在2020年11月份時，美光公布完成176層3DNAND閃存芯片的研發及實現量産，也率先開創了業界閃存芯片3D閃存堆疊層數最高記錄。而在2021年年中開始，176層的閃存芯片實現小規模型号上實裝應用，但應用産品主要面向專業級或服務器級平台的SSD固态硬盤。

而今天我們評測室進行評測的的美光旗下Crucial英睿達P5Plus1T固态硬盤，應該算是美光自家第一款應用176層3D閃存芯片的民用級SSD産品，下面就讓我們來看看這款SSD固态硬盤吧。

美光的176層3D閃存是什麼？

在進行對Crucial英睿達P5Plus1T固态硬盤評測前，我們還是要先說說美光研發的176層3DNAND閃存究竟有什麼優勢。在目前固态硬盤以及采用3D閃存芯片的設備之中，所采用的閃存芯片大多數為96層到128層的規格，而作為PC存儲設備的SSD固态硬盤多為使用128層的閃存芯片作為存儲芯片。

新一代的美光176層3DNAND閃存芯片單元結構采用雙88層堆棧構成176層NAND，而上一代的128層芯片隻是采用雙64層堆棧構成設計。芯片的BEOL和CuA的互連觸點與128層采用了相關的布局規格，隻是在芯片垂直通道VC孔的高度上增加到10.6μm，而3DNAND單元的尺寸保持在0.02μ㎡，而由于較小的栅極間距，單元單元體積略下降到1.12x104μm³。

而這些在硬件上的技術革新賦予了美光176層3DNAND閃存芯片更強勁的性能支持，諸如可以實現更大的總讀寫量、更小的芯片尺寸、更低的能耗等。

英睿達P5Plus1T固态硬盤開箱

英睿達P5Plus，通過名字就可以知道是一款升級版本的型号，是英睿達在SSDPCIe3.0時的旗艦型号P5的升級版本，并且也是一款采用PCIe4.0x4接口的M.2尺寸規格固态硬盤。

英睿達P5Plus外包裝設計以深藍色作為主色調，Crucial英睿達的文字品牌LOGO以天藍色白色的色塊出呈現，白色字體的“P5Plus”型号名稱在深藍背景色上尤為顯著，再搭配上天藍色條、翠綠斜紋色條以及白色多層直線等裝飾元素，帶動出速度感的視覺效果。

而包裝背面則是以多國語言來說明SSD固态硬盤的特色功能以及說明，當然還有包含産品容量标注以及信息二維碼的防僞标簽。

英睿達P5Plus系列的M.2SSD分别有500GB、1TB以及2TB三個容量規格型号，而我們評測室拿到手的是英睿達P5Plus的1TB容量規格版本，而1TB也是目前不論是台式電腦還是移動筆記本電腦都相當熱門且使用及需求人數相當多的規格容量。

英睿達P5Plus1T采用标準的M.22280規格尺寸設計，可以滿足目前大部分台式電腦主闆以及部分可提供M.22280尺寸安裝卡槽的筆記本電腦平台的安裝使用。

和很多定位高端或旗艦級産品一樣，英睿達P5Plus1T在PCB基闆上選用了全黑配色的PCB基闆，由于采用的是單面元件布局設計，增加了SSD平台的适用性，不會有挑闆挑平台的麻煩，而且散熱性能也更出色。

焊接有元件的正面張貼印有英睿達英文品牌名稱以及系列名稱的導熱貼紙，而沒有元件的背面則是張貼有兩張帶規格參數及識别碼的隔熱貼紙，能非常清晰了解英睿達P5Plus1T固态硬盤的相關性能。

将覆蓋在SSD正面的導熱貼紙揭開就能看到整塊SSD的功能電路布局，和很多M.2硬盤布局相同，分為了主控芯片區域、緩存芯片區域以及閃存芯片區域三部分，布局整體，功能電路劃分清晰幹淨，同時元件與基闆的焊接效果也十分出色。

英睿達P5Plus1T的主控芯片采用的是美光自家的DM02A1主控芯片，支持PCIe4.0，并且為了提升主控芯片的散熱效率，還在芯片上加裝了金屬外殼提升散熱性能。此外，主控芯片還具有NVMe自主電源狀态轉換(APST)和自适應熱保護功能，可在80攝氏度或更高的溫度下啟動以保護數據。

