内存時序參數怎麼看?在給電腦購買内存的時候，大多數人會注重看内存的容量和頻率參數，一般來說容量越大越好，頻率越高越好當然，這兩個參數很重要，但還有另一個重要參數往往被大家忽略，它便是内存時序那麼，什麼是内存時序，它對内存性能又會有哪些影響？本期科普，閃德君就帶大家一起來認識認識這一内存參數，下面我們就來聊聊關于内存時序參數怎麼看?接下來我們就一起去了解一下吧!

内存時序參數怎麼看

在給電腦購買内存的時候，大多數人會注重看内存的容量和頻率參數，一般來說容量越大越好，頻率越高越好。當然，這兩個參數很重要，但還有另一個重要參數往往被大家忽略，它便是内存時序。那麼，什麼是内存時序，它對内存性能又會有哪些影響？本期科普，閃德君就帶大家一起來認識認識這一内存參數。

時序會對内存芯片上各種常見操作之間的延遲産生影響，如果延遲超過一定限度，就會影響到内存的性能。一句話來概括，内存的時序是對内存在執行其各種操作時可能經曆的固有延遲的描述。

内存的時序是以時鐘周期來衡量的，大家可能在内存條的産品頁面上看到一串由破折号分隔的數字，比如16-18-18-38，這些數字便被稱為内存時序。本質上來講，由于它們代表了延遲，所以時序自然越低越好。這四個數字代表了所謂的 「主要時序」，對延遲的影響最為顯著。

内存時序4個數字對應的參數分别為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時間周期。其中CL（CAS Latency）表示「列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數」；tRCD（RAS to CAS Delay）表示「内存行地址傳輸到列地址的延遲時間」；tRP（RAS Precharge Time）表示「内存行地址選通脈沖預充電時間」；tRAS（RAS Active Time）表示「行地址激活的時間」。

看完上面這些，大家是不是更迷惑了？别急，下面我們舉個簡單例子來講講。

我們可以把内存存儲數據的地方想象成一個網格，且每個方格都存儲着不同的數據，CPU需要什麼數據，就向内存發出相應的指令。

比如CPU想要C3位置的數據。内存在接收到CPU的指令後，要先确定數據具體在哪一行，時序的第二個參數tRCD就代表這個時間，意思是内存控制器接收到行的指令後，需要等待多長時間才能訪問這一行。

内存确定了數據所在的行之後，要想找出數據，還得确定列。時序的第一個數字也就是CL，就表示内存确定行數之後，還要等待多長時間，才能訪問具體的列。

确定了行數和列數之後，就能準确找到目标數據，所以CL是一個準确的值，任何改動都會影響目标數據的位置，所以它在時序中是最關鍵的一個參數，對内存性能的發揮有着舉足輕重的作用。

内存時序的第三個參數tRP，就是已經确定了一行，還要再确定另外一行所需要等待的時間。

第四個參數tRAS，可以簡單理解成内存寫入或讀取數據的一個時間，它一般接近于前三個參數的總和。

所以，在保障穩定性的前提下，内存時序越低越好。但我們知道現在有不少内存條都能夠超頻，而高頻率和低時序相互矛盾，一般頻率上去了，時序就得有所犧牲，要想時序足夠低，頻率又很難拔高。比如今年各大存儲廠商發布的DDR5内存，頻率确實升上去了，但時序也相對DDR4内存來說要高上不少。

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