日前，在意法半導體工業巡演北京站上，意法半導體亞太區功率分立和模拟産品器件部區域營銷和應用副總裁沐傑勵Francesco Muggeri介紹了意法半導體的碳化矽産品線，Muggeri表示，意法半導體的碳化矽産品目前在汽車行業得到了大量應用，目前正在積極向工業領域進軍。

根據2019投資者關系日時透露的消息，2018年，意法半導體碳化矽的産值為一億美元，預計2019年全年将翻一倍至兩億。目前意法半導體是全球排名第一的車用碳化矽MOSFET供應商，有超過20個車廠與之合作，量産車型更是達到了10個以上。其中包括歐洲8大車廠，雷諾尼桑以及三菱等日系，現代起亞等韓系車廠都和意法有着廣泛合作。

也正是如此，意法半導體制定了中期目标，2025年碳化矽市占率超30%。

技術方面，意法半導體正在開發下一代溝槽式技術(trench technology)的碳化矽，使得器件尺寸不斷縮小。而在産線方面，一方面意法半導體并購了Norstel AB大部分股權，使得公司可以自主生産SiC外延，此外，意法半導體還和Cree-Wolfspeed簽署了多年碳化矽供貨協議，以保證穩定的産能。

“過去幾年，SiC的基材有些短缺，這也是我們積極部署産線的重要原因。這個月開始，意大利Catania工廠旁就會誕生一個全新的碳化矽工廠。此外，當我們自己來做外延的時候，我們就會變得主動，同時也不需要美國供應商來提供産品，這對中國市場非常重要。”Muggeri說道。

Muggeri強調道，在功率器件領域，意法半導體除了分立元件之外，還提供了标準模塊和解決方案，滿足客戶即插即用的需求。目前這些模塊主要應用在汽車市場，但未來同樣适合大功率的工業市場中。

關于碳化矽技術的補充

碳化矽（SiC）是一種寬帶隙材料，與矽相比，具有許多優點，例如，工作溫度更高，散熱性能得到改善，開關和導通損耗更低。 不過，寬帶隙材料比矽基材料的量産難度更高。

如圖所示，相比矽技術，碳化矽在功率密度，溫度效應等方面具有顯著優勢。

碳化矽的優點包括如下：

更高的性能和工作電壓

功率損失極低

本征SiC體二極管（MOSFET）（4象限開關操作）

開關比矽更快，更可靠

在擊穿電壓相同的條件下，芯片尺寸更小

能效更高

導熱性高

更高的工作頻率

開關損耗更低，二極管開關性能出色

更小、更輕量化的系統

更高的工作溫度

工作節溫最高200°C

散熱要求降低，可用于輕量化系統，延長使用壽命

容易驅動

完全兼容标準栅極驅動器

設計更簡單

意法半導體在碳化矽開發商的曆史

意法半導體從1996年開始從事碳化矽技術研發。在半導體市場推出一項新技術，質量高、壽命長，成本有競争力是基本要求。意法半導體戰勝了這種寬帶隙材料的量産挑戰，于2004年開始生産其首款SiC二極管。2009年，意法半導體的第一款 SiC MOSFET投産，此後又增加了1200V的SiC MOSFET和功率肖特基二極管，以完善原來的650V産品組合。

意法半導體的6英寸碳化矽晶圓于2017年投産，生産規模擴大有助于降低芯片成本，提高市場供應量，滿足日益增多的SiC應用的需求（包括更多的太陽能逆變器、工業電機驅動器、家用電器和電源适配器）。

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