在美光、三星先後搞定1Znm工藝的16Gb DDR4 DRAM内存芯片後,SK海力士也終于跟上隊伍了。
16Gb DDR4-3200内存芯片是當前行業内存儲密度最高、速度最快的DRAM産品,預計明年開始大規模出貨。
能效指标方面,SK海力士稱1Znm相較于1Ynm,生産效率提升了27%;功耗與1Y nm 8Gb DRAM相比,下降了40%。
SK海力士透露,他們在1Znm世代導入了新研發的電容,還引入新設計,以提高穩定性。
按規劃,1Z nm很快将應用于LPDDR5、HBM3等芯片上,成為更優質産品的代名詞。
PS:
在内存工藝進入20nm之後,由于制造難度越來越高,内存芯片公司對工藝的定義已經不是具體的線寬,而是分成了1X、1Y、1Z,大體來說1Xnm工藝相當于16-19nm級别、1Ynm相當于14-16nm,1Znm工藝相當于12-14nm級别。
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