集微網消息，英特爾2022年投資者大會于北京時間2022年2月18日早晨召開，會上，英特爾分享了當前的技術進展。

在這裡需要指出的是，早于2021年，英特爾就更新了CPU工藝路線圖，并且開始改名，其中，10nm工藝變成了Intel 7，7nm變成了Intel 4，未來還有Intel 3、Intel 20A。

本次投資會上，英特爾提到，在制程方面，随着第12代英特爾®酷睿™處理器的推出，以及2022年即将推出的其他産品，Intel 7正在生産并批量出貨。此外，Intel 4（7nm）将采用極紫外光刻（EUV）技術，預計在2022年下半年投産，其晶體管的每瓦性能将提高約20%。Intel 4也将是英特爾首個使用EUV光刻機的工藝。可以看出英特爾在先進制程工藝上正加快發展腳步，試圖追趕台積電、三星等競争對手，頗有一種想要重奪晶圓代工龍頭地位的氣勢。

此外，Intel 3将具備更多功能，并在每瓦性能上實現約18%的提升，預計在2023年下半年投産。Intel 20A通過RibbonFET和PowerVia這兩項技術開啟埃米時代，将在每瓦性能上實現約15%的提升，并将于2024年上半年投産。Intel 18A在每瓦性能上将實現約10%的提升，預計在2024年下半年投産。

據了解，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現，它将成為英特爾自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現與多鳍結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。PowerVia則是Intel獨有的、業界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優化信号傳輸。

反觀競争對手方面，台積電此前表示，3nm制程進展符合進度，于2021年試産，并将于2022年下半年量産。三星電子則宣布将于2022年上半年開始生産首批3nm芯片，第二代3nm芯片預計将于2023年開始生産。

需要注意的是，雖然唯工藝節點論英雄的網友，一直在吐槽英特爾。但是根據Digitimes按照晶體管密度（即每平方毫米的芯片中，晶體管的個數是多少）算出來的報告：英特爾的10nm工藝，相當于台積電的7nm工藝，接近三星的5nm工藝；英特爾的7nm工藝，甚至比三星的3nm還要強，比肩台積電的5nm工藝；英特爾的5nm工藝，比台積電的3nm還要強，甚至比肩IBM之前公布的2nm工藝。

可以預想，随着這三家代工龍頭最新工藝節點的投産，今年在先進制程的競争将尤為激烈。

（校對/holly）

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