說起内存，對于普通人來說可能并沒有什麼好談的，它雖然是電腦中不可或缺的硬件，但隻要容量夠大，對遊戲和日常使用體驗的影響感知不強。

但對于DIY玩家來說，刷新内存頻率的新高同時收窄時序是他們一直追求的事情。

雖然3600MHz可能就比2400MHz的内存玩遊戲高那麼幾幀，但是這數字看着就很舒服。

決定内存超頻主要的因素有三個，其一搭配CPU的IMC（内存控制器），這個主要跟IMC設計有關，而且它也和CPU體質一樣，同型号每一顆處理器的IMC都會有體質上的差異；其次就是主闆和主闆BIOS，這就看主闆廠商的調教了；最後就是取決于内存的顆粒，今天曉邊就來帶大家認識一下主流的内存顆粒，也方便大家買到便宜好用還能超頻的内存。

内存顆粒之間有何區别？

為什麼内存顆粒之間會有體質區别？首先生産内存顆粒的廠商就有很多家，這個應該很多DIY玩家都知道了。

這裡簡單羅列一下，目前消費市場90%的内存顆粒都是由鎂光、海力士、三星這三大家來自美韓的巨頭生産。

除此以外還有南亞、華邦和力晶等台灣廠商也會生産，不過後面這幾家廠商現在主要生産服務器内存的顆粒，消費市場就相對少一點。

内存顆粒就是DRAM芯片，每家廠商技術研發實力不同，芯片設計不同，采用的制造工藝也不同，生産出來的芯片質量自然也會有差别。

即使是同一家廠商生産的内存顆粒，也是會疊代發展的，比如海力士第一代DDR4内存顆粒主要有H5AN8G8NMFR和H5AN4G8NMFR等以MFR結尾的顆粒，民間稱之為MFR顆粒。

這些顆粒能穩定運行在2666MHz或者2400MHz的頻率下，但是超頻潛力幾乎沒有，狂加電壓也無法成功。

随後海力士就推出了以AFR結尾的顆粒，這代顆粒明顯改善了超頻性能，加壓即可超頻，頻率顯著提升，現在又疊代發展到第三代的CJR顆粒。

目前主流的内存顆粒有哪些？

那麼目前主流的内存顆粒有哪些呢？我們就分廠商來說吧。

海力士

舉例時用了海力士，我們就先談海力士的顆粒。

剛剛也說了海力士第一代主推的DDR4内存顆粒為MFR顆粒(也稱海力士 M-die），25nm制程，MFR顆粒穩定耐用，但是超頻能力幾乎沒有，現在還多見于低頻的DDR4内存中。

但是對比友商三星在顆粒上極好的超頻體質，海力士處于了下風。

為了改善這一情況，2015年年末開始，海力士就推出了H5AN8G6NAFR（8Gb）、H5AN8G8NAFR（8Gb）、H5AN4G8NAFR（4Gb）和H5AN4G6NAFR（4Gb）三種顆粒，宣告了AFR顆粒（也稱為海力士A-die）的到來。

