KRKRP作為反激變壓器中的靈魂參數，該如何對其進行取舍，值得我們深入探讨。

首先先對文章當中的将要提到的一些名詞進行解釋。

1）工作模式：即電感電流工作狀态，一般分DCM、CCM、BCM三種（定性分析）；

2）KRP：描述電感電流工作狀态的一個量（定量計算）。

KRP定義：

KRP的意義：

隻要原邊電感電流處于連續狀态，都稱之為CCM模式。而深度CCM模式(較小紋波電流)與淺度CCM模式(較大紋波電流)相比較，電感量相差好幾倍，而淺度CCM模式與BCM、DCM模式的各種性能、特點可能更為相似。顯然需要一個合适的參數來描述所有電感電流的工作狀态。通過設置KRP值，可以把變壓器的電感電流狀态與磁性材料、環路特性等緊密聯系起來。我們也可以更加合理的評估産品設計方案，例如：

KRP較大時(特别是DCM模式)，磁芯損耗一般較大(NP較小)，氣隙較小(無氣隙要求，僅滿足LP值)，LP較小，漏感會較大，紋波電流較大(電流有效值較高)；

KRP較小時(特别是深度CCM模式)，磁芯損耗一般較小(NP較大)，氣隙較大(有氣隙要求，平衡直流磁通)，LP較大，漏感會較小，紋波電流較小(電流有效值較低)；

注：KRP較小時，氣隙也是可以做到較小，但這需要更大的磁芯和技巧；KRP較大時，磁芯損耗也是可以做的較小，但這同樣需要更大的磁芯和技巧。

這裡說一點題外話，大部分人通常認為，相同磁芯、開關頻率，DMAX，DCM模式比CCM模式下的輸出功率更大；其實這是不完全對的（至少不符合實際，因為需要限制DMAX，導緻空載容易異常），原因在于DCM模式下磁芯損耗會超出你的想象（電應力也會如此）；DCM模式下，如果想大幅度降低磁芯損耗，唯一的方法是增大NP，而過大的NP會與LP形成現實沖突（DCM模式下，LP一般較小），造成磁芯氣隙超出你的想象（漏感也會如此）；有沒有方法解決這種現實矛盾？答案應該是肯定的，即選擇合适的磁芯結構，如長寬比小且AE大的磁芯（PQ、POT系列），或許會比長寬比大且AE小的磁芯（EER、EEL系列）更加有優勢。（補充：在DCM模式下，如果限制DMAX，則會比CCM模式下輸出更大的功率）。

KRP較大時，增大DMAX可以在一定程度上降低原邊的紋波電流及有效電流值，但是次級的電流應力會更加惡劣，這種方法（增大/減小DMAX）隻适合平衡初次級的電壓、電流應力，應該不是一種很好的設計手段。

KRP較大時，空載啟動困難，特别是低壓大電流輸出，且空載無跳頻（寬範圍AC輸入時尤其如此，如3.3V10A，特别是超低壓輸入）；KRP較小時，開關損耗較大，特别是高壓小電流輸出，且開關頻率較高（窄範圍AC輸入時尤其如此，如100V0.5A，特别是超高壓輸入）；

注：非低壓大電流産品（如12V5A），KRP較大時，DMAX不能設計的過小，否則空載也會啟動困難，且空載無跳頻（寬範圍AC輸入時尤其如此）；超低壓輸入産品（如12V輸入），KRP應該較小，且開關頻率也不能過高，否則LP過小（漏感過大）無法正常工作（或者效率極低）。

KRP較大時，動态響應較快，環路補償比較容易（特别是采用電流模式控制）；KRP較小時，動态響應較慢，環路補償相對困難（特别是采用電壓模式控制）。

KRP較大時，電感電流斜率較急，CS采樣端對噪聲影響不明顯；KRP較小時，電感電流斜率較緩，CS采樣端可能會受到噪聲影響。

注：電流模式芯片通常會比電壓模式控制芯片的性能更加優異，但并非所有情況下都是如此。如果輸入電壓較高，輸出功率較小，電流模式芯片可能無法檢測CS電壓，低壓大電流輸出産品在空載時也會出現這種情況（再次強調，寬範圍AC輸入，低壓大電流輸出〈甚至非大電流輸出産品〉，如果KRP較大，DMAX又較小，空載極有可能出問題，或許輕載降頻、提高VCC都不一定有效，但是采用某些電壓模式控制芯片，可能會避免此問題）。低壓輸入，輸出功率很大時，電感電流斜率較緩，CS采樣電壓（電阻/互感器）可能很容易受到幹擾，如果負載變化較大，也可能會因此CS端采樣異常。也不是所有電流模式芯片均比電壓模式芯片優秀，這需要綜合考慮各種因素，包括外圍電路的複雜程度。

