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npn型和pnp型三極管的主要區别是

圖文 更新时间:2024-10-05 13:17:03

在理解PN結、二極管、光敏二極管的基礎上理解三極管會更加自然。

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Ube>0.5,發射結内電場減小,發射區電子進入基區,形成發射結電流,基區電子增多,這部分對應PN結正向特性。cb之間加上反向電壓,增加集電結内電場,一部分進入基區的電子經過擴散再由集電結内電場抽到集電區,形成集電結電流,這部分對應PN結反向截止特性。還有一部分電子形成基極電流。如果在cb之間加上正向電壓,為了能把基區電子抽到集電區,集電結内電場須存在,集電結正偏的電壓不能超過0.5。

npn型和pnp型三極管的主要區别是(NPN型和PNP型晶體三極管導通原因簡析)3

Ueb>0.5,發射結導通,發射區空穴進入基區,形成發射結電流。在cb之間加上反向電壓,增加集電結内電場,進入基區的空穴抽到集電區,形成集電結電流。還有一部分空穴形成基極電流。如果在cb之間加上正向電壓,為了能把基區空穴抽到集電區,集電結内電場須存在,集電結正偏的電壓不能超過0.5。

正常情況下PN結反向截止電流很小,集電結幾乎無電流。當發射結導通,大量電子(空穴)注入基區,使基區的少子變多,導電性能增加,所以集電結反偏也有大電流。如光敏二極管,光照時産生大量電子空穴對,使少子增加,PN結反偏電流變大;而三極管則是直接把發射區的電子(空穴)注入基區增加少子。

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