内存是計算機中重要的部件之一，它是與CPU進行溝通的橋梁。計算機中所有程序的運行都是在内存中進行的，因此内存的性能對計算機的影響非常大。内存（Memory）也被稱為内存儲器，其作用是用于暫時存放CPU中的運算數據，以及與硬盤等外部存儲器交換的數據。隻要計算機在運行中，CPU就會把需要運算的數據調到内存中進行運算，當運算完成後CPU再将結果傳送出來，内存的運行也決定了計算機的穩定運行。内存是由内存芯片、電路闆、金手指等部分組成的。

内存的工作原理

既然内存是用來存放當前正在使用的（即執行中）的數據和程序，那麼它是怎麼工作的呢？我們平常所提到的計算機的内存指的是動态内存（即DRAM），動态内存中所謂的動态，指的是當我們将數據寫入DRAM後，經過一段時間，數據會丢失，因此需要一個額外設電路進行内存刷新操作。以相同速度高速地、随機地寫入和讀出數據（寫入速度和讀出速度可以不同）的一種半導體存儲器。

簡稱RAM。RAM的優點是存取速度快、讀寫方便，缺點是數據不能長久保持，斷電後自行消失，因此主要用于計算機主存儲器等要求快速存儲的系統。按工作方式不同，可分為靜态和動态兩類。

靜态随機存儲器（SRAM）的單元電路是觸發器，存入的信息在規定的電源電壓下便不會改變。SRAM速度快，使用方便。

動态随機存儲器（DRAM）的單元由一個金屬-氧化物-半導體（MOS）電容和一個MOS晶體管構成，數據以電荷形式存放在電容之中，需每隔2～4毫秒對單元電路存儲信息重寫一次（刷新）。DRAM存儲單元器件數量少，集成度高，應用廣泛。

内存的作用

内存是電腦中的主要部件，它是相對于外存而言的。我們平常使用的程序，如Windows98系統、打字軟件、遊戲軟件等，一般都是安裝在硬盤等外存上的，但僅此是不能使用其功能的，必須把它們調入内存中運行，才能真正使用其功能，我們平時輸入一段文字，或玩一個遊戲，其實都是在内存中進行的。通常我們把要永久保存的、大量的數據存儲在外存上，而把一些臨時的或少量的數據和程序放在内存上。 内存分為DRAM和ROM兩種，前者又叫動态随機存儲器，它的一個主要特征是斷電後數據會丢失，我們平時說的内存就是指這一種；後者又叫隻讀存儲器，我們平時開機首先啟動的是存于主闆上ROM中的BIOS程序，然後再由它去調用硬盤中的Windows98或Windows95系統，ROM的一個主要特征是斷電後數據不會丢失。

内存的參數

關于内存人們普遍關心的各種技術指标，一般包括引腳數、容量、速度、奇偶校驗等。内存條通常有8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB、512MB、1GMB等容量級别，其中512GMB内存已成為當前的主流配置。内存條芯片的存取時間是内存的另一個重要指标，其單位以納秒（ns）表示。内存條有無奇偶校驗位是人們常常忽視的問題，奇偶校驗對于保證數據的正确讀寫起到很關鍵的作用，尤其是在進行數據量非常大的計算中。标準型的内存條有的有校驗位，有的沒有；非标準的内存條均有奇偶校驗位。

對于SDRAM，我們必須通過至少3個參數來評估其性能的好壞。

（1）系統時鐘循環周期---他表示了SDRAM能運行的最大頻率。譬如：一塊系統時鐘頻率為10ns的SDRAM的芯片，他可以運行在100MHz的頻率下。絕大多數的SDRAM芯片能達到這個要求。顯然，這個數字越小，SDRAM芯片所能運行的頻率就越高。對于現代（Hyundai）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-10代表了其運行的時鐘周期為10ns，他可以跑100MHz的外頻。根據現代的産品數據表我們可以知道這種芯片的存取數據的時間（以下會講到該指标）為6ns。

（2）存取時間---類似于EDO/FPM DRAM，他代表了讀取數據所延遲的時間。絕大多數SDRAM芯片的存取時間為6，7，8或10ns。可是千萬不要和系統時鐘頻率所混淆。許多人都把存取時間當作這塊SDRAM芯片所能跑的外頻。對于高士達（GOLDSTAR）PC-100 SDRAM，它的芯片上所刻的-7代表了其存取時間為7ns。然而他的系統時鐘頻率仍然為10ns，外頻為100MHz。