超高壓輸入時，KRP應該設置較大（最好是QR模式），開關損耗會較低；超低壓輸入時，KRP應該設置較小（最好是深度CCM模式），漏感會較低；

KRP選取法則：

電感紋波電流如何設置，主要取決于輸入電壓範圍、輸入電壓幅度、輸出電壓幅度、輸出電流範圍、漏感百分比（氣隙）四個量。

1）寬範圍輸入時，盡量選擇深度CCM模式；

注：在所有輸入電壓範圍内，功率器件的電壓電流應力會有一個較好的折中；

2）輸入電壓非常低時（如12/24V），請選擇深度CCM模式（KRP≤0.40）；

注：此時如何降低漏感擺在第一位，深度CCM模式下，自然會獲得最小的漏感量；

3）輸入電壓非常高時（如400VDC），請選擇DCM模式（或者QR模式）；

注：此時如何降低開關損耗擺在第一位，在QR模式下，自然會獲得最小開關損耗；

4）輸出電壓非常高時，請選擇DCM模式（或者QR模式）；

注：此時如何降低開關損耗擺在第一位，在QR模式下，自然會獲得最小開關損耗；

5）輸出電流非常大時，盡量選擇CCM模式，KRP值視輸入電壓範圍及幅值決定；

注：CCM模式下，峰值電流、紋波電流、有效電流都會相對較小，且盡量避免采用單個肖特基二極管去處理高有效值電流，也要想辦法去避免空載問題；

6）小電流輸出，盡量采用DCM（QR）模式；

注：功率小，效率較高。

7）如果要求最小漏感設計，盡量選擇CCM模式，KRP盡可能的小；

8）采用較小磁芯輸出較大功率的前提條件是：較小DMAX、較高電感紋波電流（有效電流），空載問題好解決；

9）KRP小于0.66時，電感電流峰值、有效值，不再跟随KRP值的減小而明顯減小，但是Bdc及氣隙上升非常明顯；KRP小于0.40時，電感電流紋波電流将會出現過小而導緻CS采樣困難，且飽和的10電感電流上升不明顯；

10）如果設置BCM模式下的LP=1，其他工作條件不變，則：

KRP=1.00，LP=1；

KRP=0.66，LP=2；

KRP=0.50，LP=3；

KRP=0.40，LP=4；

KRP=0.33，LP=5。

我們可以研究不同KRP值下，磁芯的Bdc、Lg的變化趨勢，甚至可以更換不同的磁芯來滿足電氣參數設計（KRP、DMAX、LP均不會發生改變）。如此一來，KRP（電氣參數）将會與磁芯參數形成緊密的聯系，方便量化分析。通過不同的電感紋波電流，來讓我們知道變換器到底需要什麼樣的磁芯設計參數（包括磁芯選型）。而不是先來設計變壓器參數，然後自動生成KRP等電氣參數。

簡單的理解，就是先設計好電氣參數，如初次級的電壓、電流應力，評估各種損耗溫升，考慮到PWM芯片、MOS、二極管各種的特點（先選好），讓反激變換器工作在最佳的工作狀态。根據這個最佳的電氣參數，我們來設計變壓器參數，如NP、NS、氣隙等等，最後通過更換磁芯或是微調變壓器的結構設計，讓整個變換器都工作在最合理的狀态。如果開頭就進行變壓器設計，會導緻我們産品優化的餘地較小（不得不重新計算或是申請樣品）。

不過，不得不承認，每一個人的學習經曆往往很不同，屬于自己的最佳設計流程，應該是自己最熟練、最能理解的哪一種。那是一種積累、一種磨練，千萬不要輕易去否定。這裡提供的方法隻是其中一種，諸多技巧中，如果覺得好就用，不好就不用。

