現在很多固态硬盤都将"3D閃存"作為主要賣點,3D閃存究竟是怎樣的結構,又如何帶來了性能方面的提升?東芝在最新的宣傳片中解釋了BiCS架構3D閃存的秘密。
3D閃存,并不是簡單的将2D閃存垂直堆疊起來。下圖就是典型的錯誤示例:它展示的是将多個閃存晶粒封裝到一個顆粒中的過程,而非2D閃存到3D閃存的變化。
在3D發展的過程中,整個閃存結構經曆了巨變,從過去以襯底為基礎的平面變更為以垂直通道為核心的圓柱結構。同時,閃存用以存儲電子的結構也發生變化,從2D時代的Floating Gate浮栅結構進化為更先進的Charge Trap電荷捕獲結構。
2D浮栅閃存的電子存儲在Floating Gate當中。GIF動圖:
電子在Floating Gate中可以自由移動,不受過多限制,這意味着一旦下方的隧道氧化層出現漏洞,電子就非常容易從Floating Gate中洩露,最終導緻閃存中用電子表達的數據出錯。
3D電荷捕獲閃存的電子則存儲在圓柱形構建的Charge Trap結構中。GIF動圖:
Charge Trap就像是陷阱,能夠牢牢鎖住陷入其中的電子,對于閃存擦寫壽命的延長有着積極的作用。
另外,随着半導體制程的微縮,2D閃存Floating Gate中能夠存儲的電子數量急劇減少、閃存單元間幹擾增大,從而影響到固态硬盤在斷電後存儲數據的時長。而3D閃存中使用的Charge Trap圓柱形結構有着更大的空間用于儲存電子。這是3D閃存耐久度優勢的另一個原因。
由于采用了圓柱形的結構,3D閃存的每個存儲單元可以在垂直方向串起來,使得整個芯片的面積降低,讓閃存的存儲密度得到提升的同時,降低了閃存的制造成本。下圖是東芝BiCS 3D閃存結構示意。
目前,3D閃存正在固态硬盤、手機、平闆、數據中心以及汽車電子等領域快速得到普及,在帶來更大容量的同時,還擴展了閃存的寫入壽命,同時降低了固态硬盤的價格。
至于今年新出現的所謂"4D閃存",實則是SK Hynix在FMS2018閃存峰會上提出的3D閃存結構上的一個小改進,将閃存的周圍電路放到了閃存陣列下方。閃存堆疊層數的提升才是3D閃存最值得關注的方向,96層堆疊是今年下半年到明年的主旋律,而到2020年,閃存将發展到128層甚至更高,大衆普及1TB固态硬盤未來不是夢。
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