dram的主要工作參數?在很長一段時間，宏旺半導體帶來了存儲各個版塊的幹貨，可以翻閱往期文章查閱，今天宏旺半導體将做個小總結，系統闡述存儲器，有不出入的地方歡迎指出哦，我來為大家科普一下關于dram的主要工作參數?以下内容希望對你有幫助!

dram的主要工作參數

在很長一段時間，宏旺半導體帶來了存儲各個版塊的幹貨，可以翻閱往期文章查閱，今天宏旺半導體将做個小總結，系統闡述存儲器，有不出入的地方歡迎指出哦。

存儲介質基本分類：ROM和RAM

RAM：随機訪問存儲器(Random Access Memory)，易失性。是與CPU直接交換數據的内部存儲器，它可以随時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。它的作用是當開機後系統運行占一部分外，剩餘的運行内存越大，手機速度越快，運行的程序越多，剩餘越少。

ROM：隻讀存儲器(Read Only Memory)，非易失性。一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中隻能讀出，而不像随機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。ROM所存數據穩定，斷電後所存數據也不會改變。計算機中的ROM主要是用來存儲一些系統信息，或者啟動程序BIOS程序，這些都是非常重要的，隻可以讀一般不能修改，斷電也不會消失。關于ROM的一些新發展，宏旺半導體也在之前的文章中詳細講過。

今天要帶來的内容就在下面一張圖裡，先來講講RAM和ROM，兩者相比，的最大區别是RAM在斷電以後保存在上面的數據會自動消失，而ROM不會自動消失，可以長時間斷電保存。

随機訪問存儲器：RAM

随機訪問存儲器分為兩類：靜态的和動态的。靜态的RAM（SRAM）比動态RAM（DRAM）更快，但也貴很多。SRAM用來作為高速緩存存儲器，既可以在CPU芯片上，也可以在片下。DRAM用來作為圖形系統的幀緩沖區。

SRAM：SRAM存儲器單元具有雙穩态特性，隻要有電，它就會永遠的保持它的值（有點類似ROM易失性）。即使有幹擾來擾亂電壓，當幹擾消除時，電路就會恢複到穩定值。

DRAM：動态RAM。

SDRAM：同步DRAM。

DDR SDRAM（Double Data-Rate Synchronous DRAM）：雙倍數據速率同步 DRAM。

DDR2：不同類型的DDR SDRAM。

DDR3：不同類型的DDR SDRAM。

RAM斷電時将丢失其存儲内容，故主要用于存儲短時間使用的程序。現在手機中的RAM一般是由LPDDR擔當，尤其是速度快功耗低的LPDDR4X在市面上的旗艦手機中占比較大，宏旺半導體今年也推出了LPDDR4X 8GB，滿足市場應用所需，廣泛應用于手機、平闆、超薄筆記本等領域。

隻讀存儲器：ROM

計算機存儲器在其上數據已被預先記錄。一旦将數據寫入ROM 芯片，就無法将其删除，隻能讀取。與主存儲器（RAM）不同，即使計算機關閉，ROM也會保留其内容。ROM被稱為非易失性，現在有很多非易失性存儲器。由于曆史原因，雖然ROM中有的類型可以讀也可以寫，但是整體上都被稱為隻讀存儲器（Read Only Memory）。ROM是以它們能夠被重新編程（寫）的次數和對它們進行重編程所用的機制來區分的。

PROM（Programmable ROM）：可編程ROM，隻能被編程一次。

EPROM（Erasable Programmable ROM，EPROM）：可擦寫可編程ROM，擦寫可達1000次。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM）電子可擦除EPROM。

閃存（flash memmory）：基于EEPROM，它已經成為一種重要的存儲技術。固态硬盤（SSD）U盤等就是一種基于閃存的存儲器。

nor flash ：NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，用戶可以直接運行裝載在NOR FLASH裡面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節約了成本。

nand falsh：NAND Flash沒有采取内存的随機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節，采用這種技術的Flash比較廉價。用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，因此好多使用NAND Flash的開發闆除了使用NAND Flah以外，還作上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。

希望這篇文章能給大家帶來幫助，更系統地了解存儲器，有任何有疑問的地方都可以來找宏旺半導體，歡迎關注哦~

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