5G商用逐步落地，移動數據流量激增，數據中心數據流量也随之被帶動增長，對高速率光模塊的需求逐步擴大，數據中心不斷提高的速率要求緻使光模塊高頻率疊代升級。大家都知道，我們常見的普通光模塊主要采用III-V族半導體芯片、高速電路矽芯片、光學組件等器件封裝而成，其發展路徑遵循摩爾定律，在本質上屬于“電互聯”，但随着晶體管加工尺寸逐漸縮小，電互聯所面臨的傳輸瓶頸局面趨于緊迫，普通光模塊的生産制造也面臨着摩爾定律失效的局面，矽光模塊應運而生。

顧名思義，矽光模塊是采用矽光子技術的光模塊。在了解矽光模塊之前，我們有必要先弄清楚什麼是矽光子技術。

矽光子技術是基于矽和矽基襯底材料(如SiGe/Si、SOI等)，利用現有CMOS工藝進行光器件開發和集成的新一代技術。矽光模塊産生的核心理念是“以光代電”，即利用激光束代替電子信号進行數據傳輸。矽光子技術将矽光模塊中的光學器件與電子元件整合到一個獨立的微芯片中，使光信号處理與電信号的處理深度融合，最終實現真正意義上的“光互聯”。

普通光模塊是實現光電轉換的裝置，其在功能上需要對光信号進行調制和接收。普通光模塊在制造上需要經過封裝電芯片、光芯片、透鏡、對準組件、光纖端面等器件，最終實現調制器、接收器以及無源光學器件等的高度集成。各器件主要通過封裝技術進行集成。

本文前面有講到矽光模塊所使用的矽光子技術是利用CMOS工藝進行光器件的開發和集成，基于CMOS制造工藝進行矽光模塊芯片集成便是矽光模塊最大的特點，亦是矽光模塊與普通光模塊最大的區别所在。矽光模塊芯片通過矽晶圓技術，在矽基底上利用蝕刻工藝加上外延生長等加工工藝制備調制器、接收器等關鍵器件，以實現調制器、接收器以及無源光學器件的高度集成。

由于矽光模塊和普通光模塊所使用的芯片不同，同速率應用于同一場景的矽光模塊和普通光模塊在産品參數上也有了諸多區别，以飛速(FS)兼容思科QDD-400G-DR4-S普通光模塊和矽光模塊為例，來看看在具體産品參數上矽光模塊與普通光模塊的異同點：

對比普通光模塊，矽光模塊具有低功耗、高集成和高速率等優勢，對于需要大量使用光模塊的數據中心而言，矽光模塊最顯著的優勢依然是低成本。

随着互聯網産業的發展，業界對于光模塊的需求逐步趨向于小型化和高性能，在小型化的背景下，普通光模塊若想提高傳輸速率，光模塊在性能上損耗将增大。而矽光模塊除了解決普通光模塊多通道帶來的功耗、溫飄等性能上的瓶頸，同時降也低了激光器成本。

在普通光模塊的成本中，光芯片成本占40%，激光器成本占20%左右，若用在激光器上的成本降低75%，則可降低光模塊整體成本的15%。

由于矽光模塊使矽光子技術，實現了調制器和無源光路在芯片上的高度集成，光模塊芯片成本也得到大幅度降低。

普通光模塊采用分立式結構，光器件部件多，封裝工序較為複雜，從而需要投入較多人工成本，而矽光模塊由于芯片的高度集成，組件與人工成本也相對減少。

在100G短距CWDM4和100G中長距相幹光模塊中，矽光模塊成本優勢不明顯。而在400G及以上的高速率的場景中，傳統DML和EML成本較高，矽光模塊成本優勢更為顯著。

高速光模塊在通信網絡設備成本中占比達到50%～60%，光模塊成本高昂已對網絡總體建設産生直接影響，甚至已成為阻礙光通信産業向更高速率發展的關鍵所在。

車聯網、AR/VR、直播等5G下遊應用的飛速發展和企業上雲的大趨勢帶動了數據中心網絡從100G向400G更疊的需求，雖然鑒于良率和損耗問題，矽光模塊方案的整體優勢尚不明顯，但在超400G的短距場景、相幹光場景中，矽光模塊的低成本優勢或許會使得其成為數據中心網絡向400G升級的主流産品。

近年來矽光模塊在光模塊市場中的占比增長較為迅速，主要市場份額集中在頭部廠商。據中國産業信息網預測，矽光模塊銷售額将從2018年的4.55億美元，增長到2024年的40億美元，年複合增長率将達到44%。

由于普通光模塊技術較為成熟，且對部署環境要求較低，短期内矽光模塊還難以在市場上大規模鋪展。且光模塊中的矽光器件在生産前期投入較大，在未達到一定的規模效應前，相關廠商對矽光模塊投入相對謹慎，其出貨量從而被限制。因此普通光模塊依然是當前市場的主流選擇，矽光模塊的大規模放量與鋪展仍需要時間。

根據Intel對矽光子産業發展的規劃來看，矽光模塊産業現已經進入快速發展期，在2022年矽光模塊在速度、能耗、成本等方面将全面超越普通光模塊。随着5G網絡建設的進一步拓展，數據傳輸需求不斷增長，相信400G矽光模塊的高速率市場也将被逐步打開。

了解更多

更多精彩资讯请关注tft每日頭條，我们将持续为您更新最新资讯!