真空鍍膜:是在高真空的條件下加熱金屬或非金屬材料,使其蒸發并凝結于金屬、半導體或絕緣體表面而形成薄膜的一種方法,鍍膜在真空條件下成膜的優點是可減少蒸發材料的原子、分子在飛向基闆過程中于分子的碰撞,減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應,以及減少成膜過程中氣體分子進入薄膜中成為雜質的量,從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與基闆的附着力。
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