分析高速信号的碼間幹擾、抖動、噪聲和衰減。

3、（ ）以太網交換機将沖突域限制在每個端口，提高了網絡性能。

4、（ ）放大電路的輸出信号産生非線性失真是由于電路中晶體管的非線性引起的。

5、（ ）1 的 8 位二進制補碼是 0000_0001,-1的 8 位二進制補碼是 1111_1111 。

6、（ ）洗衣機，電冰箱等家用電器都使用三孔插座， 是因為如果不接地， 家用電器是不能工作的。

7、（ ）十進制數據 0x5a 與 0xa5 的同或運算結果為： 0x00。

8、（ ）矽二極管的正向導通壓降比鍺二極管的大。

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二、單選題 [17x4]

1、一空氣平行闆電容器， 兩級間距為 d，充電後闆間電壓為 u。然後将電源斷開，在平闆間平行插入一厚度為 d/3 的金屬闆。 此時電容器原闆間電壓變為

A.U/3 B.2U/3 C.3U/4 D.不變

2、8086CPU 内部包括哪些單元

A.ALU,EU B.ALU,BIU C.EU,BIU D.ALU,EU,BIU

3、為了避免 50Hz 的電網電壓幹擾放大器，應該用那種濾波器：

A.帶阻濾波器 B.帶通濾波器 C.低通濾波器 D.高通濾波器

4、關于 SRAM 和 DRAM，下面說話正确的是：

A.SRAM 需要定時刷新，否則數據會丢失；

B.DRAM 使用内部電容來保存信息；

C.SRAM的集成度高于 DRAM；

D.隻要不掉電， DRAM 内的數據不會丢失；

5、在 RS232串口中， 采用哪一種校驗方式：

A.CRC校驗 B.海明碼校驗 C.多種校驗方式的組合 D.奇偶校驗

6、對于 D 觸發器來說， 為了保證可靠的采樣， 數據必須在時鐘信号的上升沿到來之前繼續穩定一段時間，這個時間稱為

A.保持時間 B.恢複時間 C.穩定時間 D.建立時間

7、本征半導體中加入（）元素可形成N 型半導體

A.五價 B.四價 C.三價 D.二價

8、模拟信号數字化的過程是

A.采樣 ->量化 ->編碼 B.采樣 ->編碼 ->量化

C.編碼 ->采樣 ->量化 D.量化 ->編碼 ->采樣

9、在 Buck 電路中，不能起到減小紋波作用的措施是

A.采用多項并聯的模式；

B.開關管内置，提高電源的開關頻率；

C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容；

D.增大輸出濾波電感量。

10、圖示電路中 a、 b 端的等效電阻 Rab在開關 K 打開與閉合時分别為：

A.10 Ω， 8Ω B.8 Ω， 10Ω C.10 Ω， 10Ω D.10 Ω， 16Ω

11、關于 PCI總線的描述，錯誤的是

A.PCI 總線是一個 16 位寬的總線；

B.PCI的地址線與數據線是複用的；

C.PCI 是一種獨立于處理器的總線标準，可以支持多種處理器；

D.PCI支持即插即用功能總線寬度為 32/64 位。

12、中繼器、以太網交換機、路由器分别工作在 OSI模型的哪位層次上：

A.物理層、鍊路層、網絡層 B.物理層、網絡層、鍊路層

C.物理層、鍊路層、傳輸層 D.鍊路層、鍊路層、網絡層

13、某電路，對100KHz 以下低頻信号幹擾敏感，為減少幹擾，應采用（）濾波器。

A.高通 B.低通 C.帶阻 D.帶通

14、捕捉毛刺用最佳觸發方式（）進行觸發

A.Width B.Edge C.Glitch D.State

15、以下哪種信号異常能用邏輯分析儀測試：

A.信号占空比超标 B.信号上升緩慢

C.6 個信号的異常組合 D.信号抖動過大

16、8421 碼 10010111 表示的十進制數是：

A.98 B.151 C.97 D.227

17、晶體管能夠放大的外部條件是：

A.發射結反偏，集電結正偏 B.發射結正偏，集電結正偏

C.發射結反偏，集電結反偏 D.發射結正偏，集電結反偏

答案與解析

一、是非題 [8x4]

