五款無刷電機驅動電路

　　1、三相六臂全橋驅動電路

　　無刷直流電機驅動控制電路如圖1 所示。該電路采用三相六臂全橋驅動方式，采用此方式可以減少電流波動和轉矩脈動，使得電機輸出較大的轉矩。在電機驅動部分使用6個功率場效應管控制輸出電壓，四軸飛行器中的直流無刷電機驅動電路電源電壓為12 V.驅動電路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P溝道），Q4~Q6為IRFR1205（N 溝道）。該場效應管内藏續流二極管，為場效應管關斷時提供電流通路，以避免管子的反向擊穿，其典型特性參數見表1.T1~T3 采用PDTC143ET 為場效應管提供驅動信号。

由圖1 可知，A1~A3 提供三相全橋上橋臂栅極驅動信号，并與ATMEGA16單片機的硬件PWM驅動信号相接，通過改變PWM信号的占空比來實現電機轉速控制;B1~B3提供下橋臂栅極驅動信号，由單片機的I/O口直接提供，具有導通與截止兩種狀态。

無刷直流電機驅動控制采用三相六狀态控制策略，功率管具有六種觸發狀态，每次隻有兩個管子導通，每60°電角度換向一次，若某一時刻AB 相導通時，C 相截至，無電流輸出。單片機根據檢測到的電機轉子位置，利用MOSFET的開關特性，實現電機的通電控制，例如，當Q1、Q5 打開時，AB 相導通，此時電流流向為電源正極→Q1→繞組A→繞組B→Q5→電源負極。類似的，當MOSFET 打開順序分别為Q1Q5，Q1Q6，Q2Q6，Q2Q4，Q3Q4，Q3Q5時，隻要在合适的時機進行準确換向，就可實現無刷直流電機的連續運轉。

　　2、三相全橋驅動電路

　　下圖為無刷電機的三相全橋驅動電路，使用六個N溝道的MOSFET管（Q1～Q6）做功率輸出元件，工作時輸出電流可達數十安。為便于描述，該電路有以下默認約定：Q1/Q2/Q3稱做驅動橋的“上臂”，Q4/Q5/Q6稱做“下臂”。​​

圖中R1/R2/R3為Q1/Q2/Q3的上拉電阻，連接到二極管和電容組成的倍壓整流電路（原理請自行分析），為上臂驅動管提供兩倍于電源電壓（2×11V）的上拉電平，使上臂MOSFET在工作時有足夠高的VGS壓差，降低MOSFET大電流輸出時的導通内阻，詳細數據可參考MOS管DataSheet。

　　上臂MOS管的G極分别由Q7/Q8/Q9驅動，在工作時隻起到導通換相的作用。下臂MOS由MCU的PWM輸出口直接驅動，注意所選用的MCU管腳要有推挽輸出特性。

　　3、單片機控制直流無刷電動機驅動及接口電路圖

　　圖1示出采用8751單片機來控制直流無刷電動機的原理框圖。8751的P1口同7406反相器聯結控制直流無刷電動機的換相，P2口用于測量來自于位置傳感器的信号H1、H2、H3，P0口外接一個數模轉換器。​

圖1 直流無刷電動機計算機控制原理圖

　　4、電動車無刷電機控制器驅動電路圖

5、全橋驅動電路

　　無刷直流電機一般使用全橋驅動，即6個MOSFET分别構成上臂和下臂，通過MCU具有推挽輸出的IO口控制，或者使用電機驅動專用芯片控制。

　　最常用的應該是3個P-MOS 3個N-MOS，電路結構簡單。如下圖所示。

這裡使用的是MK電調V2.0版本中使用的MOSFET，P-MOS—IRFR5305、N-MOS—IRFR1205N-MOS的Vgs（th）=2V~4V，直接用工作在VCC=5V的MCU即可驅動控制，但注意IO口必須具有推挽輸出功能，否則IO口的驅動能力不夠。圖中R7/R8/R9可視為下拉電阻，使N-MOS的栅極電平有一個參考地，電平穩定不會意外導通MOSFET。R10/R11/R12電阻的作用有三個，一是減少振蕩，二是減小栅極充電的峰值電流，三是防止N-MOS的漏-源極擊穿。

　　由于MCU的IO引腳都存在雜散電感，與栅極電容串聯形成LC振蕩，加入電阻後會增大振蕩阻尼而減小振蕩；當對栅極加驅動電壓時，會對栅源電容Ciss充電，此時Vgs上升但未到達阈值電壓Vgs（th）時Vds基本不變，這段時間稱為導通延遲時間td（on）。當Vgs》Vgs（th）時，Vds下降同時id上升，這期間栅極和漏極之間的傳輸反向電容Crss開始向漏極放電，而此時栅極電流會流向該電容對其充電，但基本沒有對Ciss充電，所以Vgs基本保持不變，這段時間稱為上升時間tr，tr之後才會繼續對Ciss充電。電容充電的尖峰電流可以計算如下：I=Qg/（td tr），其中Qg=Qgs Qgd，即td tr時間内的充電電量，計算結果電流是遠大于MCu的IO口輸出驅動電流，因此通過串聯電阻，增加充電時間，即t=RC。但這會導緻Vgs的上升沿和Vds的下降沿斜率減小，影響MOSFET的開關性能，所以電阻的選取要準确。（此處理論知識分析可能不正确，我也在學習MOSFET的驅動應用原理，若有誤或需要補充會再做修改）

　　防止漏源擊穿的原因也是和電容的時間常數有關，當栅極驅動電壓快速關斷，漏源極從導通狀态變為截止狀态，Vds迅速增加，當dVds/dt過大就會擊穿器件，串聯電阻可以減緩Ciss的放電時間，使Vgs緩慢變化，因此Vds不會迅速增加。

　　P-MOS的Vgs（th）《0，源極一般加11V電壓，MCU的IO口無法正常控制P-MOS的開關，我們需要用三級管驅動栅極，三極管由IO口驅動控制。電阻R1/R2/R3上拉栅極電壓，使P-MOS能關斷。這個電阻不能太小，否則會造成三極管導通時承受過大的電流。同時電阻也不能太大，否則會增加三極管BC極間電容的充電時間，延長三極管的導通時間，進而影響P-MOS栅極電壓Vgs的上升時間。

　　三極管的選擇不能選用我們常用的8050或9013小信号的三極管，它們的耐壓和導通電流太低，所以這裡我選擇了SS8050（MK中使用的三極管找不到）。R4/R5/R6阻值的選擇無特别要求，隻要使三極管工作在飽和區即可。

文章素材來自互聯網 　　​

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