KRP的别名：KRF、r，它們之間存在換算關系，建議參考相關資料；

如果設置BCM模式下的LP=1，其他工作條件不變，則：（磁芯、匝數比不變，否則無法完成對此；NP的變化不會改變DMAX、電壓、電流應力，NP主要是影響磁芯參數設計）。

釋疑：

1）KRP從1.00下降至0.66時，峰值電流的下降非常明顯，當KRP從0.66向0.33下降時，峰值電流的下降幅度非常有限；

2）KRP從1.00下降至0.33時，紋波電流的下降一直非常明顯，與LP的變化趨勢剛好相反（I=V*TON/LP）；

3）KRP從1.00下降至0.66時，有效電流的下降非常明顯，當KRP從0.66向0.33下降時，有效電流的下降幅度非常有限；

4）KRP從1.00下降至0.33時，BDC急劇增大，氣隙的大小與磁性元件的設計有關，由于對比中的NP會有所不同，所以氣隙、BDC、BAC的變化趨勢僅僅是起有限的參考作用；

關于BDC、BAC的變化趨勢（二者是由哪些量決定的）分析見《開關電源手冊》，其中有詳細描述：

①外加的伏秒值、匝數、磁芯面積決定了交變磁通量（BAC）； VTon(n) Np Ae→△B；

②直流平均電流值、匝數、磁路長度決定了直流磁場強度（BDC）； Idc Np Le(lg)→Hdc；

③加氣隙和不加氣隙，磁芯飽和磁感應強度是一樣的，但加氣隙的磁芯能顯著減小剩磁Br，另外，加氣隙可以承受大的多的直流電流。

5）KRP從1.00下降至0.33時，由于BDC、LP急劇增大，所以NP也會較大，間接導緻導緻BAC較小；

6）KRP從1.00下降至0.33時，LP的變化範圍非常有意思，注意是整數倍，這為我們評估變壓器的設計提供了極好的參考依據，我們可以一開始就設計在臨界模式，并且将臨界LP作為參考數值。需要明白，在保持匝數比（DMAX）不變的情況下，産品中的各種電壓應力不會有任何改變（DMAX決定了電壓應力，也不能夠大幅度改變，隻适合微調）。我們可以通過研究KRP（LP）變化時，各種電流應力與磁芯參數的變化趨勢，最終找出最優設計；

7）采用此方法設計變壓器時，建議采用V*TON，而不是I²*LP，因為DMAX(決定TON)幾乎是固定量變化不大，而LP可以是變化量（由KRP決定），變化量非常大，優化分析時也比較簡單；

8）需要認真理解NP與LP不是線性關系，也要完全明白氣隙的計算公式；

9）進行KRP及變壓器設計時，需要緊密聯系各種參數（電壓、電流應力，磁性參數），然後進行系統分析。這是我極力推薦大家采用軟件的主要原因，手工計算極易出錯、慢、且無法對全局進行優化分析；

10）關于KRP的相關介紹，可以參考PI的相關設計資料；關于KRF的相關介紹，可以參考飛兆的相關設計資料；關于r的相關介紹，可以參考《精通開關電源設計》；關于KRP，其他公司也有各種不同的描述，但他們要表達的意思其實都差不多。

控制模式：電壓型、電流型、ON/OFF開關控制（RCC）電壓型控制典型芯片：SG3524/3525、TOP22X/23X/24X等等。

電流型控制典型芯片：TL494、UC3842/3/4/5、NCP1200、NCP1337等等 ON/OFF開關控制典型芯片：TNY系列，RCC變換器，安森美有個系列好像也是的 聲明：後續可能還會直接引用一些PI的資料，特别是設計流程、軟件操作、芯片資料、包括部分設計思路等等，并不代表PI的設計理念比其他公司更優秀，僅僅是我更熟悉些而已，而且這些資料都有中文版本，内容詳實，方便初學者追根溯源。

PI的變壓器設計軟件其實是非常不錯的入門工具，熟練了也可以把它用來設計其它類型的芯片。現在又可以用來設計PFC、正激、LLC等拓撲，太強大了，建議初學者多花點時間學習學習。

小結

以上就是反激變壓器的工作狀态和KRP的定性分析，當然如果詳細分析起來還有更多的内容，如PFC、正激類的輸出電感等，這些内容都可用KRP來描述，總體來說沒有那麼高深莫測，隻是作為不同的應用時，側重點也有所不同，隻要勤于鑽研和實踐，這對大家來說将不是什麼難題。

