十年前，台積電突破28nm制程，将人類芯片制造水平提升到新的台階。在28nm制程下，許多科技産業實現重大創新突破。

現在，台積電與三星開始争奪3nm，2nm。在這時刻，中芯國際剛突破55nm工藝。這項55nm工藝有什麼不一樣呢？芯片制程持續發展，會性能過剩嗎？

芯片制造業事關各行各業的發展，所以在很多人的認知中，芯片制程其實是越高越好的。若是放在消費電子等高性能計算場景中，高端芯片制程的确可以帶來更好的運行表現。

比如5nm制程的芯片肯定比14nm的芯片要好，14nm的芯片在手機上運作時未必能帶動大型軟件，卡頓，無響應是常有的事。

而5nm芯片不論是響應速度還是算力水準不是低端制程芯片可以比拟的。美國芯片巨頭相繼設計出高端芯片，然後找台積電，三星代工生産。

目前這兩家公司都實現了4nm的芯片量産，三星更是實現3nm的量産突破，台積電預計在9月份步入到3nm的量産階段。然後到2025年，二者會掀起更先進的2nm競争。台積電表示，會保證量産2nm時是全球領先的。

可芯片制程真的低越好嗎？恐怕也得分工藝類别。就像中芯國際突破了一項55nm的BCD工藝平台，就已經實現行業領先了。

根據中芯國際傳出的消息，已經實現了55nm BCD工藝平台的第一階段研發，正在進行試産。

看到這裡可能很多人會感到一頭霧水，隻是55nm嗎？BCD工藝是什麼？

首先要明白BCD工藝的含義，這項工藝是一種單片集成技術，具體是将CMOS、DMOS、Bipolar三種器件集中在一顆芯片上制造，這種芯片集成制造技術就是BCD工藝。

而BCD工藝的用途非常廣闊，可以在汽車、計算機以及工業自動化使用這些技術。通過BCD工藝，芯片行業可以将功率半導體、模拟芯片、數字信号處理器集中在單片上。不僅有良好的集成度性能，而且降低功耗，有揚長避短的效果。

全球首個BCD工藝芯片出自意法半導體之手，其在1985年成功研制。在經過三十多年的發展曆程中，意法半導體将BCD工藝發展到了第十代技術，制程提升至90nm，線寬尺寸大幅縮減。意法半導體做到這一點已經是攻堅克難，而中芯國際做到了55nm。

實際上中芯國際并不是國内第一個研發BCD工藝的芯片制造商，還有華虹半導體也涉獵其中。華虹半導體擁有完善的工藝平台，基于BCD開發的制程技術達到了0.35um，0.18um，最高也可實現90nm。

總的來說，中芯國際BCD工藝的突破與台積電，三星等高端制程大不相同，台積電，三星能實現5nm及以下的制程突破，其實是單獨在CMOS工藝平台進行的突破。所以55nm的BCD工藝和2nm的CMOS工藝不可同日而語。

不管是55nm的BCD工藝還是5nm，3nm的CMOS工藝，本質上都是為了提升人類的工業水平，加速全球芯片制造産業的進步。台積電，三星不斷探索高端制程，中芯國際也用自己的方式發展未來。

可新的問題也出現了，芯片制程持續發展，會性能過剩嗎？

從需求上來看，手機芯片發展到5nm已經出現性能過剩的情況。有多少人購買手機的需求隻是耐用就好，不會卡就行。一顆5nm芯片可以集成一百多億根晶體管，可日常使用中真的需要調用這百億根晶體管嗎？

也許隻是刷個視頻，打個電話，5nm芯片顯得有些大材小用了。

當然，性能過剩還得因場景而異，若從行業發展的角度而言，其實性能過剩是片面的看法。因為不斷發展的科技技術需要更高的芯片制程支持，比如大數據，人工智能以及智能汽車等等都在不斷提高算力需求。

消費者也許用不上頂級的芯片處理器，但是對一些企業來說，在提供的服務器，數據中心應用場景中，對芯片的算力需求已經達到了每秒數十萬億次。

一般的制程芯片無法撐起如此龐大的算力需求，隻有不斷升級芯片制程，才能促進科技産業的持續發展。所以芯片性能過剩未必适用于所有場景，未來的路還很長，仍有發展的空間和意義。

中芯國際雖然突破的是55nm BCD工藝，但在這個工藝平台上，已經相當于台積電，三星在CMOS器件平台上的高端水平了。相信這隻是開始，在芯片探索的路上，期待未來還能取得更大的進展。

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