來源：計算機世界

剛剛過去的4月，英特爾發布了全新的第三代至強可擴展處理器，業内用“Ice Lake is coming”來形容英特爾10納米的強勢登場，這股“Ice Lake”的風潮非但沒有給炎熱的初夏帶來一絲涼意，反而引爆了英特爾的新品發布熱潮。立夏剛過，英特爾又發布了全新第11代智能酷睿高性能移動版處理器，代号“Tiger Lake-H”。從DC到PC，英特爾似乎在向業界展示誰才是真正的“芯片之王”。

不知道還有多少人記得，以存儲起家的英特爾在去年官宣的一則消息：2020年10月20日，英特爾宣布，同意SK Hynix以90億美元收購該公司NAND閃存業務，以及英特爾在中國大連的NAND閃存制造工廠，但仍保留其傲騰技術和業務。

該消息一出真可謂一石激起千層浪，各種分析紛紛攘攘，無論是唱衰還是唱好各有擁趸。

衆所周知，類似這種行業巨頭間的收購工作并非一夕之間就可以完成的，公開信息披露，受監管批準與相關條件限制，雙方的交易有望在2025年3月全部完成。

那麼，曾以3D NAND在閃存産品中“獨領風騷”的英特爾目前該業務領域處于怎樣的狀況？是否還會繼續進行産品的更新叠代？是否還能保持技術上領先優勢？《計算機世界》記者帶着這些問題走訪了英特爾NAND産品與解決方案事業部的幾位專家。

一，是否還有閃存新品？

“未來，内存與存儲層次結構的認知和産品規劃，仍舊如大家熟悉的英特爾存儲金字塔所示，不會有所變化。”英特爾NAND産品和解決方案事業部中國區銷售總監倪錦鋒在接受采訪時表示，“英特爾的存儲産品将一如既往的出貨及更新”。

據了解，在企業端，繼2020年上半年出貨的固态盤D7-P5500和D7-P5600，2021年上半年數據中心産品将主打4款産品。除了目前已發售的D7-P5510外，英特爾在2021年第2季度和稍後時間陸續發售D5-P5316、D3-S4520和D3-S4620。

而在客戶端、消費層産品方面，将主打2款産品，目前在市場上已經可以看到的固态盤660P和670P。

二，如何保證技術優勢？

談及技術優勢，英特爾技術專家向記者表示，作為提供第一個QLC PCIe 3D NAND固态盤的企業，英特爾擁有超過30年的閃存單元經驗，而要保持領先地位無外乎三個方面，外形規格上的創新、擴展更多層的存儲單元、提高每單元的位數。

英特爾技術專家坦言：“英特爾在3D NAND固态盤當前的領先技術，就是面向未來的路線圖，不管是優化的EDSFF外形接口，還是144層的TLC和QLC，抑或是5b/c的浮栅技術前景。”

在采訪中，記者發現英特爾堅持“通過最高面密度，為閃存的應用實現更好的經濟效益”。

相比較傳統栅極技術達到128-層TLC，英特爾通過浮動栅極技術實現144-層TLC，加上陣列下CMOS實現最高面密度，通過更小的FG單元和更高效的陣列的技術搭配，實現面密度提高10%，同時每個晶圓可以承載更高的GB，做到容量擴大和制造效率的提高。

其浮栅單元的特點包含了：良好的讀取閥值電壓窗口；單元之間良好的電荷隔離；良好的數據保留。可以說，英特爾正是憑借QLC 3D NAND在行業占據了領先地位。

基于成熟的單元技術——垂直浮栅閃存單元可以深度了解通過隧道氧化層來控制電子的物理學原理，同時離散單元隔離能夠将跨單元幹擾的風險降至最低 ，此外垂直單元中的電子數量提高6倍左右，可提高控制能力。通過強大的電荷損失保護功能，在設計上就确保了高可靠性。

對于浮動栅極是如何提供更高的數據維持率？英特爾技術專家介紹道，較小的讀取窗口帶來了準确性挑戰，很小的洩漏量即可導緻讀取錯誤，在數據保留方面，浮動栅極NAND單元優于電荷撷取閃存，從而提高QLC數據維持能力和讀寫壽命。

總體來看，英特爾3D NAND的優勢在于：

·英特爾3D NAND基于單元技術而構建，擁有超過30年經過驗證的可靠性和質量，可謂閃存單元技術創新的的引領者；

·QLC NAND技術的每單元位數比TLC NAND提高33%，并提供了業界領先的面密度，可以助力用戶實現更好的經濟效益；

·在數據保留方面，浮動栅極NAND單元優于電荷撷取，這種設計提高了數據讀取的可靠性。

盡管目前為止，對于QLC業内仍有一些疑問，但從應用層面看，在耐久性、性能、質量和可靠性、成熟度等方面，英特爾 QLC 3D NAND固态盤都體現出了很強的優勢。

另一位英特爾技術專家則以D5-P5316為例，展示了其為何被稱作是大規模存儲容量且塑造靈活性能的代表性産品。

依靠業内領先的密度、嚴苛的質量和可靠性D5-P5316讓客戶能夠充滿信心地在溫存儲中進行大規模部署。對于适應場景來說，英特爾QLC PCIe NAND固态盤針對需要快速訪問大型數據集的讀取密集型工作負載進行了優化，更加适合雲存儲、AI、CDN、HCI、HPC等。此外，大規模整合存儲空間，1U内最高1PB，把溫存儲占用的空間減少最多20倍，從而大幅降低TCO 。

結語

在采訪的尾聲，筆者回憶起兩張圖片，一張是英特爾的“六大技術支柱”，一張是英特爾的“存儲金字塔”架構圖。

筆者認為，作為六大技術支柱之一的内存&存儲，以及在存儲架構中不可缺少的3D NAND，其重要性不言而喻。堅持“閃存層數是衡量其閃存先進性最直觀的維度”，保持在非易失性存儲領域的領跑地位。正如倪錦峰所言“我們的願景就是成為行業領先的存儲與内存解決方案公司”。

至于未來，成敗還是應該交由市場來檢驗。

本文來自【計算機世界】，僅代表作者觀點。全國黨媒信息公共平台提供信息發布及傳播服務。

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