光電耦合器是以光為媒介，用來傳輸電信号的器件。通常是把發光器與受光器(光電半導體管)封裝在同一管殼内。當輸入端加電信号時發光器發出光線，受光器接受光照之後就産生光電流，從輸出端引出，從而實現了電—光—電的轉換。

由于光電耦合器具有抗幹擾能力強、使用壽命長、傳輸效率高等特點，廣泛用于電氣隔離、電平轉換、級間耦合、開關電路、脈沖放大、固态繼電器、儀器儀表和微型計算機接口電路中。

光電耦合器是由一隻發光二極管和一隻受光控制的光敏晶體管(常見為光敏三極管)組成的，常見的光電耦合器外形有管式、雙列直插式等，與集成電路相似，應用較多的是雙列直插式。其内部電路結構和電氣圖形符号如圖11-9所示。

圖11-9 光電耦合器的外形、内部電路結構與電氣圖形符号

光電耦合器的工作過程如下：光敏三極管的導通與截止，是由發光二極管所加正向電壓控制的。當發光二極管加上正向電壓時，發光二極管因有電流通過而發光，使光敏三極管内阻減少而導通;反之，當發光二極管不加正向電壓或所加正向電壓很小時，發光二極管中無電流通過或通過電流很小，發光強度減弱，光敏三極管的内阻增大而截止。

光電耦合器的種類很多，主要有通用型(又分有基極引線、無基極引線兩種)、達林頓型、施密特型、高速型、光纖型、光敏晶閘管型(又分單向晶閘管、雙向晶閘管)、光敏場效應管型等。

(1)靜态檢測

由于光電耦合器中的發射管與接收管是互相獨立的，因此可用萬用表單獨檢測這兩部分的好壞。檢測可分三步進行。

第一步：利用 R × 100(或 R × 1k)擋測量光發射二極管的正、反向電阻，檢測其單向導電性。發光二極管具有一般二極管的單向導電的特性，即正向電阻小，反向電阻大。通常正向電阻為幾百歐，反向電阻為幾千歐或幾十千歐。如果檢測結果正、反向電阻非常接近，表明發光二極管性能欠佳或已損壞。檢測時，要注意隻能使用萬用表的 R × 10、R × 100 或 R × 1k 擋，不能使用 R × 10k 擋，因為發光二極管工作電壓一般在 1.5～2.3V，萬用表 R × 10k 擋電池電壓為 9～15V，會導緻發光二極管擊穿。

第二步：檢測光接收管的集電結與發射結的正、反向電阻。将萬用表量程開關撥在 10 × 1k 擋，黑表筆接 c 極，紅表筆接 e 極，指針應微動;對調兩表筆再測，指針應不動。也就是說，無論正、反向測量其阻值均應為無窮大，否則光敏三極管損壞。

第三步：用R × 10k 擋檢測光發射管與光接收管之間的絕緣電阻。用萬用表的R × 10k 擋檢測其初、次級之間的絕緣電阻值，應測量兩次(即兩表筆對調一次)。光電隔離器初、次級絕緣電阻應為∞。上述發光二極管或光敏三極管隻要有一個損壞，或者它們之間絕緣不良，則該隻光電耦合器不能正常使用。

(2)性能測量

檢測電路如圖11-10所示，光電耦合器的發光二極管兩輸入端接入兩節 1.5V 的電池，二極管正端接電池正極，負端接電池負極，R 為限流電阻。用萬用表R × 1 擋測光敏三極管正向電阻值，應為10～30Ω ，反向電阻值為∞，說明光電耦合器性能良好。若所測數值遠離上述值，則表明耦合器性能欠佳或損壞。

圖11-10 性能檢測

運用上述方法檢測不同型号的光電耦合器時因其引腳不同，發光二極管工作電壓的接法也應有所不同。所以在檢測時，應先根據其内部電路找出其輸入與輸出端的引腳，然後根據其發光二極管工作電壓并串入相應的限流電阻R後，再測光敏三極管c、e極之間的正、反向電阻。

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