而在緩存區域采用了一枚1GB容量的LPDDR4DRAM芯片，主控芯片通過這枚緩存芯片起到加速FTL的管理之用。

閃存芯片部分，就是使用了我們在文章前端所提到的，美光176層3DNAND閃存芯片，其額定速度可達到1600MTps，也是目前閃存市場中最快的NAND之一。通過搭載兩枚閃存芯片實現1TB的規格存儲容量，并且能提供理論6600MB/s的順序讀取和5000MB/s的順序寫入支持。

英睿達StorageExecutive控制軟件

除了良好的性能和耐用性外，P5Plus還兼具具有全硬件加密、動态寫入加速和自适應熱保護等先進功能，可在确保數據安全的同時，增強系統可靠性。同時P5Plus還提供了5年有限保修，以及StorageExecutive和免費克隆軟件，方便我們查看&管理固态硬盤。

StorageExecutive軟件中不但可以監控SSD固态硬盤的多方面參數數據以及實施情況，還能升級固件以及數據還原和檢測等功能支持。

當然如果你想了SSD狀況更為詳細數據的話，可以通過軟件中的S.M.A.R.T頁面進行檢測，裡面可以為用戶提供非常詳細的SSD運行狀況以及讀寫參數等内容。

英睿達P5Plus1T固态硬盤理論性能測試

本次測評所采用的測試平台，CPU為AMDRyzen95900X、内存為DDR4-36008G*2套裝、主闆為ROGC8E，系統盤則是采用了三星9801TB，這套配置是我們評測室裡測試固态硬盤使用最比的測試機之一。另外測試盤為英睿達P5Plus1T，直接安裝到主闆的M.2_1插槽中，利用C8E自帶的大型金屬散熱馬甲進行散熱，保證固态硬盤運行在最佳的狀态下。

測試前我們先來看看CrystalDiskInfo查看硬盤的信息，可看到英睿達P5Plus1T的固件版本為最新的P7CR403，實際傳輸模式為PCIe4.0x4，支持NVMe1.4标準，S.M.A.R.T、TRIM以及VolatileWriteCache功能，待機溫度為42度。由于是新寄到的産品，所以可看到主機的總讀取和總寫入量都是為0GB，通電時間也是0小時。

CrystalDiskMark性能測試

空盤測試，1GB文件大小進行測試

空盤測試，1GB文件大小進行測試

按照英睿達官方給出的性能指标，英睿達P5Plus1T固态硬盤的順序讀取速度為6600MB/s，順序寫入速度為5000MB/s；而根據我們利用CrystalDiskMark軟件實測得知，英睿達P5Plus1T實測順序讀取速度為6800MB/s，實測順充寫入速度為5100MB/s，看來英睿達官方此款固态硬盤的标稱速度還是較為保守了，實際上的必能表現明顯更高。從這樣的性能表現來看，英睿達P5Plus絕對稱得上GEN4旗艦固态硬盤的一線水平。

TxBENCH基準性能測試

空盤測試

TxBENCH基準測試所得到的結果也和其他同類型測試結果相差不大，隻是數據波動會更明顯，如空盤狀态下的讀寫速度分别為6429.669MB/s和4891.776MB/s

ASSSD基準性能測試

1GB數據包測試：

10GB數據包測試

在ASSSD基準性能測試中，1GB與10GB兩個數據等級的測試中所得成績都相當接近，順序的讀寫速度1GB分别為5507.98MB/s和4371.92MB/s；10GB分别為5546.95MB/s和458069MB/s，都是體現出相當高效的讀寫性能，而4K多線程的測試裡面，兩個數據測試的讀/寫IOPS分别是571718/673191和568621/679193，相差數值也在合理範圍内，體現出美光176層NAND3D閃存芯片的高性能表現。

ezIOmeter測試

而在ezIOmeter測試中，英睿達P5Plus1T的數據讀寫速度分别為6309.48和4816.42，其中極速狀态下，讀寫的速度分别能達到12624.49和9593.84。參照數據來看，性能可謂是相當的驚人。

TxBENCHSLC測試

TxBENCHSLC測試為全盤測試，其性能曲線以及溫度曲線上的表現非常穩定，特别是性能曲線部分可以實現長時間小波動相對穩定的性能支撐，也體現出英睿達P5Plus固态硬盤具備不錯的綜合性能。硬盤在寫入全滿負載的情況下，穩定最高穩定在58度，比一般的旗艦級固态硬盤滿載溫度都要低一些。

