CP：Chip probing，wafer level的電路測試含功能；

FT：Final test，device level 的電路測試含功能。

CP與FT的主要區别：

（1）CP 一般是在測試晶圓，封裝之前看，封裝後都要FT的。不過bump wafer是在裝上錫球，probing後就沒有FT。

Chip Probing test

（2）FT是在封裝之後，也叫“終測”。意思是說測試完這道就直接賣去做application。

Final test

CP與FT的主要作用：

（1）CP的主要目的就是把NG Die挑出來，可以減少封裝和測試的成本，可以更直接的知道Wafer 的良率。

（2）FT是把NG chip挑出來，檢驗封裝的良率。 現在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了，為了減少成本。 CP對整片Wafer的每個Die來測試，而FT則對封裝好的Chip來測試。 CP Pass 才會去封裝。然後FT，确保封裝後也Pass。

WAT：Wafer Acceptance Test，wafer level 的管芯或結構測試

對專門的測試圖形（test key）的測試，通過電參數來監控各步工藝是否正常和穩定； CP是wafer level的chip probing，是整個wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數的測試，如vt（阈值電壓），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（栅源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機台的電壓和功率不會很高； FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個（CP passed）IC或Device芯片應用方面的測試，有些甚至是待機測試；

WAT

Pass FP還不夠，還需要做process qual 和product qual CP 測試對memory來說還有一個非常重要的作用，那就是通過MRA計算出chip level 的Repair address，通過Laser Repair将CP測試中的Repairable die 修補回來，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

CP是對wafer進行測試，檢查fab廠制造的工藝水平。 FT是對package進行測試，檢查封裝廠制造的工藝水平 。對于測試項來說，有些測試項在CP時會進行測試，在FT時就不用再次進行測試了，節省了FT測試時間；但是有些測試項必須在FT時才進行測試（不同的設計公司會有不同的要求）。 一般來說，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關鍵項目，條件嚴格。但也有很多公司隻做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話，CP就失去意義了）。 在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的幹擾問題。

FT相對來說簡單一點。還有一點，memory測試的CP會更難，因為要做redundancy analysis，寫程序很麻煩。

CP在整個制程中算是半成品測試，目的有兩個，第一是監控前道工藝良率，第二是降低後道成本（避免封裝過多的壞芯片），其能夠測試的項比FT要少些。最簡單的一個例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項隻能在封裝後的FT測。不過許多項CP測試後FT的時候就可以免掉不測了（可以提高效率），所以有時會覺得FT的測試項比CP少很多。 應該說WAT的測試項和CP/FT是不同的。

CP不是制造（FAB）測的，而CP的項目是從屬于FT的（也就是說CP測的隻會比FT少），項目完全一樣的；不同的是卡的Spec而已；因為封裝都會導緻參數漂移，所以CP測試SPEC收的要比FT更緊以确保最終成品FT良率。還有相當多的DH把wafer做成幾個系列通用的die，在CP是通過trimming來定向确定做成其系列中的某一款，這是解決相似電路節省光刻版的最佳方案；所以除非你公司的wafer封裝成device是唯一的，且WAT良率在99%左右，才會盲封的。

目前盲封的DH很少很少，風險實在太大，不容易受控。

CP用prober，probe card。FT是handler，socket。CP比較常見的是room temperature=25度，FT可能一般就是75或90度。CP沒有QA buy-off（質量認證、驗收），FT有 CP兩方面

1. 監控工藝，所以呢，覺得probe實際屬于FAB範疇

2. 控制成本。Financial fate。我們知道FT封裝和測試成本是芯片成本中比較大的一部分，所以把次品在probe中reject掉或者修複，最有利于控制成本

FT: 終測通常是測試項最多的測試了，有些客戶還要求3溫測試，成本也最大。 至于測試項呢，

1. 如果測試時間很長，CP和FT又都可以測，像trim項，加在probe能顯著降低時間成本，當然也要看客戶要求。

2. 關于大電流測試呢，FT多些，但是我在probe也測過十幾安培的功率MOSFET，一個PAD上十多個needle。

3. 有些PAD會封裝到device内部，在FT是看不到的，所以有些測試項隻能在CP直接測，像功率管的GATE端漏電流測試Igss，CP測試主要是挑壞die，修補die，然後保證die在基本的spec内，Function well。 FT測試主要是package完成後，保證die在嚴格的spec内能夠function。 CP的難點在于，如何在最短的時間内挑出壞die，修補die。 FT的難點在于，如何在最短的時間内，保證出廠的Unit能夠完成全部的Function。

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