P作為反激變壓器中的靈魂參數，該如何對其進行取舍，值得我們深入探讨。

首先先對文章當中的将要提到的一些名詞進行解釋。

1）工作模式：即電感電流工作狀态，一般分DCM、CCM、BCM三種（定性分析）；

2）KRP：描述電感電流工作狀态的一個量（定量計算）。

KRP定義：

KRP的意義：

隻要原邊電感電流處于連續狀态，都稱之為CCM模式。而深度CCM模式(較小紋波電流)與淺度CCM模式(較大紋波電流)相比較，電感量相差好幾倍，而淺度CCM模式與BCM、DCM模式的各種性能、特點可能更為相似。顯然需要一個合适的參數來描述所有電感電流的工作狀态。通過設置KRP值，可以把變壓器的電感電流狀态與磁性材料、環路特性等緊密聯系起來。我們也可以更加合理的評估産品設計方案，例如：

KRP較大時(特别是DCM模式)，磁芯損耗一般較大(NP較小)，氣隙較小(無氣隙要求，僅滿足LP值)，LP較小，漏感會較大，紋波電流較大(電流有效值較高)；

KRP較小時(特别是深度CCM模式)，磁芯損耗一般較小(NP較大)，氣隙較大(有氣隙要求，平衡直流磁通)，LP較大，漏感會較小，紋波電流較小(電流有效值較低)；

注：KRP較小時，氣隙也是可以做到較小，但這需要更大的磁芯和技巧；KRP較大時，磁芯損耗也是可以做的較小，但這同樣需要更大的磁芯和技巧。

這裡說一點題外話，大部分人通常認為，相同磁芯、開關頻率，DMAX，DCM模式比CCM模式下的輸出功率更大；其實這是不完全對的（至少不符合實際，因為需要限制DMAX，導緻空載容易異常），原因在于DCM模式下磁芯損耗會超出你的想象（電應力也會如此）；DCM模式下，如果想大幅度降低磁芯損耗，唯一的方法是增大NP，而過大的NP會與LP形成現實沖突（DCM模式下，LP一般較小），造成磁芯氣隙超出你的想象（漏感也會如此）；有沒有方法解決這種現實矛盾？答案應該是肯定的，即選擇合适的磁芯結構，如長寬比小且AE大的磁芯（PQ、POT系列），或許會比長寬比大且AE小的磁芯（EER、EEL系列）更加有優勢。（補充：在DCM模式下，如果限制DMAX，則會比CCM模式下輸出更大的功率）。

KRP較大時，增大DMAX可以在一定程度上降低原邊的紋波電流及有效電流值，但是次級的電流應力會更加惡劣，這種方法（增大/減小DMAX）隻适合平衡初次級的電壓、電流應力，應該不是一種很好的設計手段。

KRP較大時，空載啟動困難，特别是低壓大電流輸出，且空載無跳頻（寬範圍AC輸入時尤其如此，如3.3V10A，特别是超低壓輸入）；KRP較小時，開關損耗較大，特别是高壓小電流輸出，且開關頻率較高（窄範圍AC輸入時尤其如此，如100V0.5A，特别是超高壓輸入）；

注：非低壓大電流産品（如12V5A），KRP較大時，DMAX不能設計的過小，否則空載也會啟動困難，且空載無跳頻（寬範圍AC輸入時尤其如此）；超低壓輸入産品（如12V輸入），KRP應該較小，且開關頻率也不能過高，否則LP過小（漏感過大）無法正常工作（或者效率極低）。

KRP較大時，動态響應較快，環路補償比較容易（特别是采用電流模式控制）；KRP較小時，動态響應較慢，環路補償相對困難（特别是采用電壓模式控制）。

KRP較大時，電感電流斜率較急，CS采樣端對噪聲影響不明顯；KRP較小時，電感電流斜率較緩，CS采樣端可能會受到噪聲影響。

注：電流模式芯片通常會比電壓模式控制芯片的性能更加優異，但并非所有情況下都是如此。如果輸入電壓較高，輸出功率較小，電流模式芯片可能無法檢測CS電壓，低壓大電流輸出産品在空載時也會出現這種情況（再次強調，寬範圍AC輸入，低壓大電流輸出〈甚至非大電流輸出産品〉，如果KRP較大，DMAX又較小，空載極有可能出問題，或許輕載降頻、提高VCC都不一定有效，但是采用某些電壓模式控制芯片，可能會避免此問題）。低壓輸入，輸出功率很大時，電感電流斜率較緩，CS采樣電壓（電阻/互感器）可能很容易受到幹擾，如果負載變化較大，也可能會因此CS端采樣異常。也不是所有電流模式芯片均比電壓模式芯片優秀，這需要綜合考慮各種因素，包括外圍電路的複雜程度。