（3）CAS（縱向地址脈沖）反應時間---CAS的延遲時間。某些SDRAM能夠運行在CAS Latency（CL）2或3模式。也就是說他們讀取數據所延遲的時間既可以是二個時鐘周期也可以是三個時鐘周期。我們可以把這個性能寫入SDRAM的EEPROM中，這樣PC的BIOS會檢查此項内容，并且以CL=2模式這一較快的速度運行。

然而，以上三個性能指标是互相制約的。換句話說，當你有較快的存取時間，你就必須犧牲CAS latency的性能。因此，評估和比較SDRAM的性能時，我們必須綜合考慮以上三個指标不能僅從芯片上所刻的-6，-7，-8或-10來評價。

也就是一旦芯片廠商稱其産品為PC-100。其芯片符合PC-100的标準。那幺-6，-7，-10就隻是一個符号。并不說明-6比-7快。因此，三星（SAMSUNG）為了防止人們的誤解，不再用這個數據代表存取時間，而用字母表示存取時間。

内存型号說明

Samsung

具體含義解釋：

例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0

主要含義：

第1位——芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位——芯片類型4，代表DRAM。

第3位——芯片的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。

第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。

第11位——連線“-”。

第14、15位——芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns （CL=3）；7C為7.5ns （CL=2） ；80為 8ns；10 為10ns （66MHz）。

知道了内存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個内存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編号第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該内存條的容量是128Mbits（兆數位） &TImes; 16片/8bits=256MB（兆字節）。

注：“bit”為“數位”，“B”即字節“byte”，一個字節為8位則計算時除以8。關于内存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC内存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條内存；另一種ECC内存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出内存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的内存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片内存顆粒貼片的内存條是ECC内存。

Hynix（Hyundai）現代

現代内存的含義：

HY5DV641622AT-36

HY XX X XX XX XX X X X X X XX

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

1、HY代表是現代的産品

2、内存芯片類型：（57=SDRAM，5D=DDR SDRAM）；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V，U=2.5V

4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表芯片輸出的數據位寬：40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分别代表2個、4個和8個Bank，是2的幂次關系

7、I/O界面：1 ：SSTL_3、　2 ：SSTL_2

8、芯片内核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表内核越新

9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片

10、内存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 ：183MHZ、5 ：200MHZ、45 ：222MHZ、43 ：233MHZ、4 ：250MHZ、33 ：300NHZ、L ：DDR200、H ：DDR266B、　K ：DDR266A

Infineon（億恒）

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國内市場上西門子的子公司Infineon生産的内存顆粒隻有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編号中詳細列出了其内存的容量、數據寬度。Infineon的内存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其内存顆粒型号比較少，辨别也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”标識的是該顆粒的容量，後三位标識的是該内存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon内存顆粒工作速率的表示方法是在其型号最後加一短線，然後标上工作速率。

-7.5——表示該内存的工作頻率是133MHz；

-8——表示該内存的工作頻率是100MHz。

例如：

1條Kingston的内存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的内存顆粒生産。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）&TImes;16片/8=256MB（兆字節）。

1條Ramaxel的内存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的内存顆粒生産。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） &TImes; 8 片/8=128MB（兆字節）。

Kingmax、kTI

KINGMAX内存的說明

Kingmax内存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利産品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的内存條全是該廠自己生産。Kingmax内存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以将每種容量系列的内存顆粒型号列表出來。

容量備注：

KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；

KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；

KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax内存的工作速率有四種狀态，是在型号後用短線符号隔開标識内存的工作速率：

-7A——PC133 /CL=2；

-7——PC133 /CL=3；

-8A——PC100/ CL=2；

-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax内存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的内存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆字節）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編号來說明美光内存的編碼規則。

含義：

MT——Micron的廠商名稱。

48——内存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。

LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。

16M8——内存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。

A2——内存内核版本号。

TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。

-75——内存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR内存條，采用18片編号為MT46V32M4-75的顆粒制造。該内存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片内存顆粒。

其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆字節）。

Winbond（華邦）

含義說明：

W XX XX XX XX

1 2 3 4 5

1、W代表内存顆粒是由Winbond生産

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM

3、代表顆粒的版本号：常見的版本号為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率：0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

内存的位置

内存條的位置均在主闆之上，筆記本與台式機的内存位置稍有不同。

1、筆記本内存位置（筆記本一般可插2根内存條，紅框内的白色部分為内存插槽，綠色的為内存條）；

2、台式機内存位置（台式機一般可插4根内存條，紅框内的黃色與藍色部分為内存插槽，綠色的為内存條）。

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