大家好,我是電器電!在前面的文章中我們留下了一個疑問,請看下圖
在Ib=0以下時說明三極管的基極斷路,那麼隻有c極和e極,這時候說明發射結不正偏這個時候對于三極管來說仍有一個很小的電流,這個電流稱之為穿透電流。用Iceo來表示。Iceo越大對三極管越不利,Iceo=(1+β)Icbo。Iceo大的管子不穩定并且對溫度特别敏感,Icbo到底是什麼會在下一篇文章中介紹。
輸出特性主要指的是當基極電流為某一定值時,集電極電壓Uce與集電極電流Ic之間的關系曲線,稱為晶體管輸出特性曲線。曲線分為三個區域
飽和區放大區和截止區分别講解
1先看放大區20uA對應1mA,40uA對應2mA,Ib與Ic呈倍數關系。由此可見在放大區Uce一定時Ib的微小變化可引起Ic較大變化。由此計算電流放大倍數β,它的大小表明三極管放大能力。從圖中可看出,Uce大于某個數(約1.5Ⅴ左右)Ic與Uce關系不大,隻有加大Ib才能增加Ic。
2在放大區左邊Uce很小時(0.1~0.3)V時發射極正偏,集電極正偏,雖然Ic很大但Ib變化時,對Ic影響極小,沒有放大作用稱為飽和區。前面一節講過飽和區ce之間相當于Ib控制下的可調電阻。
3在Ib=0以下的區域稱為截止區Ic=0晶體管兩個pN結反偏截止,三極管無放大作用。
三極管的極限參數
三極管使用時應注意集電極電流不超過集電極最大允許電流Icm,集電極電流和電壓的乘積集電極最大允許功率損耗,用公式表示為:Pcm=Uce x Icm式中可看出Uce一定,Icm越大最大允許功率損耗Pcm越大。發射結和集電結反向電壓不得超過相應的反向擊穿電壓,并留有一定的餘量。極限參數還有ce之間擊穿電壓U(BR)CEO,Pcm和Icm如圖所示
Icm上面為過流區,Pcm右面為過載區豎線代表UcEo,右面為過壓區。所以在三極管工作時避免進入這三個區,最後非常感謝大家的收看!
,更多精彩资讯请关注tft每日頭條,我们将持续为您更新最新资讯!