小結：通過理論性能測試，我們可看到英睿達P5Plus性能是相當的優秀，無論是順序讀取和寫入速度都遠高于官方标稱值，進一步印證了英睿達P5Plus固态硬盤主控和閃存顆粒的優異表現。同時英睿達P5Plus滿載溫度也是下較低的，這得益于主控優秀的溫度控制，在GEN4旗艦級固态硬盤中也是較為少見的，這樣無論是用在台式機、筆記本，還是在PS5上，其都可以實現長時間高傳輸速度的性能保證。

遊戲性能測試測試

3DMARK存儲測試

遊戲性能測試，我們直接選用了3DMARK内建的測試程序，是能測試出不同遊戲在此款固态硬盤上的加載速度和平均存取時間；同時還具備遊戲錄制、安裝、保存和移動遊戲時不同遊戲狀态的速度，這樣的測試程序可以很好的模拟出遊戲用戶在真實使用中的情況。最終，英睿達P5Plus1T得分為3289，同時在模拟各種遊戲加載、安裝、錄制、保存以及移動遊戲中，其平均帶寬可達567.44MB/s，平均存取時間為55μs，可以非常輕松地滿足現在各類遊戲在運行時的讀寫，并且在讀寫過程中所産生的延時也在合理範圍以内。

PCMARK10基準測試

而PCMark10的完整系統盤基準測試中，英睿達P5Plus1T固态硬盤的成績為3219，帶寬為514.09MB/s，平均存取時間52μs，在同類型的SSD固态硬盤産品裡面，其成績以及帶寬和平均時間的表現力都處于前列，從一個側面也展現了英睿達P5Plus1T所具備的性能。

半盤測試

CrystalDiskMark性能測試我們通過之前的空盤以及半盤兩個狀态來進行一下對比，在同為1GiB數據量級的測試中，空盤與半盤的讀取差異相當小，英睿達P5Plus固态硬盤空盤時為6801.72MB/s，半盤為6799.51MB/s，差異相當的小。而寫入性能差距則稍有偏大，空盤為5102.82MB/s，半盤為4585.83MB/s，相差差值為517MB/s，可看出即使是固态硬盤占用情況達到一半，英睿達P5Plus的性能表現仍是相當的優異。

在半盤狀态是，讀寫速度分别為5926.120MB/s和4054.717MB/s，SSD不同存儲程度狀況時的速度能正确識别，且也體現了英睿達P5Plus1T自身的高速讀寫性能。

HDTunePro半盤SLC測試：

同時我們再來看看在半盤狀态下，英睿達P5Plus固态硬盤讀取速度能保持着相當不錯的穩定性，而寫入部分則在寫入80G後速度出現明顯的下降，但下降後其速度還能保持一個相對小波動的穩定狀态，也就是說，英睿達P5Plus采用的是動态緩存的方案，即使是半盤情況下仍能為大家提供80GB的SLC空間，這對于日常大家使用過程中起到很好的作用，半盤情況下，即使是做視頻、玩遊戲都不會出現掉速的情況。

評測總結：

英睿達P5Plus固态硬盤搭載了美光研發新推出的176層NAND3D閃存芯片，同時也是美光旗下首款民用消費級的PCIe4.0固态硬盤産品，而憑借176層NAND3D閃存芯片和GEN4主控芯片的出色性能支持賦予了SSD不俗的性能基礎，600TB耐用度與5年有限保修可以為大家解除NAND顆粒壽命的煩惱。

而英睿達P5Plus固态硬盤通過實際測試所得的成績數據來看，整體的性能表現相當好，處理旗艦級GEN4固态硬盤第一梯隊的水平。加之美光原廠進行的特定性能優化調教，無論是空盤測試還是半盤測試都可以有穩定高速的表現，在性能與穩定度能維持一個小波動均衡的狀态，同時其溫度表現也相當出色，是衆多旗艦産品中較少見到的。對于穩定度和溫度控制有相當高要求的用戶來說，英睿達P5Plus是一個不錯的産品選擇，十分适合遊戲玩家、遊戲本用戶，以及視頻UP主。

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