現在每一個閃存廠家都在向3D NAND技術發展，我們之前也報道過Intel 3D NAND的一些信息，昨天5月14日，Intel & Richmax舉辦了一場3D Nand Technical Workshop技術講解會，在會議上Intel的技術人員給在場人員具體的講解了Intel 3D NAND的計劃以及一些技術上的細節。

3D NAND的好處自然就是能夠比現在的閃存提供功能大的存儲空間，存儲密度可以達到現有閃存的三倍以上，未來甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出來。另外還有一個重要特性，就是（每單位容量）成本将會比現有技術更低，而且因為無需再通過升級制程工藝、縮小cell單元以增加容量密度，可靠性和性能會更好。

Intel在現在2D NAND時代是沒有做TLC閃存的，但是在即将到來的3D NAND時代，Intel将推出自己的TLC閃存，另外還有一個非常重要的就是，TLC與MLC其實都是同一塊芯片，這點和現在三星的3D NAND差不多，Intel的客戶可以根據自己的需求選擇閃存是工作在MLC模式還是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

Intel 3D NAND目前會使用32層堆疊，電荷存儲量和當年的50nm節點産品相當，第二第三代産品依然會保持這樣的電荷量，以保證産品的可靠性，會議上并沒有明确說明3D NAND到底是使用那種工藝，隻說了用的是50nm到34nm之間的工藝。

Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB

L06B是MLC産品的代号，采用ONFI 4.0标準，Die Size 32GB，16k Page Size，使用4-plane設計，雖然會帶來額外的延時，但同時也提供了比目前常見的2-plane設計閃存高1倍的讀寫吞吐量，閃存壽命是3000 P/E。

B0KB則是TLC産品的代号，由于是同一芯片所以許多東西都是L06B一樣，當然容量、性能與壽命什麼的肯定不同，Die Size 48GB，閃存壽命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC标準是更高的LDPC。

Intel 3D NAND全部會使用132-Ball BGA封裝，L06B可以從256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的産品，具體的請看上表，不過這款閃存的CE數其實是可以調的，這樣可以更容易的做出更大容量的SSD。

閃存有三種工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass兩種編程模式，默認的是2-pass編程模式，第一次編程lower page的數據寫入到NAND陣列裡面，而第二次編程則會把upper page的數據寫入。

而1-pass編程模式的意思當然就是指一次編程就把lower page與upper page的數據都寫入到NAND陣列裡面，這樣可以節省15%的編程時間，但是用這種算法的話閃存壽命會比兩步編程模式時低一些，低多少并沒有具體說明。

而TLC的編程算法則要複雜很多了，第一步和MLC的一步編程模式相類似，就是直接把lower page與upper page一齊寫入到NAND陣列裡面，第二步則是寫入extra page的數據，由于算法複雜，第二部編程時需要對數據進行ECC校驗。

上面所說閃存的2-pass MLC、1-pass MLC與TLC工作模式是可以用使用指令随時切換的，這對廠家來說閃存的使用會變得非常靈活，當然了産品的用戶是不能這樣亂改工作模式的。

至于Intel的3D NAND什麼時候會開始供應，今年Q3中旬會開始相各個合作夥伴提供測試樣品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末開始大規模供貨，産品的定價會根據那時的市場情況再決定。

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