通常使用21nm制程的AFR顆粒相比MFR有更好的超頻能力，隻要加電壓頻率上3200MHz并不難，但是體質并不算好，高頻下時序也很一般。

海力士CJR顆粒

是SK海力士Hynix C-die顆粒，是繼MFR、AFR之後的第三代8Gbit顆粒。

采用1X nm（通常為18nm)制程，由于型号“H5AN8G4NCJR”等後綴為CJR的顆粒，所以也稱CJR顆粒。

CJR顆粒體質好，更重要的是對近年來大火的銳龍平台兼容性非常好，上3600MHz輕輕松松，因此成了DIY玩家，特别是AMD平台玩家的寵兒。

除此以外海力士還推出了更新一代的JJR（J-die）顆粒，但這個顆粒是為了取代此前的MFR和AFR顆粒，超頻體質稍微不如CJR顆粒。

簡單總結一下，目前市場主流的海力士顆粒中，以體質排序CJR>JJR>AFR>MFR,當然不排除有個别體質好的特例能以下犯上。

三星

三星内存顆粒早在DDR3時代就非常能超，在DIY圈建立了口碑，DDR4時代亦是如此，這裡就不得不提到三星B-die這個顆粒了。

三星B-die是DDR4時代的超頻傳奇，大部分為20nm制程，無數内存超頻記錄都是由他完成，是DIY玩家心中的極品顆粒。

三星B-die對AMD和Intel兼容性都很好，在Intel平台達到4000MHz以上頻率更是基本操作，時序還很低，深受玩家喜愛。

不過我們常說的B-die顆粒，其實是特指K4A8G045WB、K4A8G085WB等5WB後綴系列中的BCBP顆粒。

這些顆粒是被特挑出來專門做旗艦内存的，所以更準确地說體質好的應該叫特挑B-die。

剩下的普通B-die 體質雖然也很不錯，但是不具備有挑戰超頻記錄的實力，還有一種邊角料的B-die ，這些就是體質最差的B-die了。

不過遺憾的是三星上年宣布停産B-die顆粒，一代傳奇就此落幕。

現在市面上已經越來越難買到三星B-die顆粒的内存了，有也是之前内存廠商屯起來用于制造旗艦産品，價格昂貴。

接替B-die顆粒的是三星A-die和M-die，新的顆粒提升了密度，單顆容量更大，讓成本降低，方便制造單條32GB或更大的内存。

而根據三星所說A-die超能能力與B-die一緻甚至更好，容量更大，M-die則次一點。

但是這麼好的顆粒三星主要用于專業市場和服務器市場，消費市場還沒排到，可能等産能上去了我們普通消費者才能接觸到了。

除此以外目前市場上的三星顆粒還有C-die和E-die，這些體質就相對一般了。

總結來說，就讨論目前大家能買到的三星内存顆粒體質，特挑B-die>普通B-die>邊角料B-die>C-die≈E-die，而A-die和M-die因為市面沒買到也沒實測，就不說了。

鎂光

此前鎂光顆粒在DIY圈子中存在感還是比較低的，一般穩定耐用，但是超頻性能沒有三星那麼奪目。

鎂光B-die是比較早期的DDR4顆粒，也是鎂光出貨量很大的顆粒，這類顆粒穩定耐用，但是别想着能怎麼超頻了，買到了默認用就好。

除此以外鎂光還有一家子公司Spectek專門處理鎂光檢測中不合格的降級顆粒，這些降級内存顆粒會打上Spectek的大S标志，被稱為大S顆粒。

大S顆粒都是鎂光的降級片，但也有好有壞。

舉個例子，鎂光生産3200MHz頻率的内存顆粒，把達不到要求的給Spectek降級成2400MHz标準處理售賣，那你不能說這些顆粒達不到3200MHz要求就是垃圾顆粒；

但也有些大S顆粒是低端内存篩選标準篩選下來的，良率特低，這些就是垃圾顆粒了。

因此大S顆粒魚龍混雜，也是很多山寨内存條喜歡用的内存顆粒，不是專業能熟讀顆粒型号的DIY玩家還是避開比較好。

當然，随着時間推移，鎂光也和海力士一樣奮發圖強，推出了一批容易上高頻關鍵價格還不貴的顆粒，它就是最近大火，以5726MHz的成績打破DDR4内存超頻記錄的鎂光E-die。

鎂光E-die是鎂光17年末生産的顆粒，隻是在三星B-die停産之前沒什麼人玩，直到19年才被神通廣大的DIY玩家發掘出來。

在超頻玩家的手中鎂光E-die超頻到4000MHz難度不大，但電壓要加得比較高，而且時序比較難收窄。

雖然有一些瑕疵，但鎂光E-die最近還是被熱捧，因為目前鎂光E-die主要用于英睿達的原廠内存上，價格最低的隻要200多一條，非常實惠，堪稱平民法拉利。

鎂光E-die的顆粒不同型号也會有體質上的差異，目前民間實踐過最好的是C9BJZ，其次是D9VPP,其他則與普通B-die沒有明顯差距。

如果給鎂光的顆粒體質排一個順序，大概就是E-die C9BJZ>E-die D9VPP>其他E-die>B-die>大S。

看完各家小結，大家應該都能看懂哪些顆粒比較好了，但是要是三家彙總起來應該怎麼排序呢？

不慌，這裡曉邊就簡單總結了一個簡易的内存顆粒天梯表給大家參考，有需要的小夥伴也可以保存下來。

那麼内存顆粒怎麼看呢？

一般情況下内存顆粒表面就有它的編号了，但是現在的内存基本都有馬甲，對于一般消費者來說拆開馬甲看顆粒并不現實。

此時一個比較方便的方法就通過軟件Thaiphoon Burner，這個軟件能讀取内存的各種信息，下面教一下大家如何使用。

百度下載該軟件後，直接打開，點擊紅框框的Read就能進入信息頁面。

我這條就是十铨生産的内存，使用的是Hynix海力士的顆粒，顆粒編号以CJR結尾，型号也寫明了是C-die，很明顯我這條内存使用的就是海力士的CJR顆粒了。

以此類推，這條内存就是鎂光的D9VPP E-die。

這條内存就是三星特挑BCPB的B-die。

不過台風也不完全準，是基于它的大數據估測的，但也八九不離十，大家想看的話記得更新軟件到最新的版本會更為靠譜一些。

總結

其實除了少部分發燒級DIY玩家以外，内存顆粒的體質對大部分人還是沒什麼影響的，一般人買了内存回去，開了XMP默認用也能很舒服，本篇文章也是面向極小衆的DIY發燒級玩家。

而對于這部分發燒友，曉邊最後還給一個選購的建議。

三星的B-die已經停産，現在基本隻存在與高價的旗艦内存中，不必過分強求，鎂光的C9BJZ是一個很好的替代品。

目前C9BJZ多用于鎂光自家的英睿達内存中，某東平台上自營的英睿達鉑勝3000MHz的馬甲條就大概率是使用C9BJZ顆粒。

目前這款内存也是賣到漲價斷貨了，喜歡折騰的玩家可以關注。

責編：陶宗瑤

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