半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm範圍内)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類，元素半導體指矽、鍺單一元素形成的半導體，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半導體。随着無線通信的發展，高頻電路應用越來越廣，今天我們來介紹适合用于射頻、微波等高頻電路的半導體材料及工藝情況。

砷化镓GaAs

砷化镓的電子遷移速率比矽高5.7 倍，非常适合用于高頻電路。砷化镓組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數的電氣特性均遠超過矽組件，空乏型砷化镓場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80 %的功率增加效率(PAE: power addedefficiency)，非常的适用于高層(high tier)的無線通訊中長距離、長通信時間的需求。

砷化镓元件因電子遷移率比矽高很多，因此采用特殊的工藝，早期為MESFET 金屬半導體場效應晶體管，後演變為HEMT ( 高速電子遷移率晶體管)，pHEMT( 介面應變式高電子遷移電晶體)目前則為HBT ( 異質接面雙載子晶體管)。異質雙極晶體管(HBT)是無需負電源的砷化镓組件，其功率密度(power density)、電流推動能力(current drive capability)與線性度(linearity)均超過FET，适合設計高功率、高效率、高線性度的微波放器，HBT 為最佳組件的選擇。而HBT 組件在相位噪聲，高gm、高功率密度、崩潰電壓與線性度上占優勢，另外它可以單電源操作，因而簡化電路設計及次系統實現的難度，十分适合于射頻及中頻收發模塊的研制，特别是微波信号源與高線性放大器等電路。

砷化镓生産方式和傳統的矽晶圓生産方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技術制造，這種磊晶圓的直徑通常為4-6 英寸，比矽晶圓的12 英寸要小得多。磊晶圓需要特殊的機台，同時砷化镓原材料成本高出矽很多，最終導緻砷化镓成品IC 成本比較高。磊晶目前有兩種，一種是化學的MOCVD，一種是物理的MBE。

氮化镓GaN

在寬禁帶半導體材料中，氮化镓(GaN)由于受到缺乏合适的單晶襯底材料、位錯密度大等問題的困擾，發展較為緩慢，但進入90年代後，随着材料生長和器件工藝水平的不斷發展，GaN半導體材料及器件的發展十分迅速，目前已經成為寬禁帶半導體材料中耀眼的新星。

GaN半導體材料的應用首先是在發光器件領域取得重大突破的。1991年，日本日亞(Nichia)公司首先研制成功以藍寶石為襯底的GaN藍光發光二極管(LED)，之後實現GaN基藍、綠光LED的商品化。該公司利用GaN基藍光LED和磷光技術，開發出了白光發光器件産品，具有高壽命、低能耗的特點。此外，還首先研制成功GaN基藍光半導體激光器。

用GaN基高效率藍綠光LED制作的超大屏幕全色顯示，可用于室内室外各種場合的動态信息顯示。高效率白光發光二極管作為新型高效節能固體光源，使用壽命超過10萬小時，可比白熾燈節電5～10倍，達到了節約資源、減少環境污染的雙重目的。目前，GaN基LED的應用十分廣泛，您每天都可能會見到它的身影，在交通信号燈裡、彩色視頻廣告牌上、小孩的玩具中甚至閃光燈裡。GaN 基LED的成功引發了光電行業中的革命。GaN基藍光半導體激光器主要用于制作下一代DVD，它能比現在的CD光盤提高存儲密度20倍以上。

利用GaN材料，還可以制備紫外(UV)光探測器，它在火焰傳感、臭氧檢測、激光探測器等方面具有廣泛的應用。此外，在電子器件方面，利用GaN材料，可以制備高頻、大功率電子器件，有望在航空航天、高溫輻射環境、雷達與通信等方面發揮重要作用。例如在航空航天領域，高性能的軍事飛行裝備需要能夠在高溫下工作的傳感器、電子控制系統以及功率電子器件等，以提高飛行的可靠性，GaN基電子器件将起着重要作用，此外由于它在高溫工作時無需制冷器而大大簡化電子系統，減輕飛行重量。

磷化铟InP

磷化铟是繼矽和砷化镓之後又一重要的Ⅲ一V族化合物半導體材料，幾乎在與鍺、矽等第一代元素半導體材料的發展和研究的同時，科學工作者對化合物半導體材料也開始了大量的探索工作。

