micro LED技術下的LED顯示産業，正在迎來關鍵的一跳：即，巨量轉移技術的成熟應用。作為下一代LED顯示大屏兩大支柱技術，micro 巨量轉移，被認為是行業市場化大門能夠打開的密碼。

但是，如此重要的技術上，LED顯示産業不同企業可能面臨的需求卻也截然不同。或者說，巨量轉移很可能是一大類技術的總稱。這一點對于市場而言，意味着不同類型的Micro LED顯示産品，面臨的“巨量轉移”難度顯著不一樣。即，從技術上講，LED晶體micro化是通用的技術，巨量轉移則是産品型定制技術。這一點将顯著影響下一代LED顯示産業的發展趨勢。

巨量轉移的最新發展

6月份，利亞德“黑鑽”系列Micro-LED新品發布，利亞德表示，其巨量轉移良率大幅提升，PCB基巨量良率已提升至99.995%，半導體級轉移良率邁向99.999%，轉移效率1000-1500顆/秒。

同期，深康佳也在機構調研中透露，自主開發的“混合式巨量轉移技術”，轉移良率達99.9%，試産階段效果較好；維信諾參股公司成都辰顯Micro-LED中試線巨量轉移良率達到99.95%，持續向量産推進；鴻利智彙表示公司内部的巨量轉移良品率為99.99%；

另外，7月初，大族激光在一則調研公告回複中表示，自主研發的Micro－LED巨量轉移設備正在Micro Led行業龍頭客戶處驗證，目前驗證過程已接近尾聲，驗證通過後有望實現銷售。

種種信息表明，行業在巨量轉移技術上的努力在持續前進，市場化的産品渴望在未來兩三年内大量出現。這也是LED顯示在大屏端向p0.5間距以下指标前進、在小屏端，如車載、手機、穿戴設備、甚至XR市場獲得成功的關鍵瓶頸。以巨量轉移突破為前提，LED顯示産業可以打開截然不同的新視界的大門。

不同産品對巨量轉移的定義和要求不同

是不是micro LED顯示就一定需要“巨量轉移技術”呢？對于這一點，一些人士是存在一定誤解的！

例如，當P1.0以上間距LED顯示屏，疊代向mini/micro級别的LED晶體顆粒的時候，依然可以采用傳統的RGB三元色燈珠封裝方式。即完全傳統的做法依然有效。但是，如果采用一定的巨量轉移工藝，如LED顆粒的提取、轉移、固定技術，無論是RGB三原色燈珠，還是四合一的更大規模燈珠闆，其效率都會提升。

同時，與标準的巨量轉移不同，如果目标是三原色燈珠、或者四合一燈珠闆，其對于“巨量轉移後端的修複設備與技術”的需求就會很低——一個基礎産品隻集成三個、或者十餘個LED晶體，出現不合格情況“報廢”是最簡單的操作，當然也可以進行修複處理（何種選擇主要看經濟性）。這方面典型的應用是國星光電的多合一燈珠，和其剛剛推出的新型MIP（Micro LED in Package）封裝器件方案。

當然，在P0.5-p2.0間距的LED顯示大屏上，巨量轉移技術的應用可以是完整體。如直接制備10*10厘米的CELL單元，其上集成數萬，甚至數十萬個LED晶體顆粒。這時候在後端的檢測和修複工藝，就成了必須的環節。尤其是是在巨量轉移缺陷率在十萬分之一到百萬分之一水平上時，CELL單元需要修複的概率很高。利亞德、三星等推出的micro LED顯示産品采用這種方案技術。不過在LED大屏上采用完整的巨量轉移技術流程，意味着對既有的表貼為核心的終端制程的颠覆與替代。其市場推廣難度不僅是技術上的、也包括投資端和産業鍊利益重新分配方面的。

但是，如果micro LED顯示應用在穿戴設備上，其要求可能是1-2英寸的基闆上，轉移百萬顆單位的燈珠。這時候，對巨量轉移的效率、準确度和缺陷率、檢測和修複技術的要求，就是另一個數量級的問題。即應用于越小尺寸的micro LED顯示産品，其對巨量轉移的“規模和精度”要求也就越高。

然而，在大尺寸顯示上，巨量轉移技術也有獨特的難度：即從矽基闆等上提取LED顆粒之後，顆粒間距擴張吃寸，在大尺寸顯示上會更大。比較而言，如果micro LED應用于XR等近眼顯示，則幾乎沒有晶體顆粒間距擴張問題——甚至micro LED微型近眼顯示，可以采用非巨量轉移，而是驅動結構和發光結構在同一塊矽基晶圓上分層制造的技術實現。

如上介紹，因為顯示目标産品的顯示尺寸、像素密度和間距的不同，對巨量轉移技術及其配套技術的要求也會截然不同。——差異巨大的巨量轉移在不同目标市場的需求，也就是技術難度的不同。後者導緻在越是像素密度低的、越是大尺寸LED顯示産品上，巨量轉移現階段的技術成熟度，可商用性就越強。

從低難度到高難度，巨量轉移商用的路徑

Micro LED商用的重要條件是巨量轉移技術的日益成熟。但是如上文所講不同的産品目标，巨量轉移的難度截然不同：

多合一燈珠采用一些巨量轉移前端設備和技術提升效率，目标産品集成度是幾十顆燈珠、大屏拼接用LED模組的CELL單元，則是幾萬到幾十萬個燈珠、穿戴設備等小尺寸顯示的目标産品單元基闆需要轉移數百萬到數千萬顆燈珠——這些應用中，LED晶體顆粒需要裂縫的距離也相差巨大，檢測和修複技術的難度也截然不同。

所以，micro LED導向市場的過程，一定存在着一個“由易到難”的過程。即，今天市場成功應用巨量轉移、一定規模商業化的産品，集中在小間距和微間距的LED顯示大屏産品上。究其根源是因為這些産品每一片CELL的LED晶體集成量更小，實現巨量轉移的難度也就更小，在同等轉移速度下一個完整終端産品的制備時間周期也就更短。

即，99.95%的巨量轉移良率，顯然無法滿足穿戴設備、車載屏幕的需求，但是卻足以滿足LED小間距大屏的生産需求。

對比于傳統的小間距LED顯示而言，采用micro LED 巨量轉移的優勢很明顯：在巨量轉移效率、良率和其檢測、修複技術更為成熟的背景下，高像素密度的小間距和微間距LED顯示，通過采用micro技術可以降低LED晶圓端60%的成本；相對于表貼工藝，巨量轉移的更高生産效率和産品效果特性，在未來也意味着更低的成本，更短的産業鍊流程，更高的産品光學品質；且巨量轉移對比表貼，更适合與玻璃材質的TFT驅動基闆結合——後者在P1.0間距以下市場，對比傳統高精度PCB闆也擁有“成本優勢”。

綜上所述，雖然巨量轉移還是一種不夠成熟的技術，但是并不意味着對小間距LED和微間距LED大屏“不足以實用”化。小間距LED顯示企業已經到了需要布局和大規模引入巨量轉移技術的曆史性時刻。在未來的行業應用競争中，micro 巨量轉移或許将是行業格局改變的重要砝碼。

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