CMOS工藝流程介紹

1.襯底選擇：選擇合适的襯底，或者外延片，本流程是帶外延的襯底；

2. 開始：Pad oxide氧化，如果直接澱積氮化矽，氮化矽對襯底應力過大，容易出問題；

接着就澱積氮化矽。

3. A-A層的光刻：STI（淺層隔離）

（1）A-A隔離區刻蝕：先将hard mask氮化矽和oxide一起刻掉；

（2）STI槽刻蝕：Si3N4的刻蝕菜單刻蝕矽速率過快，不好控制，需要分開刻蝕；

（3）刻蝕完成後去膠，為了節省空間，後面的層次去膠将會用一句話帶過；

（4）STI用氧化矽填充：這裡沒有講，其實刻蝕STI會對襯底造成損傷，一般要先長一層薄氧化層，然後再腐蝕掉的，這樣可以消除表現損傷；

STI填充：HDP高密度等離子澱積STI槽，用其他機器填充會提前将STI槽封死，裡面會出現空洞，HDP機台是一遍澱積，一遍刻蝕，可以防止提前封口；

（5）簡單的做法是直接CMP将二氧化矽磨平，但一般該步驟直接CMP會造成STI表面下陷，STI槽不滿的情況，一般還會再加一層，将STI區域保護起來，将中間區域刻蝕掉，然後再CMP，這裡簡化處理。

（6）熱磷酸腐蝕掉氮化矽，這個不叫常規；

4. Nwell光刻、注入：光刻前都有一層pad oxide，這裡也沒有畫。

Nwell注入：一般要注一個阱，一個防傳統注入，一個VT調節注入，三次注入分别對應深，中，淺，注入玩去膠，準備做Pwell注入；

5. Pwell光刻、注入：方式與Nwell類似，注入改為B注入，然後去膠，去膠後要将Nwell和Pwell一起推進，使兩者有一定的結深和濃度梯度；

6. Gate栅的形成：腐蝕掉表現氧化層，再長一層犧牲氧化層，然後再腐蝕掉犧牲氧化層；

（2）POLY澱積：澱積 Insu-Poly，或者後面摻雜後再光刻

（3）POLY光刻、刻蝕：光刻Gate，并刻蝕POLY，然後去膠；

（4）POLY氧化：作為SI3N4 spacer刻蝕的停止層；

7. NLDD/PLDD的形成：

（1）NLDD光刻，注入，去膠；

（2）PLDD光刻，注入，去膠；

（3）Si3N4 spacer的刻蝕：氮化矽澱積及刻蝕

8. NSD/PSD形成：

（1）NMOS的源漏注入：Si3N4 spacer擋住的區域NSD注入注不進去，因此NSD區域要離開gate一小段距離；

（2）PMOS源漏注入：做完PSD，一起做一次RTP來退回，激活離子。

（2）contact孔光刻即刻蝕：

9. Salicide：Ti與矽形成低阻層Salicide；

（2）contact孔光刻即刻蝕：

10.ILD澱積及contac形成：

（1）BPSG澱積及CMP抛光。

（2）contact孔光刻即刻蝕：

W-plug：W塞澱積及CMP。

11. Metal-1澱積及光刻，刻蝕:

12. IMD澱積, CMP及Via光刻、刻蝕：

（1）IMD澱積，CMP抛光：

13. Via-W plug澱積，CMP：基本與Conctact W-plug一樣的做法；

（1）Metal-2澱積：

（2）Metal-2光刻刻蝕

15. 鈍化層澱積及鈍化層光刻、刻蝕、去膠：鈍化刻蝕後一般要做一步alloy。

對于高級一點的工藝，可能會有更多層的metal，做法類似，繼續Via和Metal的堆疊即可。

會有更多層的metal，做法類似，繼續Via和Metal的堆疊即可。

内容轉載自網絡，僅供學習交流使用，如有侵權，請聯系删除。如果你還想了解更多關于電子元器件的相關知識及電子元器件行業實時市場信息，敬請關注微信公衆号 【上海衡麗貿易有限公司】

更多精彩资讯请关注tft每日頭條，我们将持续为您更新最新资讯!