磷化铟(InP)作為一種新型半絕緣晶片，它的出現對于改善和提高InP基微電子器件的性能具有重要的意義。這種通過高溫退火工藝所制備的半絕緣晶片既保持了傳統原生摻鐵襯底的高阻特性，同時鐵濃度大幅降低，電學性質、均勻性和一緻性顯著提高。目前半絕緣類型InP襯底的生産質量亟待改善和提高。

原生半絕緣InP是通過在單晶生長過程中摻入鐵原子來制備的。為了達到半絕緣化的目的，鐵原子的摻雜濃度較高，高濃度的鐵很可能會随着外延及器件工藝過程發生擴散。而且由于鐵在磷化铟中的分凝系數很小，InP單晶錠沿生長軸方向表現出明顯的摻雜梯度，頂部和底部的鐵濃度相差一個數量級以上，由其切割成的單晶片的一緻性和均勻性就很難保證。就切割成的單個InP晶片而言，由于受生長時的固液界面的影響，鐵原子從晶片中心向外呈同心圓狀分布，這顯然也不能滿足一些器件應用的需要。所有這些因素是目前制約半絕緣磷化铟單晶片生産質量的最大障礙。

最近幾年國内外的研究表明，通過在一定氣氛下高溫退火處理低阻非摻雜InP晶片所獲得的半絕緣襯底可以克服上述問題。在InP晶體中，半絕緣的形成機理大緻可概括為兩個方面：一是通過摻入深受主(元素)補償淺施主來實現半絕緣态，原生摻鐵的半絕緣磷化铟就屬于這種情況;另一種是通過新缺陷的形成使淺施主的濃度降低，同時駐留的深受主(元素)也發生補償，非摻雜半絕緣磷化铟就屬于這一類，這種新缺陷可以在高溫退火以及輻照等過程中形成。根據這個思路，中科院半導體所的有關科研人員采取了三個步驟來制備非摻雜半絕緣磷化铟襯底：首先用液封直拉法拉制高純低阻非摻雜磷化铟單晶(表面為低阻)，然後将其切割成一定厚度的晶片并封裝在石英管内，最後在合适的氣氛條件下進行高溫退火處理。研究人員分别在純磷氣氛和磷化鐵氣氛下進行了數十次退火比較實驗。經過對比測試和分析發現，在磷化鐵氣氛下退火制備的半絕緣磷化铟晶片不僅缺陷少，而且具有良好的均勻性。

為了進一步研究這種退火襯底對相鄰外延層的實際影響，研究人員使用分子柬外延技術分别在原生摻鐵的和磷化鐵氣氛退火制備的半絕緣磷化铟襯底上生長了相同的InAlAs外延層。測試結果表明後者更有利于生長具有良好結晶質量的外延層。此外對這兩種襯底分别注入同樣劑量的Si 離子和快速退火後，霍爾測試結果證實，後者可以較大幅度提高注入離子的激活效率。

磷化铟晶片常用于制造高頻、高速、大功率微波器件和電路以及衛星和外層空間用的太陽能電池等。在當前迅速發展的光纖通信領域，它是首選的襯底材料。另外InP基器件在IC和開關運用方面也具有優勢。這種新型半絕緣磷化铟晶片的研制成功，将在國防和高速通信領域發揮重要作用。中國電子科技集團第十三研究所使用這種新型半絕緣磷化铟純磷襯底成功制作了工作頻率達100GHz的高電子遷移率晶體管。

鍺矽SiGe

1980 年代IBM 為改進Si 材料而加入Ge，以便增加電子流的速度，減少耗能及改進功能，卻意外成功的結合了Si 與Ge。而自98 年IBM 宣布SiGe 邁入量産化階段後，近兩、三年來，SiGe 已成了最被重視的無線通信IC 制程技術之一。

依材料特性來看，SiGe 高頻特性良好，材料安全性佳，導熱性好，而且制程成熟、整合度高，具成本較低之優勢，換言之，SiGe 不但可以直接利用半導體現有200mm 晶圓制程，達到高集成度，據以創造經濟規模，還有媲美GaAs 的高速特性。随着近來IDM 大廠的投入，SiGe 技術已逐步在截止頻率(fT)與擊穿電壓(Breakdown voltage)過低等問題獲得改善而日趨實用。

