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氧化物界面如何産生氧空位

知識 更新时间:2025-02-26 22:25:18

  在金屬氧化物或者其他含氧化合物中,晶格中的氧原子(氧離子)脫離,導緻氧缺失,形成的空位,簡單來說,就是指氧離子從它的晶格中逸出而留下的缺陷,氧空位是半導體材料尤其是金屬氧化物半導體中最常見的一種缺陷,對半導體材料的性能有着重要影響。

  按照所處的空間位置不同,氧空位可以分為表面氧空位和體相氧空位,如果按照氧空位對光催化性能影響不同進行更細緻的分類,體相氧空位又可以分為次表面氧空位和體相氧空位兩種,如果按照束縛電子數進行分類,可以分為束縛雙電子型氧空位、束縛單電子型氧空位和無束縛電子型氧空位。

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