芯片内部就是很多個pn結組成嗎?芯片制造工藝第三集-PN結（為什麼二極管能單向導電？），下面我們就來說一說關于芯片内部就是很多個pn結組成嗎?我們一起去了解并探讨一下這個問題吧!

芯片内部就是很多個pn結組成嗎

芯片制造工藝第三集-PN結（為什麼二極管能單向導電？）

在半導體制造工藝的第二集，我們通過摻雜工藝向晶圓中注入了離子，還提到了P-N結。

這一集，解釋什麼叫P-N結 ，順便把之前兩集沒有講清楚的地方講明白。

半導體材料按純度可以分為兩類，本征半導體和雜質（摻雜）半導體，本征半島體不含雜質，導電性很差。雜質半導體的導電性能好。

純度達到99.99999999。。。的矽晶圓可以被看作本征半導體，因此制作芯片的時候，我們要通過摻雜工藝注入離子，把它變為za雜質半導體，增強導電性。

依據注入的離子所帶的外層電子的數量，雜質半導體分為N型和P型

注入的離子外層電子比矽多一個，這塊半導體就是N型（砷，磷，銻）。

注入的離子外層電子比矽少一個，那麼就是P型（硼）。

矽的外層電子有四個，我們第一集注入了磷，磷的外層電子有五個 ，其中四個和矽形成穩定的共價鍵，多出來的一個成為了自由電子。這是N型矽。

我們再往另外一邊注入硼，硼的外層電子有3個，都和矽形成共價鍵，這裡還空出 一個位置，我們稱為空穴。這是P型矽。

P型矽和N型矽的交集區域我們稱為PN結。

在半導體領域，能自由運動的帶電粒子也就是空穴和電子都被稱為“載流子”

那你就要問了，空穴不就是個失去電子的空地兒嗎，怎麼可以自由運動呢？

這隻是一個人為的定義，我現在讓電子運動起來，你看，是不是可以理解為空穴在反向運動？

所有載流子，電子和空穴，都有從高濃度向低濃度流動的傾向。所以N型矽中的電子，會向電子濃度低的的P型矽移動。P型矽中的空穴則會反向運動。

本來兩側都是電中性，由于載流子的移動，左邊這個位置，得到額外的電子，帶上負電。同樣的道理，右邊失去電子帶上正電。

你看，在NP交界的位置，N型矽失去了自由電子，P型矽失去了空穴，它們都不再擁有可以自由運動的載流子，這個載流子被耗盡的區域我們稱為耗盡區，也叫勢壘區。

如果剩下的載流子們還要遷徙，就需要外部提供足夠的能量讓它們能夠穿過這個耗盡區。

當半導體兩端這樣通上電時,自由電子與空穴複合,耗盡區越來越大,表現出半導體不導電.這種情況叫反向偏置。c

我們把電源倒轉，勢壘被打破，自由電子與空穴分離,形成電流，這叫正向偏置。

于是PN結就為這塊半導體材料帶來了單向導電性，這就是二極管單向導電的原理。

正向偏置打破電勢壘的過程牽涉到“能帶”與“能級“的概念，今後的視頻會再解釋。

有什麼地方看不懂請提出來，如果無法提出問題，但就是看不明白，也請告訴我，我會反思和調整自己的表達方式，也會再次确認自己是否對這部分知識理解有誤。謝謝你哦！

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