NTC是Negative temperature coefficient的縮寫，意即負溫度系數，在環境溫度升高時，其阻值降低，使用電設備或充電設備及時反應、控制内部中斷而停止充放電。

ID是Identification 的縮寫，即身份識别的意思它分為兩種：一是存儲器，常為單線接口存儲器，存儲電池種類、生産日期等信息；二是識别電阻。兩者可以起到産品的可追溯和應用的限制。

IC的特點：

①内藏高精度電壓檢出電路；

A 、過充電檢出電壓（3.9V~4.4V），一般來說，IC 型号不同，過充電檢出電壓也不一樣，就我司現在使用的IC而言，過充電檢出電壓在4.2V～4.4V；

B、 過放電檢出電壓（2.0V～3.0V），一般來說，IC型号不同，過放電檢出電壓也不一樣，就我司現在使用的IC而言，過放電檢出電壓在2.6V～2.8V；

②連接充電器的端子采用高耐壓裝置；

③各種延遲時間由内載電路來實現（過放、過充電，過電流延遲）；

④内藏三級過電流檢出電路（過電路1、過電流2、負載短路）；

⑤充電器檢出功能、異常充電電流檢出功能；

⑥工作溫度範圍：-40℃～ 85℃。

IC的内部結構

關于IC幾種狀态的概念（通常狀态下CO、DO為高電平，電池能充放電）

1、過充電檢出電壓：在通常狀态下，Vdd逐漸提升至CO端由高電平變為低電平時VDD-VSS間電壓。

2、過充電解除電壓：在充電狀态下，Vdd逐漸降低至CO端由低電平變為高電平時VDD-VSS間電壓。

3、過放電檢出電壓：通常狀态下，Vdd逐漸降低至D O端由高電平變為低電平時VDD- VSS間電壓。

4、過放電解除電壓：在過放電狀态下，Vdd逐漸上升到DO端由低電平變為高電平時 VDD-VSS間電壓 。

5、過電流1檢出電壓：在通常狀态下，VM逐漸升至DO由高電平變為低平時VM-VSS間電壓。

6、過電流2檢出電壓：在通常狀态下，VM從OV起于1ms以上4ms以下的速度升到 DO端由高電平變為低電平時VM-VSS間電壓。

7、負載短路檢出電壓：在通常狀态下，VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高電平變為低電平時VM-VSS間電壓。

8、充電器檢出電壓：在過放電狀态下，VM以OV逐漸下降至DO由低電平變為變為高電平時VM-VSS間電壓。

9、通常工作時消耗電流：在通常狀态下，流以VDD端子的電流（IDD）即為通常工作時消耗電流。

10、過放電消耗電流：在放電狀态下，流經VDD端子的電流（IDD）即為過流放電消耗電流。

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