【嘉勤點評】上海精測半導體的光學測量專利，通過将偏差指數和相關系數都納入光譜匹配度指标中，提高了光譜分析的準确度和普适性，能夠基于量測結果的異常判斷結果在線監測半導體加工工藝是否達标，大幅提高了半導體加工良率判斷的準确度。

集微網消息，近日上海精測半導體第三批前道光學測量設備從新廠順利出貨，再度交付于華北大客戶，為公司成立四周年生日隆重獻禮。本次輸出的EFILM®系列光學膜厚測量設備和EPROFILE®系列光學關鍵尺寸測量設備，能夠滿足多方面測量需求。

光學散射測量方法在完成待測參數提取之後，需要通過理論光譜和測量光譜的匹配程度來判斷所得結果的可靠性，常用的評價指标有兩個：偏差指數和相關系數。然而這是兩個獨立的評價标準，傳統的光學散射測量的分析方法隻會單獨使用二者之中的一個指标對測量結果進行可靠性評價，難以獲得正确的評判結果，而且難以判斷量測結果是否可靠，導緻量測的魯棒性較差，從而不能準确判斷加工工藝是否達标。

為此，上海精測半導體于2022年1月10日申請了一項名為“一種光學測量數據分析方法、分析系統及電子設備”的發明專利（申請号: 202210022621.4），申請人為上海精測半導體技術有限公司。

圖1 光學測量數據分析方法流程示意圖

圖1為光學測量數據分析方法的流程示意圖，主要包括以下步驟：首先對多個檢測樣本進行光譜分析，獲取每個檢測樣本的光譜偏差指數和光譜相關系數；然後結合光譜偏差指數、光譜偏差指數參數、光譜相關系數和光譜相關系數參數創建光譜匹配度指标數學模型，基于數學模型計算并使得每個檢測樣本的光譜匹配度指标值均大于預設的光譜匹配度指标阈值；最後對待測件進行光譜分析，獲取待測件的光譜偏差指數和光譜相關系數，并基于數學模型計算待測件的光譜匹配度指标值，若待測件的光譜匹配度指标值大于預設光譜匹配度指标阈值，則待測件為正常件；否則，待測件為異常件。

其中物理模型的建立包括：基于檢測樣本的設計信息，如膜層堆疊結構，膜層厚度、結構寬度名義值等或者通過其他測量手段預先确定的信息，例如待測結構中所用材料的折射率建立檢測樣本的物理模型；該物理模型為依據麥克斯韋方程組或其簡化形式，實現從待測樣件特征參數(幾何參數、材料折射率等)到散射光譜計算的模型，常用的建模方法包括但不限于4×4矩陣法、嚴格耦合波分析、有限元、邊界元等。

圖2 電子設備結構示意圖

圖2為電子設備的結構示意圖，包括：處理器310、通信接口320、存儲器330和通信總線340，其中，處理器，通信接口，存儲器通過通信總線完成相互間的通信。處理器可以調用存儲器中的邏輯指令，以執行光學測量數據分析方法。

簡而言之，上海精測半導體的光學測量專利，通過将偏差指數和相關系數都納入光譜匹配度指标中，提高了光譜分析的準确度和普适性，能夠基于量測結果的異常判斷結果在線監測半導體加工工藝是否達标，大幅提高了半導體加工良率判斷的準确度。

上海精測半導體主要從事以半導體測試設備為主的研發、生産和銷售，同時也開發一部分顯示和新能源領域的檢測設備。公司已經實現半導體測試、制程設備的技術突破及産業化，未來将把公司打造成為全球優秀的半導體測試設備供應商及服務商。

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