随着Intel第13代平台和AMD銳龍7000平台以及最新的RTX 4090顯卡正式發售，在高階玩家中再次掀起更新換代的熱潮。同時PCIe4.0固态硬盤也将迎來全面普及，更高的速度和更低的延遲，補齊了新平台最後的一個短闆。但縱觀消費級固态硬盤市場，雖然PCIe4.0固态硬盤品類不斷增加，但中低端産品無法發揮PCIe4.0的高帶寬優勢，高端産品價格依然高企，因此用戶對于平價高性能PCIe4.0固态硬盤的呼聲也越來越高。

近日，國内知名存儲品牌長江存儲推出了全新PCIe4.0固态硬盤緻态TiPlus7100，搭載全新晶棧® Xtacking®3.0架構閃存，高達2400MT /s的閃存接口帶寬為TiPlus7100帶來高達7000MB/s和6000MB/s的最高讀寫速度，實現了近乎PCIe4.0的飽和性能，成為新一代處理器平台的最佳搭配。

在評測開始前，讓我們先快速了解一下緻态TiPlus7100的産品特性

1、連續讀取寫速度達到7000MB/s和6000MB/s；

2、采用高性能DRAMLess無緩存主控方案；

3、采用晶棧® Xtacking®3.0架構閃存顆粒，I/O速度提升50%；

4、随機讀寫性能高達900K IOPS和700K IOPS；

5、高容量SLC智能緩存設計，持久讀寫無壓力；

6、超高的TBW（全盤寫入壽命），5年質保硬核品質。

外觀掠影，依然很緻态

作為TiPlus系列的最新成員，緻态TiPlus7100固态硬盤采用了全新的包裝設計，和先前的産品相比最大的不同就是封面展示了産品的全貌。衆所周知，PCIe4.0x4理論帶寬為8000MT/s，除去控制指令和數據包的開銷僅能達到7000MT/s出頭，而緻态TiPlus高達7000MB/s的最高連續讀取速度近乎達到PCIe4.0x4的飽和帶寬，因此包裝封面設計也暗喻SATURATION（即Saturate The Bus，飽和帶寬）的理念。

緻态TiPlus7100沿用了緻态M.2 2280 NVMe固态硬盤傳統的外觀設計，但黑色的PCB基闆去掉了貼片電容電阻等元器件絲印定位框線，視覺效果更加清新簡潔。正面的标簽依然是緻态一貫的風格，标識了産品的型号和容量等信息

緻态TiPlus7100 1TB采用單面芯片設計，PCB背面沒有任何的元件，也沒有預留的擴展NAND的焊盤，但卻有大面積的敷銅，在提高信号穩定性的同時也降低了整體發熱量，并對空間局促的筆記本電腦、PS5等産品有着不錯的兼容性。

揭開正面的貼紙即可看到TiPlus7100 1TB元器件的布局，包括主控芯片、NAND和周邊的大量元器件，但沒有外置的DDR DRAM緩存，可見這是一款采用DRAMLess方案的産品。

所謂的DRAMLess，簡單來說就是支持NVMe協議的固态硬盤借助HMB（Host Memory Buffer）技術，使用PC主闆上的内存來實現FTL映射表存取，無需外置的DRAM緩存也能實現不俗的性能。而緻态TiPlus7100憑借長江存儲Xtacking®3.0架構閃存的強大性能，即使采用DRAMLess方案也具備與高端PCIe4.0産品掰手腕的實力，同時也降低了用戶體驗高性能PCIe4.0固态硬盤普及的門檻。

核心的存儲器件采用了基于晶棧® Xtacking®3.0技術的長江存儲新一代TLC NAND FLASH顆粒，兩顆構成1TB的标稱容量，高達2400MT/s的閃存接口帶寬無需DRAM緩存就能釋放“滿血”PCIe 4.0性能。同時PCB還預留了兩顆NAND顆粒的焊盤，因此2TB容量版本會配備四顆NAND顆粒。

Xtacking®是長江存儲的獨家技術，通過在兩片獨立的晶圓上，分别加工外圍電路和存儲單元，再通過Xtacking進行鍵合，在實現更高存儲密度、更快的閃存的I/O接口的同時，也減小了芯片面積，同等面積基礎上能夠提供更多的存儲單元

在2022閃存峰會上，長江存儲正式發布了基于晶棧Xtacking®3.0技術的第四代TLC閃存，不僅再次提高了存儲密度，相比上一代産品更優化了50%的性能，接口帶寬達到了2400MT/s，這也是緻态TiPlus7100采用DRAMLess方案也能達到7000MB/s和6000MB/s的最高順序讀寫性能的核心要義，同時也提供了較高的耐久度，2TB更達到了1200TBW的主流行業水準。

基準測試，DRAMLess也能7000MB/s

在正式開始前先介紹下我們的測試平台

首先用Crystal Disk Info查看下緻态TiPlus7100 1TB的信息，其可用容量為1024.2GB，實打實的足容量設計。采用PCIe4.0x4傳輸模式，支持NVMe1.4标準，通電預熱一段時間後待機溫度穩定在53℃。

