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光刻技術很重要嗎

生活 更新时间:2024-06-27 02:58:43

如前所述,集成電路的精細程度,取決于光刻中光在膠上刻出的窗口的精細程度,那麼顯然以光作刀的這種光,應當是越鋒利越好,也就是波長越短越好。

大家知道,在可見光範圍内,紅橙黃綠青藍紫,依次頻率越來越高,波長越來越短。如果再繼續延伸,就到了人們用眼睛看不見的紫外光,波長就更短。因此,光刻中用于曝光的光,最早就是紫外光,然後一步一步縮短,進而用深紫外光,現在最先進的荷蘭SDML光刻機用的是極紫外光(又叫遠紫外光、EUV)。

最早作為曝光光源使用的高壓汞燈,産生的紫光波長先後有436nm(即0.436μm)和365nm兩種。接下來用準分子激光器産生的深紫外激光,分别是KrF準分子深紫外激光248nm,ArF準分子深紫外激光193nm,F2準分子深紫外激光157nm。之所以稱之為準分子,是因為氪Kr、氩Ar都是惰性氣體元素,惰性元素是不應當與氟F元素形成化合物的,隻不過在激光器中它們與氟F按照1:1的比例混合,分别構成類似于化合物的KrF和ArF;同樣道理氟元素F本來是單身主義者F,為了表示它與傳統意義上的氟氣體不同而寫成了F2。這些都是無法以分子的形式單獨混迹于江湖的合夥集團,所以稱之為準分子。現在最先進的光刻機所使用的光源波長隻有13.5nm,稱為超紫外光;至于這種超紫外光是怎麼産生的,後面的篇幅會有交待。中國台灣的台積電公司和韓國的三星公司,就是利用以這種13.5nm波長的超紫外光光源的光刻機,制作出了5nm精度的集成電路,并且他們還正在繼續用它向3nm的尺度沖擊。

由于微米μm、納米nm的尺度與我們周圍物體的大小,相差太遠,所以大家對于它們沒有真實的感覺。為了便于大家形象思維,首先提醒大家,1米等于1000毫米,1毫米等于1000微米,1微米等于1000納米,即1m=1000mm, 1mm=1000μm, 1μm=1000nm;接下來,我将微米μm和納米nm,與我們相對略微熟悉一些的東西做個比較。

不過,我僅制作下面一個尺度分布表,讓大家自己去比較。至于比較後的感覺,作為課後作業留給大家。不是大家都聽說過嗎,滿堂灌的方式很不好。

光刻技術很重要嗎(光刻與光刻機知識通俗系列介紹)1

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