G：gate栅極；S：source 源極；D：drain 漏極。N溝道的電源一般接在D，輸出S，P溝道的電源一般接在S，輸出D。增強耗盡接法基本一樣。

這是MOS管熱釋電紅外傳感器，那個矩形框是感應窗口，G腳為接地端，D腳為内部MOS管漏極，S腳為内部MOS管源極。在電路中，G接地，D接電源正，紅外信号從窗口輸入，電信号從S輸出。

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判斷栅極G

MOS驅動器主要起波形整形和加強驅動的作用：假如MOS管的G信号波形不夠陡峭，在電瓶切換階段會造成大量電能損耗其副作用是降低電路轉換效率，MOS管發燒嚴峻，易熱損壞MOS管GS間存在一定電容，假如G信号驅動能力不夠，将嚴峻影響波形跳變的時間。

将G-S極短路，選擇萬用表的R×1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應為幾歐至十幾歐。若發現某腳與其字兩腳的電阻均呈無限大，并且交換表筆後仍為無限大，則證實此腳為G極，由于它和另外兩個管腳是絕緣的。

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判斷源極S、漏極D

将萬用表撥至R×1k檔分别丈量三個管腳之間的電阻。用交換表筆法測兩次電阻，其中電阻值較低（一般為幾千歐至十幾千歐）的一次為正向電阻，此時黑表筆的是S極，紅表筆接D極。因為測試前提不同，測出的RDS（on）值比手冊中給出的典型值要高一些。

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關于MOS管

晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管，或NMOS。P-channel MOS（PMOS）管也存在，是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。

無論N型或者P型MOS管，其工作原理本質是一樣的。MOS管是由加在輸入端栅極的電壓來控制輸出端漏極的電流。MOS管是壓控器件它通過加在栅極上的電壓控制器件的特性，不會發生像三極管做開關時的因基極電流引起的電荷存儲效應，因此在開關應用中，MOS管的開關速度應該比三極管快。

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場效應管的名字也來源于它的輸入端（稱為gate）通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化矽來作為GATE極下的絕緣體。

這種晶體管稱為金屬氧化物半導體（MOS）晶體管，或，金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。因為MOS管更小更省電，所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體

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