目前主流存儲器大部分都是RAM，在RAM中按原理還分為兩類——易失性的（Volatile）和非易失的（Non-Volatile），區别在于斷電後是否保存數據。易失性的存儲器有SRAM/DRAM，主要用途分别是高速緩存和内存條。非易失性的主要是包含硬盤和Flash，主要用途為U盤，SD卡和SSD硬盤。能夠克服嵌入式閃存技術自身局限又具有成本優勢、低功耗、高性能和小足迹的新型内存技術，其中比較有前景的就是RRAM技術。
一、RRAM是什麼？
RRAM即阻變式存儲器。
1、RRAM的組成
典型的RRAM設備由兩個金屬電極夾一個薄介電層組成，其中介電層作為離子傳輸和存儲介質。選用不同的材料，實際機制會有顯着差别，但所有RRAM設備間的共同連接是電場或是熱源，它們引起存儲介質離子運動和局部結構變化，反過來又造成設備電阻的顯着變化。在3D架構中，RRAM各分層還可以彼此疊加，從而可以小足迹實現大内存容量。借助具體的架構技術，RRAM可以層疊在CMOS邏輯閘上，從而産生超密邏輯 内存系統的解決方案。
2、RRAM的原理
RRAM是一種根據施加在金屬氧化物(Metal Oxide)上的電壓的不同，使材料的電阻在高阻态和低阻态間發生相應變化，從而開啟或阻斷電流流動通道，并利用這種性質儲存各種信息的内存。
3、RRAM的制備方法
提供一半導體襯底；在所述半導體襯底上依次形成第一電極、金屬層和氧化介質層；執行氧化工藝，使所述氧化工藝中的氧化氣體穿過所述氧化介質層擴散至所述金屬層中，并與所述金屬層反應形成阻變層；在所述氧化介質層上形成第二電極。
二、RRAM的特點
1、RRAM技術具有消費類電子産品、家用電器、無線傳感器網絡和性電子産品所需的成本競争優勢。而且，其經過提升的讀寫性能和高能效還有望應用于移動設備和可穿戴電子設備上。
2、RRAM，可顯著提高耐久性和數據傳輸速度的可擦寫内存技術。
3、RRAM中氧化介質層具有較好的儲存氧空位和氧離子的特性，從而可以固定所述阻變層中的導電通道，由此可以提高阻變存儲器的工作穩定性和可靠性。
以上就是關于RRAM以及RRAM的特點的介紹，大家是否更加了解RRAM了呢？随着電子産品技術不斷地進步，存儲技術也需要不斷地研究，存儲技術就像兵糧，電子技術的發展離不開存儲技術的發展，兩者是相互依存的。
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