超高壓輸入時，KRP應該設置較大（最好是QR模式），開關損耗會較低；超低壓輸入時，KRP應該設置較小（最好是深度CCM模式），漏感會較低；

KRP選取法則：

電感紋波電流如何設置，主要取決于輸入電壓範圍、輸入電壓幅度、輸出電壓幅度、輸出電流範圍、漏感百分比（氣隙）四個量。

1）寬範圍輸入時，盡量選擇深度CCM模式；

注：在所有輸入電壓範圍内，功率器件的電壓電流應力會有一個較好的折中；

2）輸入電壓非常低時（如12/24V），請選擇深度CCM模式（KRP≤0.40）；

注：此時如何降低漏感擺在第一位，深度CCM模式下，自然會獲得最小的漏感量；

3）輸入電壓非常高時（如400VDC），請選擇DCM模式（或者QR模式）；

注：此時如何降低開關損耗擺在第一位，在QR模式下，自然會獲得最小開關損耗；

4）輸出電壓非常高時，請選擇DCM模式（或者QR模式）；

注：此時如何降低開關損耗擺在第一位，在QR模式下，自然會獲得最小開關損耗；

5）輸出電流非常大時，盡量選擇CCM模式，KRP值視輸入電壓範圍及幅值決定；

注：CCM模式下，峰值電流、紋波電流、有效電流都會相對較小，且盡量避免采用單個肖特基二極管去處理高有效值電流，也要想辦法去避免空載問題；

6）小電流輸出，盡量采用DCM（QR）模式；

注：功率小，效率較高。

7）如果要求最小漏感設計，盡量選擇CCM模式，KRP盡可能的小；

8）采用較小磁芯輸出較大功率的前提條件是：較小DMAX、較高電感紋波電流（有效電流），空載問題好解決；

9）KRP小于0.66時，電感電流峰值、有效值，不再跟随KRP值的減小而明顯減小，但是Bdc及氣隙上升非常明顯；KRP小于0.40時，電感電流紋波電流将會出現過小而導緻CS采樣困難，且飽和的10電感電流上升不明顯；

10）如果設置BCM模式下的LP=1，其他工作條件不變，則：

KRP=1.00，LP=1；

KRP=0.66，LP=2；

KRP=0.50，LP=3；

KRP=0.40，LP=4；

KRP=0.33，LP=5。

我們可以研究不同KRP值下，磁芯的Bdc、Lg的變化趨勢，甚至可以更換不同的磁芯來滿足電氣參數設計（KRP、DMAX、LP均不會發生改變）。如此一來，KRP（電氣參數）将會與磁芯參數形成緊密的聯系，方便量化分析。通過不同的電感紋波電流，來讓我們知道變換器到底需要什麼樣的磁芯設計參數（包括磁芯選型）。而不是先來設計變壓器參數，然後自動生成KRP等電氣參數。

簡單的理解，就是先設計好電氣參數，如初次級的電壓、電流應力，評估各種損耗溫升，考慮到PWM芯片、MOS、二極管各種的特點（先選好），讓反激變換器工作在最佳的工作狀态。根據這個最佳的電氣參數，我們來設計變壓器參數，如NP、NS、氣隙等等，最後通過更換磁芯或是微調變壓器的結構設計，讓整個變換器都工作在最合理的狀态。如果開頭就進行變壓器設計，會導緻我們産品優化的餘地較小（不得不重新計算或是申請樣品）。

不過，不得不承認，每一個人的學習經曆往往很不同，屬于自己的最佳設計流程，應該是自己最熟練、最能理解的哪一種。那是一種積累、一種磨練，千萬不要輕易去否定。這裡提供的方法隻是其中一種，諸多技巧中，如果覺得好就用，不好就不用。

