空間電荷區，也叫耗盡層，也叫PN結。

空間電荷區N區顯正電性，P區顯負電性，形成電場，叫内電場。

PN結中内電場方向是從N指向P。

電子的受力方向是和電場的方向相反的。電場方向是從N指向P區的，所以電子的受力方向是從P區指向N區的，N區的自由電子即使進入電場，也會被彈回來到N區。

P區空穴濃度大，N區自由電子濃度大。在P型半導體和N型半導體的交界面，産生擴散運動。P型半導體中的空穴向N區半導體擴散，因為失去空穴而帶負電。N型半導體區域的自由電子向P區擴散，因為N區失去自由電子而帶正電。這樣在N區和P區之間行成了一個自發行成的内電場，也叫自建電場。

PN結内的電場方向是由N區指向P區。在内電場的作用下，電子從P區向N區做漂移運動，空穴從N區到P區做漂移運動。經過一段時間,擴散運動與漂移運動達到一種動态平衡的狀态。在P型半導體和N型半導體交界面附近，形成一定厚度的空間電荷區，也叫耗盡層。自由電子和空穴複合，N區留下了帶正電的離子，P區留下了負電的離子，所以PN結也叫耗盡層。

内電場會阻礙多數載流子的擴散運動，會促進少數載流子的漂移運動。

PN結内建電場會阻礙多數載流子的擴散運動，促進少數載流子的漂移運動，所以也叫阻擋層。

PN結由于自由電子、空穴的擴散所形成的阻擋層，兩側存在勢能差，就叫做勢壘。勢壘電壓矽材料是0.7伏，鍺是0.3伏。

PN結在外施加正向電壓，也就是P區接電源正極，N區接電源負極。PN結内建電場方向是從N區指向P區，電源外部電場力的方向是從電源正極指向負極，也就是外部電場方向是P區指向N區。由于外加電壓的電場方向和PN結内電場的方向是相反的。在外電場的作用下，内電場将被削弱，使阻擋層将變窄，擴散運動因此增強。這樣多數載流子将在外電場力的驅動下源源不斷地通過PN結，形成比較大的擴散電流，稱為正向電流。PN結正向導電時，電阻很小。

PN結施加反向電壓，就是P極連接電源負極，N極連接電源正極。由于電源方向由正極指向負極，就是由N極指向P極。PN結内建電場的方向是N區指向P區。外加電場的方向和内電場的方向一緻，增強了内電場，多數載流子的擴散運動減弱，沒有正向電流通過PN結，隻有少數載流子的漂移運動行成了反向電流。由于少數載流子的為數很少,所以反向電流是很微弱的。PN結在反向電壓下，電阻是很大的。

PN結通過正向電壓時可以導電，常稱導通；加反向電壓時不導電，常稱為截止。所以PN結具有單向導電性。

晶體管

鼓勵的話語：不管高峰還是低谷，都要努力不止！

更多精彩资讯请关注tft每日頭條，我们将持续为您更新最新资讯!