内轉載自加油射頻工程師
世界上第一個電容器,在萊頓城發明,所以稱之為萊頓瓶。
萊頓瓶就是一個玻璃瓶,玻璃瓶的外側和内側都有錫箔,内部錫箔通過金屬鍊連接到瓶口。錫箔就相當于兩個平闆,通過玻璃瓶隔開。
剛開始,科學家們以為是封閉的瓶子存儲了電荷,後來發現,就算隻有兩塊平闆,隻要讓他們不接觸,就能儲存電荷。
(1)電容的定義
其中,E是指兩平闆間的電場,d是指兩平闆間的距離,A是平闆的面積,σ是指平闆上單位面積上的電荷。
電容定義為有限電勢差下所能容納的電荷量。
所以,我們可以了解到:
(2)電容的工作原理
在電容的兩端,加上一個電池。因為電子總是流向高電勢,所以當電池連通時,電勢低的導電平闆上的電子就會被吸引走,而另一平闆上則會吸引電子。因此,平闆中一端開始帶正電荷,另一端開始帶負電荷。
當電容兩端的電勢分别和電池兩端的相等時,電子的運動停止,此時電容的兩端平闆分别帶有同等容量的正電荷和負電荷。
為什麼是同等容量呢?是因為電荷守恒定律,就是說,電荷總量永遠保持不變,一個物體産生負電荷,同時,肯定在其他地方有同等量的正電荷産生。
再從宏觀上來看一下這個過程:
當給電容兩端加一交流電源時,電子則不斷地重複這樣一個步驟:
從平闆1流向電源,從電源流向平闆2;從平闆2流向電源,從電源流向平闆1,電路中會産生交流電流。電子沒有通過平闆間的介質内部,而是在外部電路上運動,産生交流電流,這個現象,即為電容能通交流。
電子的運動,導緻平闆中的電荷發生變化,Q=CV=CEd,導緻平闆間的場發生變化,即表征為位移電流。
(3)電容的Q值
電容的Q值公式如下圖所示:
Q值一般是指電路中存儲的能量與消耗的能量的比值。所以就很容易理解上述的公式。一般電抗儲存能量,電阻消耗能量。
從上面的公式中,可以得到以下幾點結論:
(4)電容的DC偏置特性和溫度特性
電容的DC偏置特性,是指在電容上施加直流電壓時,電容的容量會減小。
電容的溫度特性,是值溫度變化時,電容的容量也會發生變化。
在LDO的手冊上,會對其的輸出電容的容值有規定,以避免振蕩。
所以,在選擇電容時,要考慮其溫度和DC-bias曲線。
比如說村田的GRM21BR61D106KE15,發現其容值在有直流電壓的情況下,幾乎是成線性下降,10uF的電容,在DC bias為12V的時候,降到2uF。
以上兩種特性,比較嚴重的,一般是使用高介電常數钛酸鋇(BaTiO3)的陶瓷電容器;而使用低介電常數的二氧化钛(TiO2)的陶瓷電容器,則容值受溫度和直流電壓影響都比較小。
要知道所選型電容的這兩種特性,可以去廠家的官網上去查看。一般手冊上也會有相應的曲線。
村田的選型工具上,也都有這些曲線。
(5)電容值的頻率特性
在村田的選型工具中,會發現電容的值,随着頻率的升高而增大。發生這個現象的原因,主要是電容的寄生效應,上圖中的電容值,是指器等效電容值。
所以,由于寄生電感的存在,随着頻率的升高,C會逐漸變大。
(6)陶瓷電容的實際制作
由電容的定義可知,要獲得大的電容值,就需要在3個方面下功夫,分别為平闆面積A,平闆間的距離d,填充介質的介電常數ε。
而陶瓷電容則是在這三個方面下足了功夫:
比如說,村田使用的介電材料钛酸鋇(BaTiO3),其相對介電常數提高到了3000左右,而介質厚度已經達到了0.5um。雖然這種材料溫度特性和DC-bias特性稍差,但是其容值可以做的很高,因為3000的介電常數在那。
為了制作出一個陶瓷電容,一般需要以下幾個步驟:
(7)電容的焊接問題
電容尺寸開始越來越小型化,現在最小的已是01005,尺寸隻有0.4mm×0.2mm,比芯片管腳還要小。
在電容貼裝的時候,經常會發生偏移,翹立或者豎立的現象。這些現象,通常是由于作用于左右兩邊電極的張力不平衡。
左右焊盤的尺寸不一緻,或者左右焊盤上的錫量不相同,或者貼裝機貼裝的元器件位置偏移嚴重,或者回流焊時左右兩極的溫差不一緻,這些都會造成左右兩邊電極的張力不平衡。
所以,我們在使用電容時,需要做到:
該内容是小編轉載自加油射頻工程師,僅供學習交流使用,如有侵權,請聯系删除。如果你還想了解更多關于電子元器件的相關知識及電子元器件行業實時市場信息,敬請關注微信公衆号 【上海衡麗貿易有限公司】
,更多精彩资讯请关注tft每日頭條,我们将持续为您更新最新资讯!