一、最新的RAM技術詞彙

CDRAM-Cached DRAM——高速緩存存儲器

CVRAM-Cached VRAM——高速緩存視頻存儲器

DRAM-Dynamic RAM——動态存儲器

EDRAM-Enhanced DRAM——增強型動态存儲器

EDO RAM-Extended Date Out RAM——外擴充數據模式存儲器

EDO SRAM-Extended Date Out SRAM——外擴充數據模式靜态存儲器

EDO VRAM-Extended Date Out VRAM——外擴充數據模式視頻存儲器

FPM-Fast Page Mode——快速頁模式

FRAM-Ferroelectric RAM——鐵電體存儲器

SDRAM-Synchronous DRAM——同步動态存儲器

SRAM-Static RAM——靜态存儲器

SVRAM-Synchronous VRAM——同步視頻存儲器

3D RAM-3 DIMESION RAM——3維視頻處理器專用存儲器

VRAM-Video RAM——視頻存儲器

WRAM-Windows RAM——視頻存儲器(圖形處理能力優于VRAM)

MDRAM-MultiBank DRAM——多槽動态存儲器

SGRAM-Signal RAM——單口存儲器

二、存儲器有哪些主要技術指标

存儲器是具有“記憶”功能的設備，它用具有兩種穩定狀态的物理器件來表示二進制數碼“0”和“1”，這種器件稱為記憶元件或記憶單元。記憶元件可以是磁芯，半導體觸發器、MOS電路或電容器等。位(bit)是二進制數的最基本單位，也是存儲器存儲信息的最小單位，8位二進制數稱為一個字節(Byte)，可以由一個字節或若幹個字節組成一個字(Word)在PC機中一般認為1個或2個字節組成一個字。若幹個憶記單元組成一個存儲單元，大量的存儲單元的集合組成一個存儲體(MemoryBank)。為了區分存儲體内的存儲單元，必須将它們逐一進行編号，稱為地址。地址與存儲單元之間一一對應，且是存儲單元的唯一标志。應注意存儲單元的地址和它裡面存放的内容完全是兩回事。

根據存儲器在計算機中處于不同的位置，可分為主存儲器和輔助存儲器。在主機内部，直接與CPU交換信息的存儲器稱主存儲器或内存儲器。在執行期間，程序的數據放在主存儲器内。各個存儲單元的内容可通過指令随機讀寫訪問的存儲器稱為随機存取存儲器(RAM)。另一種存儲器叫隻讀存儲器(ROM)，裡面存放一次性寫入的程序或數據，僅能随機讀出。RAM和ROM共同分享主存儲器的地址空間。RAM中存取的數據掉電後就會丢失，而掉電後ROM中的數據可保持不變。因為結構、價格原因，主存儲器的容量受限。為滿足計算的需要而采用了大容量的輔助存儲器或稱外存儲器，如磁盤、光盤等。存儲器的特性由它的技術參數來描述。

存儲容量：存儲器可以容納的二進制信息量稱為存儲容量。一般主存儲器(内存)容量在幾十K到幾十M字節左右；輔助存儲器(外存)在幾百K到幾千M字節。

存取周期：存儲器的兩個基本操作為讀出與寫入，是指将信息在存儲單元與存儲寄存器(MDR)之間進行讀寫。存儲器從接收讀出命令到被讀出信息穩定在MDR的輸出端為止的時間間隔，稱為取數時間TA；兩次獨立的存取操作之間所需的最短時間稱為存儲周期TMC。半導體存儲器的存取周期一般為60ns-100ns。

存儲器的可靠性：存儲器的可靠性用平均故障間隔時間MTBF來衡量。MTBF可以理解為兩次故障之間的平均時間間隔。MTBF越長，表示可靠性越高，即保持正确工作能力越強。

