基于前兩篇文章介紹，無線通訊系統後端（Back end）使用基頻晶片來處理數位訊号，前端（Front end）則所使用的集成電路（IC）大緻上可以分為“射頻晶片”與“中頻晶片”兩大類，分别使用不同材料的晶圓制作：
中頻晶片（Intermediate Frequency，IF）：又稱為“類比基頻（Analog baseband）”，概念上就是“高頻數位類比轉換器（DAC）”與“高頻類比數位轉換器（ADC）”，包括：調變器（Modulator）、解調器（Demodulator），通常還有中頻放大器（IF amplifier）與中頻帶通濾波器（IF BPF）等，通常由矽晶圓制作的 CMOS 元件組成，可能是數個積體電路，其些可能整合成一個積體電路（IC）。
射頻晶片（Radio Frequency，RF）：又稱為“射頻集成電路（RFIC）”，是處理高頻無線訊号所有晶片的總稱，通常包括：傳送接收器（Transceiver）、低雜訊放大器（LNA）、功率放大器（PA）、帶通濾波器（BPF）、合成器（Synthesizer）、混頻器（Mixer）等，通常由砷化镓晶圓制作的 MESFET、HEMT 元件，或矽鍺晶圓制作的 BiCMOS 元件，或矽晶圓制作的 CMOS 元件組成，目前也有用氮化镓（GaN）制作的功率放大器，可能是數個積體電路，某些可能整合成一個積體電路（IC）。
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