真空鍍膜技術是真空應用領域的一個重要方面，它是以真空技術為基礎，利用物理或化學方法，吸收離子配合磁控以及射頻等一系列技術手段，為科學研究和實際生産提供薄膜制備的一種新工藝。簡單地說，在真空中把金屬、合金或化合物進行蒸發或濺射，使其在被塗覆的物體上凝固并沉積的方法，稱為真空鍍膜。它已廣泛地應用于光學、電子學、能源開發，理化儀器、建築機械、包裝、民用制品、表面科學以及科學研究等領域中。
真空鍍膜分為兩大類，即物理氣相沉積（PVD）技術和化學氣相沉積（CVD）技術。簡易區分就是薄膜是否經過化學反應生成，是的話CVD，反之PVD。如下簡介實現的方法：
蒸發鍍
蒸發鍍的物理過程包括：沉積材料蒸發或升華為氣态粒子→氣态粒子快速從蒸發源向基片表面輸送→氣态粒子附着在基片表面形核、長大成固體薄膜→薄膜原子重構或産生化學鍵合。
真空度：P ≤ 10-3 Pa 基片距離 (相對于蒸發源)：10~50 cm
陰極濺射鍍膜
在真空環境中P ≤ 10-3 Pa，充入一定量的惰性氣體（常用氩氣），以靶材做陰極，工件做陽極，兩極間的高壓使氣體電離，離子在電場作用下高速轟擊靶材，靶面濺射出的粒子飛向陽極的工件沉積在表面形成膜層。
離子鍍膜
在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發物質部分離化，在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊作用的同時把蒸發物或其反應物沉積在基底上。實現離子鍍，有兩個必要的條件：1.造成一個氣體放電的空間；2.将鍍料原子引進放電空間，使其部分離化。
化學氣相沉積鍍膜
化學氣相沉積鍍膜：主要是在中溫或者高溫下發生化學反應産生的固化物質沉積在工件表面，形成揮發性物質→物質轉移至沉積區域→在固體上産生化學反應并産生固态物質。沒有一定的真空度要求。
後續推出真空鍍膜的系列知識，從簡入深，歡迎大家關注點閱。下次見。。。。。。
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