半導體集成電路術語科普
基礎術語
通用術語
微電子學,Microelectronics,高度小型化電子線路的構成和應用的學科。
集成電路,Intergrate Circuit,将若幹電路元件不可分割地聯在一起,并且在電氣上互連,以緻就規範、試驗、貿易和維修而言,被視為不可分割的一種電路;(注:本定義的電路元件沒有包封或外部連接,并且不能作為獨立産品規定或銷售。可以分為半導體單片集成電路、半導體多片集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路、混合集成電路。
半導體器件,semiconductor device,基本特性是由于載流子在半導體内流動的器件。
電路元件,circuit element,在集成電路中完成某種電學功能的無源或有源元件。
有源元件,active element,一種主要對電路提供整流、開關和放大功能的(電路)元件。
無源元件,passive element,對電路功能起電阻、電容或電感,或是它們組合作用的元件。
電極,electrode,半導體器件的規定區域與邊引出端的内引線之間的提供電學聯接的部分;
封裝外形圖,package outline drawing,規定尺寸特征和機械互換性要求等有關特征的封裝圖形。
b.器件類型
單片集成電路,monolithic Intergrated circuit,全部元件制作在一塊半導體芯片上的集成電路
多片集成電路,Multichip integrated circuit,一個封裝體内僅裝有兩個或多個半導體芯片的集成電路
膜集成電路,film integrated circuit,元件和互連均以膜形式在絕緣基片表面上形成的集成電路。
混合集成電路,Hybrid integrated circuit,由半導體集成電路與膜集成電路的任意組合,或由任何這些電路同分立元件的任意組合形成的集成電路。
雙極型集成電路,bipolar integrated circuit,以雙極型晶體管為基本有源元件構成的集成電路。
材料及工藝
晶片(圓片),wafer,一種半導體材料或将這種半導體材料沉積到襯底上面形成的薄片或扁平圓片,在它上面可同時制作出一個或若幹個器件,然後将它分割成芯片;
芯片,chip(die),從含有器件或電路陣列的晶片上分割的至少包含有一個電路的部分
襯底,substrate,在其表面和内部制造器件或電路元件的材料
基片,substrate,對膜電路元器件和(或)外貼元器件形成支撐基體的片狀材料
膜,film,用任何澱積工藝在固體基片上形成的固體層
平面工藝,planar technique,采用掩膜擴散、金屬化、光刻等技術,在襯底上制造元器件和電路的過程 。
外延工藝,epitaxy technique,在襯底上生長一層與襯底有相同或相近晶相的半導體材料的過程
光刻工藝,photolithography technique,利用曝光、顯影、刻蝕等技術,在表面塗覆有光緻抗蝕劑膜的晶片上,制作出所需圖形的過程
真空蒸發,vacuum evaporation,在真空中将材料加熱,并使其蒸發澱積在其他材料表面上形成膜的過程
擴散工藝,diffusion technique,将雜質原子擴散到半導體晶體中,在該晶體中形成P型或N型電導率區域的過程。
離子注入,ion implantation,将被加速的離子注入到半導體晶體中,在該晶體中形成P型、N型或本征導電區
濺射,sputtering,利用輝光放電中氣體離子的轟擊使電極材料釋出,并澱積在其他材料表面上形成膜的過程
金屬化,metallization,澱積一層金屬膜,并制作布線圖形,從而形成所需内連線等的過程
表面鈍化,surface passivation,在P區、N區和PN結形成以後,在半導體表面生長或塗覆一層保護膜的過程
保護塗層,protective coating,塗在電路元件表面作為機械保護和防止污染的絕緣材料層。
引線鍵合,wire bonding,為了使細金屬絲與芯片上規定的金屬化區或底座上規定的區域形成歐姆接觸,而對它們施加應力的過程
封裝,encapsulation,為抵抗機械、物理和化學應力,用某種保護介質包封電路和元器件的通用工藝。
灌封,embedding,采用能夠固化的樹脂對電路、組件的主體進行埋置的過程
外殼(封裝),package(case),集成電路的全包封或部分包封體,外殼可以包含或提供引出端,它對集成電路的熱性能産生影響。
底座,header,封裝體中用來安裝半導體芯片的部分
機械标志,mechanical index,自動操作時提供方位的特征。
GJB548B微電子器件試驗方法和程序所涉及的術語
準确度,accuracy,産品誤差的量度,它由标準過程保證,或取決于校準的項目。
精度,precision,儀表、器件、組件、試驗、測量或過程顯現可重複性的程度。精度用統計學方法或各種統計過程控制,與可重複性可以互換。
分辨率,resolution,儀器、器件或組件已知數值的讀數或指示數的最小單位
陸芯晶圓劃片機
GB/T 51198-2016,微組裝生産線工藝設計規範的術語,
微組裝,micro-assembling,在高密度基闆上,采用表面貼裝和互連工藝将構成電子電路的集成電路芯片、片式元件及各種微型元器件組裝,并封裝在同一外殼内,形成高密度、高速度、高可靠性的高級微電子組件
環氧貼裝,epoxy die attaching,用導電或絕緣環氧樹脂膠将裸芯片和(或)片式阻容元件貼裝在基闆上,并通過加熱固化環氧樹脂實現芯片(元件)與基闆間的物理連接
再流焊,reflow soldering,在電路闆的焊盤上預塗的焊錫膏經過幹燥、預熱、熔化、潤濕、冷卻,将元器件焊接到印制闆上的工藝。
共晶焊,eutectic soldering,将二元或三元合金焊料加熱到不小于其共熔溫度(也即共晶溫度)而熔融,并經冷卻直接從液态共熔合金凝固形成固态共晶合金,實現芯片等元件的焊接工藝
倒裝焊,flip chip bonding,FCB,一種IC裸芯片與基闆直接安裝的互連方法,将芯片面朝下放置,通過加熱、加壓、超聲等方法使芯片電極或基闆焊區上預先制作的凸點變形(或熔融塌陷),實現芯片電極與基闆焊區間的對應互連焊接的工藝。
平行縫焊,parallel seam sealing,借助于平行縫焊系統,由通過計算機程序控制的高頻大電流脈沖使外殼底座與蓋闆在封裝界面縫隙處産生局部高熱而熔合,從而形成氣密性封裝的一種工藝手段。
激光焊,laser welding,以聚焦的激光束作為能源轟擊焊件所産生的熱量進行焊接的工藝
釺焊,braze welding,采用熔點或液相線溫度比母材低的填充材料(釺料),在加熱溫度低于母材熔點的條件下實現金屬間冶金結合的工藝。
塗覆,coating,在電路闆特定區域運用機械的、化學的、電化學的、物理的方法施加塑性的或非塑性的非導電薄層塗料,起環境保護和(或)機械保護作用
來源:今日半導體
半導體工程師
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