性能價格比：性能主要包括存儲器容量、存儲周期和可靠性三項内容。性能價格比是一個綜合性指标，對于不同的存儲器有不同的要求。對于外存儲器，要求容量極大，而對緩沖存儲器則要求速度非常快，容量不一定大。因此性能/價格比是評價整個存儲器系統很重要的指标。

三、SDARM能成為下一代内存的主流嗎？

快頁模式(FPM)DRAM的黃金時代已經過去。随着高效内存集成電路的出現和為優化Pentium芯片運行效能而設計的INTEL HX、VX等核心邏輯芯片組的支持，人們越來越傾向于采用擴展數據輸出(EDO)DRAM。EDO DRAM采用一種特殊的内存讀出電路控制邏輯，在讀寫一個地址單元時，同時啟動下一個連續地址單元的讀寫周期。從而節省了重選地址的時間，使存儲總線的速率提高到40MHz。也就是說，與快頁内存相比，内存性能提高了将近15%～30%，而其制造成本與快頁内存相近。但是EDO内存也隻能輝煌一時，其稱霸市場的時間将極為短暫。不久以後市場上主流CPU的主頻将高達200MHz以上。為優化處理器運行效能，總線時鐘頻率至少要達到66MHz以上。多媒體應用程序以及Windows 95和Windows NT操作系統對内存的要求也越來越高，為緩解瓶頸，隻有采用新的内存結構，以支持高速總線時鐘頻率，而不至于插入指令等待周期。這樣，為适應下一代主流CPU的需要，在理論上速度可與CPU頻率同步，與CPU共享一個時鐘周期的同步DRAM(SYNCHRONOUS DRAMS)即SDRAM(注意和用作CACHE的SRAM區别，SRAM的全寫是Static RAM即靜态RAM，速度雖快，但成本高，不适合做主存)應運而生，與其它内存結構相比，性能\價格比最高，勢必将成為内存發展的主流。

SDRAM基于雙存儲體結構，内含兩個交錯的存儲陣列，當CPU從一個存儲體或陣列訪問數據的同時，另一個已準備好讀寫數據。通過兩個存儲陣列的緊密切換，讀取效率得到成倍提高。去年推出的SDRAM最高速度可達100MHz，與中檔Pentium同步，存儲時間高達5～8ns，可将Pentium系統性能提高140%，與Pentium 100、133、166等每一檔次隻能提高性能百分之幾十的CPU相比，換用SDRAM似乎是更明智的升級策略。在去年初許多DRAM生産廠家已開始上市4MB×4和2MB×8的16MB SDRAM内存條，但其成本較高。現在每一個内存生産廠家都在擴建SDRAM生産線。預計到今年底和1998年初，随着64M SDRAM内存條的大量上市，SDRAM将占據主導地位。其價格也将大幅下降。

但是SDRAM的發展仍有許多困難要加以克服，其中之一便是主闆核心邏輯芯片組的限制。VX芯片組已開始支持168線SDRAM，但一般VX主闆隻有一條168線内存槽，最多可上32M SDRAM，而簡潔高效的HX主闆則不支持SDRAM。預計下一代Pentium主闆芯片組TX将更好的支持SDRAM。Intel最新推出的下一代Pentium主闆芯片組TX将更好的支持SDRAM。

SDRAM不僅可用作主存，在顯示卡專用内存方面也有廣泛應用。對顯示卡來說，數據帶寬越寬，同時處理的數據就越多，顯示的信息就越多，顯示質量也就越高。以前用一種可同時進行讀寫的雙端口視頻内存(VRAM)來提高帶寬，但這種内存成本高，應用受很大限制。因此在一般顯示卡上，廉價的DRAM和高效的EDO DRAM應用很廣。但随着64位顯示卡的上市，帶寬已擴大到EDO DRAM所能達到的帶寬的極限，要達到更高的1600×1200的分辨率，而又盡量降低成本，就隻能采用頻率達66MHz、高帶寬的SDRAM了。SDRAM也将應用于共享内存結構(UMA)——一種集成主存和顯示内存的結構。這種結構在很大程度上降低了系統成本，因為許多高性能顯示卡價格高昂，就是因為其專用顯示内存成本極高，而UMA技術将利用主存作顯示内存，不再需要增加專門顯示内存，因而降低了成本。