1、（N）【解析】FLASH可保存

2、（N）

3、（Y）

4、（N）

5、（Y）

6、（N）

7、（Y）

8、（Y）

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二、單選題 [17x4]

1、B.2U/3

【解析】

電容的大小不是由Q（帶電量）或 U（電壓）決定的，即：C=εS/4πkd。（ε是一個常數， S 為電容極闆的正對面積， d 為電容極闆的距離， k 則是靜電力常量。）而常見的平行闆電容器電容為 C=εS/d. （ε為極闆間介質的介電常數，S為極闆面積， d 為極闆間的距離。）電容器的電勢能計算公式：E=CU^2/2=QU/2。

2、C.EU,BIU

【解析】

80x86 從功能上分執行單元EU(Execution Unit) 和總線接口單元 BIU(Bus InteRFace Unit) ，執行單元由 8 個 16 位通用寄存器， 1 個 16 位标志寄存器， 1 個 16 位暫存寄存器， 1 個 16 位算術邏輯單元 ALU及 EU控制電路組成。總線接口單元由 4 個 16 位段寄存器（ CS,DS,SS,ES） ，1 個 16 位的指令指針寄存器， 1 個與 EU通信的内部暫存器， 1 個指令隊列， 1 個計算 20 位物理地址的加法器∑及總線控制電路構成。

3、A.帶阻濾波器

4、B.DRAM 使用内部電容來保存信息

【解析】

SRAM和 DRAM都是随機存儲器，機器掉電後，兩者的信息都将丢失。它們的最大區别就是：DRAM是用電容有無電荷來表示信息 0 和 1，為防止電容漏電而導緻讀取信息出錯，需要周期性地給電容充電，即刷新；而 SRAM是利用觸發器的兩個穩态來表示信息 0 和 1， 所以不需要刷新。 另外， SRAM的存取速度比 DRAM更高，常用作高速緩沖存儲器Cache。

5、D.奇偶校驗

6、D.建立時間

【解析】

setup/hold time 是測試芯片對輸入信号和時鐘信号之間的時間要求 . 建立時間是指觸發器的時鐘信号上升沿到來以前數據穩定不變的時間輸入信号應提前時鐘上升沿 ( 如上升沿有效 )T 時間到達芯片 這 個 T 就 是 建 立 時 間 -Setup time. 如不 滿 足setup time, 這個數據就不能被這一時鐘打入觸發器隻有在下一個時鐘上升沿數據才能被打入觸發器保持時間是指觸發器的時鐘信号上升沿到來以後數據穩定不變的時間如果 hold time 不夠數據同樣不能被打入觸發器建立時間 (Setup Time) 和保持時間 (Hold time).建立時間是指在時鐘邊沿前數據信号需要保持不變的時間保持時間是指時鐘跳變邊沿後數據。

7、本征半導體中加入（）元素可形成N 型半導體

A.五價

8、A.采樣 ->量化 ->編碼

9、C.輸出濾波電容由陶瓷電容改為容量電解電容

10、C.10 Ω， 10Ω

11、A.PCI 總線是一個 16 位寬的總線

12、C.物理層、鍊路層、傳輸層

【解析】

物理層 : 将數據轉換為可通過物理介質傳送的電子信号 相當于郵局中的搬運工人

鍊路層 : 決定訪問網絡介質的方式在此層将數據分幀，并處理流控制。本層 指定拓撲結構并提供硬件尋 址。相當于郵局中的裝拆箱工人

網絡層 : 使用權數據路由經過大型網絡 相當于郵局中的排序工人傳輸層 : 提供終端到終端的可靠連接 相當于公司中跑郵局的送信職員

會話層 : 允許用戶使用簡單易記的名稱建立連接相當于公司中收寄信、寫信封與拆信封的秘書

表示層 : 協商數據交換格式 相當公司中簡報老闆、替老闆寫信的助理

應用層 : 用戶的應用程序和網絡之間的接口老闆

13、A.高通

14、C.Glitch

15、A.信号占空比超标

16、C.97

17、D.發射結正偏，集電結反偏

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