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朗科内存好不好

生活 更新时间:2025-01-12 18:44:04

一、前言:接班三星B-Die的國産長鑫内存顆粒

說到朗科,很多人第一時間會想到U盤。其實作為U盤的發明者,朗科除了生産U盤和閃存之外,還涉獵到了内存、SSD固态盤等領域,也許很多人并不知道。

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剛剛拿到這款朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14限量版内存的時候,第一反應就是應該是采用了絕版的三星B-Die顆粒。

目前DDR4顆粒中,也隻有特挑的B-Die才能在3200MHz以上的頻率上達成C14時序(14-14-14-34),正常體質隻能14-16-16-36。

我們熟知的海力士CJR顆粒,雖然可以輕松達到很高的頻率,但是高頻C14時序對它來說幾乎是不可能實現的事情。

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然而我們沒有想到的是,這款朗科絕影RGB DDR4-3200 14-14-14-34限量版内存用的竟然是國産的長鑫顆粒!!!!

這絕對是第一款純國産的高規格DDR4内存。

此次朗科發布的絕影RGB DDR4内存一共有3種型号,我們拿到的3200MHz 14-14-14-34屬于限量版。

另外還有兩種量産版,規格分别是3200MHz 14-16-16-36 1.35V、3600MHz 16-18-18-38 1.35V,時序都有所放寬,但依然是非常高端的檔次。

二、圖賞:電鍍銀工藝 可控RGB燈效

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包裝盒正面左上角是朗科的中英文Logo,右上角顯示可以支持主流主闆的神光同步效果。

右下角寫着終身保固。

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包裝盒背面介紹了一些内存的特性,可調RGB燈效、特挑顆粒等等。

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内存的馬甲采用了電鍍銀工藝,類似鏡面,通電之後,鏡面對RGB光效會産生反射效果。

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散熱馬甲采用的是5052系,厚度0.8mm的鋁材制造,經沖壓一體成型,表面使用了電鍍銀工藝,有鏡面反光效果,不過也比較容易收集指紋。

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另一面的貼紙上可以看到内存的規格,DDR4 3200MHz,時序14-14-14-34,電壓1.35V,單條容量8GB。

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拆下散熱馬甲,從左到右依次是2個鋁制散熱片,PCB本體、導光棒。

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内存采用單面設計,一面有8顆内存顆粒。

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另外一面是空的。

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特挑的長鑫顆粒,畢竟做到3200MHz 14-14-14-34并不是那麼容易。

為了實現神光同步,也就是讓玩家自由設置RGB燈效,朗科在内存的PCB闆上集成了一顆ENE 6K5830UA0芯片,用于控制燈效。

目前市面上絕大多數支持RGB燈效的内存都沒有專門的控制芯片,也就是說無法讓玩家控制燈效,當然也無法做到神光同步效果。

三、超頻測試:1.4V電壓可超4000MHz 18-18-18-39

測試平台如下

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為了驗證内存的兼容性,我們在AMD和Intel平台上分别進行了測試。

比較奇怪的事情就是,在微星Z590 ACE主闆上很難點亮,診斷卡顯示E0,但是在幾塊華碩和技嘉的闆子上卻沒有任何問題。

1、AIDA64内存緩存測試

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CPU-Z可以檢測出一部分參數,朗科制造、長鑫顆粒、内存型号是Limited Edition,也就是限量版。

内置了2組XMP參數,分别是3200MHz 14-16-16-36和3200MHz 14-14-14-34,電壓都是1.35V。

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這是直接開啟XMP後的測試數據,内存的讀取、寫入和複制帶寬分别為46662MB/s、46042MB/S、40460MB/s,而内存的延遲則為51.8ns。

2、超頻測試

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不需要調整電壓就可以超頻到3600MHz,隻不過時序需要稍微放寬到15-16-16-36,此時内存延遲降到了49.7ns。

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将電壓調到1.4V之後,可以超頻到4000MHz,時序為18-18-18-39,實測内存讀取讀取、寫入和複制帶寬分别為57550MB/s、56686MB/S、50128MB/s,此時延遲降到了46.7ns,這個數字要強于市面上絕大多數4000MHz的DDR4内存。

3、超頻穩定性測試

超頻到4000MHz的時候我們隻是内存電壓調到了1.4V,其他電壓全自動。

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主闆給的自動電壓,VCCIO的1.3V還算正常,不過VCCSA的電壓達到了1.57V,建議手動調整一下,最好不要超過1.4V。

使用MemtestPro 4.3測試超頻後的穩定性,總計測試了2小時48分鐘,測試期間出現了一個報錯,不過也就僅此一個。

一般來說,一個報錯對于系統的穩定性都不會造成什麼影響,當然,如果是0報錯就更好了。

四、總結:國産DDR4顆粒第一次媲美三星

經曆了12代酷睿、DDR5内存的洗禮之後,現在大家都知道了内存延遲的重要性。過高的延遲導緻DDR5需要5200MHz以上的頻率,才能在遊戲性能上勉強勝出3600MHz的DDR4内存。

對于内存而言,降低時序無外乎2種方法:提升頻率、降低時序。

首先說頻率,今時今日,不論是AMD平台還是Intel平台,DDR4内存最佳頻率都是3600/3800MHz,更高的頻率會導緻AMD FCLK和Intel的内存控制器頻率減半,内存延遲暴漲,得不償失。

至于時序,我們前面也說到了,此前隻有三星B-Die可以做到高頻C14時序,而長鑫則是第二家能做到3200MHz 14-14-14-34的内存廠商。

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再來說說這款朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14内存。

我們在測試中發現了幾個問題,首先是它對于特定型号的微星主闆支持不是太好,但是華碩、技嘉則完全沒有任何問題。

在超頻方面,這款内存可以在默認1.35V電壓下超頻到3600MHz 15-16-16-36,稍微加壓到1.4V之後,可以穩定在4000MHz 18-18-18-39并能通過Memtest穩定性測試。

很奇怪的是,在1.4V之後繼續加壓并不能提升内存頻率了,有點不合常理。

針對這部分超頻上的限制問題,據朗科内存産品負責人透露,他們目前正在積極與主闆廠的BIOS團隊針對長鑫顆粒做超頻優化調教,希望能為國産顆粒生态圈的完善出一分力量。

不過頻率超過4000MHz之後,在主流平台上,DDR4内存的遊戲性能其實是不升反降的,所以也不用太過糾結4000MHz以上的頻率。

B-Die顆粒早已停産,市面上的存貨價格都相對昂貴,這一點國産顆粒的優勢就來了,在價格上長鑫的特挑顆粒售價要遠低于三星B-Die。

對于想要體驗高性能内存的小夥伴而言,朗科絕影RGB DDR4-3200 CL14内存可算是一個非常合理的選擇。

最後,根據朗科透漏給我們的消息,他們已經挑出了一批DDR4 4000MHz 17-18-18-36 1.35V内存,現在對國産顆粒稍微有了那麼一點點期待

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