目前，廈門曠時科技有限公司所研發的RF24LTR11是一款采用鍺矽工藝高集成的24GHz毫米波雷達收發器芯片，具低功耗和小體積等優勢，适合運用于汽車BSD、無人機定高、智能家居及智慧路燈等領域。

SiGe 既擁有矽工藝的集成度、良率和成本優勢，又具備第3 到第5 類半導體(如砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP))在速度方面的優點。隻要增加金屬和介質疊層來降低寄生電容和電感，就可以采用SiGe 半導體技術集成高質量無源部件。此外，通過控制鍺摻雜還可設計器件随溫度的行為變化。SiGe BiCMOS 工藝技術幾乎與矽半導體超大規模集成電路(VLSI)行業中的所有新技術兼容，包括絕緣體矽(SOI)技術和溝道隔離技術。

不過矽鍺要想取代砷化镓的地位還需要繼續在擊穿電壓、截止頻率、功率消耗方面努力。

RFCMOS

RFCMOS 工藝可分為兩大類：體矽工藝和SOI(絕緣體上矽)工藝。由于體矽CMOS 在源和漏至襯底間存在二極管效應，造成種種弊端，多數專家認為采用這種工藝不可能制作高功率高線性度開關。與體矽不同，采用SOI 工藝制作的RF 開關，可将多個FET 串聯來對付高電壓，就象GAAS 開關一樣。

盡管純矽的CMOS 制程被認為僅适用于數字功能需求較多的設計，而不适用于以模拟電路為主的射頻IC 設計，不過曆經十幾年的努力後，随着CMOS 性能的提升、晶圓代工廠在0.25mm 以下制程技術的配合、以及無線通信芯片整合趨勢的引領下，RFCMOS 制程不僅是學界研究的熱門課題，也引起了業界的關注。采用RFCMOS 制程最大的好處，當然是可以将射頻、基頻與存儲器等組件合而為一的高整合度，并同時降低組件成本。但是症結點仍在于RFCMOS 是否能解決高噪聲、低絕緣度與Q 值、與降低改善性能所增加制程成本等問題，才能滿足無線通信射頻電路嚴格的要求。

Utra COMSSOI 的一個特殊子集是藍寶石上矽工藝，在該行業中通常稱為Ultra CMOS。藍寶石本質上是一種理想的絕緣體，襯底下的寄生電容的插入損耗高、隔離度低。Ultra CMOS 能制作很大的RF FET，對厚度為150~225μm 的正常襯底，幾乎不存在寄生電容。晶體管采用介質隔離來提高抗闩鎖能力和隔離度。為了達到完全的耗盡工作，矽層極薄至1000A。矽層如此之薄，以緻消除了器件的體端，使它成為真正的三端器件。

盡管單個開關器件的BVDSS 相對低些，但将多個FET 串聯堆疊仍能承愛高電壓。為了确保電壓在器件堆上的合理分壓，FET 至襯底間的寄生電容與FET 的源與漏間寄生電容相比應忽略不計。當器件外圍達到毫米級使總電阻較低時，要保證電壓的合理分壓，真正的絕緣襯底是必不可少的。

Si BiCMOS以矽為基材的集成電路共有Si BJT(Si-Bipolar Junction Transistor)、Si CMOS、與結合Bipolar與CMOS 特性的Si BiCMOS(Si Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)等類。由于矽是當前半導體産業應用最為成熟的材料，因此，不論在産量或價格方面都極具優勢。傳統上以矽來制作的晶體管多采用BJT 或CMOS，不過，由于矽材料沒有半絕緣基闆，再加上組件本身的增益較低，若要應用在高頻段操作的無線通信IC 制造，則需進一步提升其高頻電性，除了要改善材料結構來提高組件的fT，還必須藉助溝槽隔離等制程以提高電路間的隔離度與Q 值，如此一來，其制程将會更為複雜，且不良率與成本也将大幅提高。

因此，目前多以具有低噪聲、電子移動速度快、且集成度高的Si BiCMOS 制程為主。而主要的應用則以中頻模塊或低層的射頻模塊為主，至于對于低噪聲放大器、功率放大器與開關器等射頻前端組件的制造仍力有未逮。

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