KRP的别名：KRF、r，它們之間存在換算關系，建議參考相關資料；

如果設置BCM模式下的LP=1，其他工作條件不變，則：（磁芯、匝數比不變，否則無法完成對此；NP的變化不會改變DMAX、電壓、電流應力，NP主要是影響磁芯參數設計）。

釋疑：

1）KRP從1.00下降至0.66時，峰值電流的下降非常明顯，當KRP從0.66向0.33下降時，峰值電流的下降幅度非常有限；

2）KRP從1.00下降至0.33時，紋波電流的下降一直非常明顯，與LP的變化趨勢剛好相反（I=V*TON/LP）；

3）KRP從1.00下降至0.66時，有效電流的下降非常明顯，當KRP從0.66向0.33下降時，有效電流的下降幅度非常有限；

4）KRP從1.00下降至0.33時，BDC急劇增大，氣隙的大小與磁性元件的設計有關，由于對比中的NP會有所不同，所以氣隙、BDC、BAC的變化趨勢僅僅是起有限的參考作用；

關于BDC、BAC的變化趨勢（二者是由哪些量決定的）分析見《開關電源手冊》，其中有詳細描述：

①外加的伏秒值、匝數、磁芯面積決定了交變磁通量（BAC）； VTon(n) Np Ae→△B；

②直流平均電流值、匝數、磁路長度決定了直流磁場強度（BDC）； Idc Np Le(lg)→Hdc；

③加氣隙和不加氣隙，磁芯飽和磁感應強度是一樣的，但加氣隙的磁芯能顯著減小剩磁Br，另外，加氣隙可以承受大的多的直流電流。

5）KRP從1.00下降至0.33時，由于BDC、LP急劇增大，所以NP也會較大，間接導緻導緻BAC較小；

6）KRP從1.00下降至0.33時，LP的變化範圍非常有意思，注意是整數倍，這為我們評估變壓器的設計提供了極好的參考依據，我們可以一開始就設計在臨界模式，并且将臨界LP作為參考數值。需要明白，在保持匝數比（DMAX）不變的情況下，産品中的各種電壓應力不會有任何改變（DMAX決定了電壓應力，也不能夠大幅度改變，隻适合微調）。我們可以通過研究KRP（LP）變化時，各種電流應力與磁芯參數的變化趨勢，最終找出最優設計；

7）采用此方法設計變壓器時，建議采用V*TON，而不是I²*LP，因為DMAX(決定TON)幾乎是固定量變化不大，而LP可以是變化量（由KRP決定），變化量非常大，優化分析時也比較簡單；

8）需要認真理解NP與LP不是線性關系，也要完全明白氣隙的計算公式；

9）進行KRP及變壓器設計時，需要緊密聯系各種參數（電壓、電流應力，磁性參數），然後進行系統分析。這是我極力推薦大家采用軟件的主要原因，手工計算極易出錯、慢、且無法對全局進行優化分析；

10）關于KRP的相關介紹，可以參考PI的相關設計資料；關于KRF的相關介紹，可以參考飛兆的相關設計資料；關于r的相關介紹，可以參考《精通開關電源設計》；關于KRP，其他公司也有各種不同的描述，但他們要表達的意思其實都差不多。

控制模式：電壓型、電流型、ON/OFF開關控制（RCC）電壓型控制典型芯片：SG3524/3525、TOP22X/23X/24X等等。

電流型控制典型芯片：TL494、UC3842/3/4/5、NCP1200、NCP1337等等 ON/OFF開關控制典型芯片：TNY系列，RCC變換器，安森美有個系列好像也是的 聲明：後續可能還會直接引用一些PI的資料，特别是設計流程、軟件操作、芯片資料、包括部分設計思路等等，并不代表PI的設計理念比其他公司更優秀，僅僅是我更熟悉些而已，而且這些資料都有中文版本，内容詳實，方便初學者追根溯源。

PI的變壓器設計軟件其實是非常不錯的入門工具，熟練了也可以把它用來設計其它類型的芯片。現在又可以用來設計PFC、正激、LLC等拓撲，太強大了，建議初學者多花點時間學習學習。

小結

以上就是反激變壓器的工作狀态和KRP的定性分析，當然如果詳細分析起來還有更多的内容，如PFC、正激類的輸出電感等，這些内容都可用KRP來描述，總體來說沒有那麼高深莫測，隻是作為不同的應用時，側重點也有所不同，隻要勤于鑽研和實踐，這對大家來說将不是什麼難題。

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