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sdram和nand flash的作用

圖文 更新时间:2025-01-02 13:49:59

閃存(Flash Memory)是一種電子式可清除程序化隻讀存儲器的形式,允許在操作中被多次擦或寫的存儲器。這種科技主要用于一般性數據存儲,以及在電腦與其他數字産品間交換傳輸數據,如儲存卡與U盤。與硬盤相比,閃存也有更佳的動态抗震性。這些特性正是閃存被移動設備廣泛采用的原因。

接下來就為您介紹這三種Flash Memory:

NorFlash

Intel公司1988年開發出了NOR flash技術。NOR的特點是芯片内執行(XIP, eXecute In Place),這樣應用程序可以直接在flash 閃存内運行,不必再把代碼讀到系統RAM中。NOR的傳輸效率很高,在1~4MB的小容量時具有很高的成本效益,但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。

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NandFlash

1989年,東芝公司發表了NAND flash結構。其内部采用非線性宏單元模式,為固态大容量内存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大,改寫速度快等優點,适用于大量數據的存儲,因而在業界得到了越來越廣泛的應用,如嵌入式産品中包括數碼相機、記憶卡、體積小巧的U盤等。

EMMC

eMMC (Embedded Multi Media Card) 為MMC協會所訂立的,eMMC 相當于 NandFlash 主控IC,對外的接口協議與SD、TF卡一樣,主要是針對手機或平闆電腦等産品的内嵌式存儲器标準規格。eMMC的一個明顯優勢是在封裝中集成了一個控制器,它提供标準接口并管理閃存,使得手機廠商就能專注于産品開發的其它部分,并縮短向市場推出産品的時間。

eMMC由一個嵌入式存儲解決方案組成,帶有MMC(多媒體卡)接口、快閃存儲器設備(Nand Flash)及主控制器,所有都在一個小型的BGA 封裝。接口速度高達每秒52MBytes,eMMC具有快速、可升級的性能。同時其接口電壓可以是 1.8v 或者是 3.3v。

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