四、什麼是Flash Memory存儲器

介紹關于閃速存儲器有關知識近年來，發展很快的新型半導體存儲器是閃速存儲器(Flash Memory)。它的主要特點是在不加電的情況下能長期保持存儲的信息。就其本質而言，Flash Memory屬于EEPROM(電擦除可編程隻讀存儲器)類型。它既有ROM的特點，又有很高的存取速度，而且易于擦除和重寫，功耗很小。目前其集成度已達4MB，同時價格也有所下降。由于Flash Memory的獨特優點，如在一些較新的主闆上采用Flash ROM BIOS，會使得BIOS升級非常方便。Flash Memory可用作固态大容量存儲器。目前普遍使用的大容量存儲器仍為硬盤。硬盤雖有容量大和價格低的優點，但它是機電設備，有機械磨損，可靠性及耐用性相對較差，抗沖擊、抗振動能力弱，功耗大。因此，一直希望找到取代硬盤的手段。由于Flash Memory集成度不斷提高，價格降低，使其在便攜機上取代小容量硬盤已成為可能。目前研制的Flash Memory都符合PCMCIA标準，可以十分方便地用于各種便攜式計算機中以取代磁盤。當前有兩種類型的PCMCIA卡，一種稱為Flash存儲器卡，此卡中隻有Flash Memory芯片組成的存儲體，在使用時還需要專門的軟件進行管理。另一種稱為Flash驅動卡，此卡中除Flash芯片外還有由微處理器和其它邏輯電路組成的控制電路。它們與IDE标準兼容，可在DOS下象硬盤一樣直接操作。因此也常把它們稱為Flash固态盤。Flash Memory不足之處仍然是容量還不夠大，價格還不夠便宜。因此主要用于要求可靠性高，重量輕，但容量不大的便攜式系統中。在586微機中已把BIOS系統駐留在Flash存儲器中。

五、RAM是如何工作的

實際的存儲器結構由許許多多的基本存儲單元排列成矩陣形式，并加上地址選擇及讀寫控制等邏輯電路構成。當CPU要從存儲器中讀取數據時，就會選擇存儲器中某一地址，并将該地址上存儲單元所存儲的内容讀走。早期的DRAM的存儲速度很慢，但随着内存技術的飛速發展，随後發展了一種稱為快速頁面模式(Fast Page Mode)的DRAM技術，稱為FPDRAM。FPM内存的讀周期從DRAM陣列中某一行的觸發開始，然後移至内存地址所指位置的第一列并觸發，該位置即包含所需要的數據。第一條信息需要被證實是否有效，然後還需要将數據存至系統。一旦發現第一條正确信息，該列即被變為非觸發狀态，并為下一個周期作好準備。這樣就引入了“等待狀态”，因為在該列為非觸發狀态時不會發生任何事情(CPU必須等待内存完成一個周期)。直到下一周期開始或下一條信息被請求時，數據輸出緩沖區才被關閉。在快頁模式中，當預測到所需下一條數據所放位置相鄰時，就觸發數據所在行的下一列。下一列的觸發隻有在内存中給定行上進行順序讀操作時才有良好的效果。從50納秒FPM内存中進行讀操作，理想化的情形是一個以6-3-3-3形式安排的突發式周期(6個時鐘周期用于讀取第一個數據元素，接下來的每3個時鐘周期用于後面3個數據元素)。第一個階段包含用于讀取觸發行列所需要的額外時鐘周期。一旦行列被觸發後，内存就可以用每條數據3個時鐘周期的速度傳送數據了。FP RAM雖然速度有所提高，但仍然跟不上新型高速的CPU。很快又出現了EDO RAM和SDRAM等新型高速的内存芯片。

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