接下來的性能測試，針對DRAMless方案特性，我們将從連續性能、4k随機、緩存表現、綜合性能以及遊戲載入等維度進行全面考量。先看Crystal Disk Mark的測試成績，緻态TiPlus7100 1TB最高連續讀取速度達到了7274.99MB/s，遠超7000MB/s标稱值；最高連續寫入速度達到了6019.61MB/s，符合6000MB/s的标稱性能。

在用于成績比對的TxBENCH測試中，緻态TiPlus7100 1TB的最高連續讀寫速度也達到了7084.908MB/s和6155.4MB/s，均達到标稱值。

除了最高連續讀寫性能，4K随機性能也是衡量一塊固态硬盤整體性能的重要參數，例如Windows操作系統啟動時，需要同時運行多個服務并訪問硬盤上大量的細碎文件，這就要考驗固态硬盤的多線程深隊列的4K随機性能。從Crystal Disk Mark的測試成績可知，TiPlus7100 1TB在QD512的隊列深度下的4K随機讀寫性能分别達到1014K IOPS和782K IOPS，不僅小幅超出标稱性能，也遠超多數配備獨立DRAM緩存的PCIe4.0産品，作為新平台的系統盤更是綽綽有餘。

整體看，緻态TiPlus7100 1TB基準測試成績，達到“滿血”PCIe4.0産品的水平，甚至相比配備獨立DRAM緩存的旗艦級産品也毫不遜色。

高階性能測試，内在表現不俗

在消費級固态硬盤中，SLC緩存是存儲廠商用于提升性TLC和QLC閃存顆粒性能的常用做法，更直接影響用戶的日常體驗。在HD Tune Pro中我們向緻态TiPlus7100 1TB中寫入100GB的數據，通過速度曲線可看出寫入速度基本維持在6000MB/s的水平，可見其SLC緩存容量較為可觀。

為了進一步探索緻态TiPlus7100 1TB固态硬盤的真正性能，我們使用應用于企業級存儲中的IOmeter在無分區模式下進行128KB 32隊列順序寫入和4KB 32隊列的随機寫入測試。

在128KB 32隊列順序寫入測試中，緻态TiPlus7100 1TB的SLC緩存最高寫入速度在5600~5900MBps區間，26秒後速度顯著下降，并在持續5分鐘的2000MBps寫入速度後進入TLC閃存直寫的穩定狀态，推算SLC緩存容量高達160GB，而TLC直寫速度高達700MBps左右并持續了5分鐘左右，完成GC回收後速度密集區間再次提升至2000MB/s區間。

在經過30分鐘的TRIM後進行4KB 32隊列随機寫入測試。緻态TiPlus7100 1TB最高寫入速度密集區間在45000~49500 IOps，在2.5分鐘後緩存用盡，速度進入20000~26000 IOps的區間并持續了12.5分鐘，之後進入穩定狀态，寫入速度區間在9000~11000 IOps，之後小幅爬升至10000~14000 IOps。

在進行在128KB 32隊列順序寫入的高壓測試中，我們同步記錄了緻态TiPlus7100 1TB的溫度變化。從溫度曲線可知TiPlus7100 1TB的最高溫度僅為71℃，測試完成5分鐘後溫度落至60℃，因此用于筆記本電腦升級擴容是非常不錯的選擇。

應用測試，符合高階水準

在應用測試階段，我們使用PCMARK10的完整系統盤測試和3DMARK的存儲測試DLC，模拟日常的使用和遊戲的拷貝加載，來查看緻态TiPlus7100 1TB固态硬盤的表現，并以數值的方式直觀展現。

經測試，TiPlus7100 1TB在PCMARK10的測試成績為3882分，帶寬為618.2MB/s，平均存儲時間43μs；在3DMARK的測試中得分為3672分，平均帶寬為630.14MB/s，平均存取時間為49us。總體看符合高階性能PCIe4.0固态硬盤的定位。

最後進行遊戲模拟載入測試。在FFXIV EndWalker Benchmark這款遊戲的Demo中，可以記錄所有測試場景的載入時間，并進行最終評分。經測試TiPlus7100 1TB的得分為7410分，全部的轉場載入時間為23.651秒。

對比某高端PCIe4.0産品得分為7319分，載入時間為26.66秒。可見TiPlus7100 1TB性能優勢非常明顯，可為極大降低遊戲的載入等待時間。

寫在最後

堅持技術創新和産品創新，為用戶帶來更優質的存儲體驗，是長江存儲自我發展的驅動力。曆經三代發展，長江存儲的晶棧®Xtacking®技術實現了高能的進化，無論是讀寫性能還是存儲容量都再上了一個新台階，為國内的固态存儲市場注入了全新的活力。

此次發布的消費級固态硬盤新品緻态TiPlus7100，借助晶棧®Xtacking®3.0架構閃存顆粒的強大優勢，使性能達到了高階PCIe4.0的水準，優秀的控溫能力更為筆記本和PS5遊戲機等設備帶來高速和穩定的存儲體驗，而1TB僅為769元的首發價格也降低了用戶體驗高階PCIe4.0固态硬盤的價格門檻，加上較高的TBW和5年硬核質保，成為用戶組建最新平台的優秀選擇。

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