鑒于有粉絲向我提問，SLC、MLC與TLC選擇哪種比較好，宏旺半導體ICMAX根據在行業内的多年經驗，先跟大家梳理一下SLC、MLC及TLC三種閃存差異，并從專業的角度提供選擇方案。

根據閃存顆粒中單元存儲密度的差異，閃存又分為SLC、MLC及TLC三種類型，TLC其實隻是一個形容詞，我們所說的TLC指的是TLC閃存，而其中的TLC指的是Triple Level Cell，直接翻譯過來叫做3階單元，比較通俗的意思就是“一個單元可以存儲3個信息”，相對應的MLC芯片為“一個單元可以存儲2個信息”，SLC芯片則為“一個單元可以存儲1個信息”。

SLC、MLC、TLC三種閃存的MOSFET是完全一樣的，區别在于如何對單元進行編程。SLC要麼編程，要麼不編程，狀态隻能是0、1。MLC每個單元存儲倆比特，狀态就有四種00、01、10、11，電壓狀态對應也有四種。TLC每個單元三個比特，狀态就有八種了(000、001、010、100、011、101、110、111)。

SLC（Single-Level Cell ）單層式存儲，即1bit/cell，存儲密度最低、寫入數據時電壓變化區間小，壽命最長約10萬次擦寫壽命，穩定性最好，多數應用高端企業級産品。

MLC（Multi-Level Cell）閃存，即2bit/cell，多層式存儲，雙層存儲電子結構，存儲密度高于SLC，壽命在3000-5000次，應用民用中高端SSD上。

TLC（Trinary-Level Cell）閃存，即3bit/cell，也是目前最流行閃存芯片，存儲密度是MLC的1.5倍，成本最低，使用壽命也最短，在1000-1500次，穩定性也是三者中最差的。

SLC MLC TLC規格對比

詳細說來，SLC、MLC和TLC三者在價格方面的區别也是非常明顯：SLC速度快壽命長，價格貴，約MLC的3倍以上的價格；MLC ，速度一般壽命一般，價格一般；TLC ，也有Flash廠家叫8LC，速度慢壽命短，價格便宜。

MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)基本結構

那麼閃存的結構是什麼樣子的呢？請大家看上圖，在對一個閃存單元編程的時候，電壓加到控制栅極(control gate)上，形成一個電場，讓電子穿過矽氧化物栅欄，達到浮動栅極(floating gate)。穿越過程完成後，控制栅極上的電壓會立刻降回零，矽氧化物就扮演了一個絕緣層的角色。單元的擦除過程類似，隻不過電壓加在矽基底(P-well)上。

SLC隻需要兩種電壓狀态就可以保存所有數據 但是TLC則需要8種

ICMAX總結了更直觀理解SLC/MLC/TLC的區别：就是一份晶體管資源，存放單份數據、雙份數據、還是三份數據的區别。

² 成本：4：2：1；

² 壽命：100：10：1；

² 寫入速度：4：2：1；

² 寫入延遲：1：2：4。

簡單地說SLC的性能最優，價格超高，一般用作企業級或高端發燒友；MLC性能夠用，價格适中為消費級SSD應用主流；TLC綜合性能最低，價格最便宜，但可以通過高性能主控、主控算法來彌補、提高TLC閃存的性能。宏旺半導體ICMAX認為：一切撇開價格因素談選擇都是耍流氓，按需選擇，TLC早已攻占SSD半壁江山，是市場上主流選擇。

歡迎關注宏旺半導體ICMAX，宏旺半導體在存儲行業有十五年的經驗，産品型号包含了EMMC、EMCP、UFS、UMCP、SPI、LPDDR、DDR、SSD、内存、TF卡等，應用于手持移動終端、消費類電子産品、電腦及周邊、辦公、汽車電子及工業控制等設備的各個領域。有關于存儲不懂的問題都可以來問哈~第一時間回複。

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