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為什麼手機充電器容易着火

科技 更新时间:2024-11-24 15:35:13

為什麼手機充電器容易着火?為什麼以前我們的手機充電,要不了多久充電器便會發燙,甚至于起火?現在即使是一整夜不去管,高端品牌手機的充電器也不會發燙,一部分原因是因為手機充電器的緣故,如今都講究的是快充時代,不僅快,充電器還不會發燙,這就很厲害了,我來為大家講解一下關于為什麼手機充電器容易着火?跟着小編一起來看一看吧!

為什麼手機充電器容易着火(手機充電為什麼會發燙甚至起火)1

為什麼手機充電器容易着火

為什麼以前我們的手機充電,要不了多久充電器便會發燙,甚至于起火?現在即使是一整夜不去管,高端品牌手機的充電器也不會發燙,一部分原因是因為手機充電器的緣故,如今都講究的是快充時代,不僅快,充電器還不會發燙,這就很厲害了!

手機因為充電發燙,不小心可能會導緻起火呢!

大家第一反應:為什麼會容易發熱,便宜呗!對,一些低端品牌手機可達不到充電不易發熱的高度,往往手機的電還沒有充滿格,充電器便開始發燙了;

為此手機企業曾做過分析:因為半導體材料沒有升級,那不是氮化镓充電頭技術,手機部分内置半導體材料也不是氮化镓。

就連華為建設5G信号基站也在大量使用氮化镓作為半導體原材料,可見氮化镓有多火!

氮化镓其實是氮與镓的提取物,一種半導體原材料,其有着導熱性能優,功率更大,體積更小的特點,氮化镓就是當前高端電器設備裡面不能缺少的半導體材料了。

半導體大家都很熟悉,比如LED光源,内存卡,芯片,各種二極管或者充電設備等等,都會用到它。半導體,顧名思義即是絕緣體又可以導電,要半導體在産品裡面扮演什麼角色?這可要看設計制造者怎麼做了。

到目前為止,半導體材料已經過了三個發展階段 —— 第一代半導體是矽(Si),第二代半導體是砷化(GaAs),第三代半導體又稱寬帶隙半導體(WBG)則是碳化矽(SiC)和氮化镓(GaN)。

雖然這個領域并沒有“後浪拍前浪,前浪死在沙灘上”的說法,以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在産業中大規模應用,但不可否認,第三代半導體确實具有更多的性能優勢。

随着5G、電動車時代來臨,科技産品對于高頻、高速運算、高速充電的需求上升,矽與砷化镓的溫度、頻率、功率已達極限,難以提升電量和速度;一旦操作溫度超過100度時,前兩代産品更容易出故障,因此無法應用在更嚴苛的環境;再加上全球開始重視碳排放問題,因此高能效、低能耗的第三代半導體必然成為新時代下的寵兒。

第三代半導體在高頻狀态下仍可以維持優異的效能和穩定度,同時擁有開關速度快、尺寸小、散熱迅速等特性,當芯片面積大幅減少後,有助于簡化周邊電路設計,進而減少模組及冷卻系統的體積。

看到此處大家應該明白,為什麼我們的手機充電時,充電器會發熱的原因在哪裡了吧!

手機充電器容易發熱現象在高端品牌手機裡面早已不是問題,因為他們都用到了氮化镓(半導體)作為充電器的最主要材料。

目前手機充電器已經進入了快充時代,什麼18w、65w、80w功率的手機快充電器琳琅滿目,功率單位當然是越大越好。

如果具備氮化镓充電頭技術的快充電器功率是100w,手機内置元器件也加入氮化镓代替原來半導體材料呢?隻是目前國内外擁有該技術的手機企業可謂是鳳毛麟角,但國内的一家企業就做到了,那就是前OPPO的高管李炳忠在深圳創立的真我realme智能手機品牌的研發團隊。

realme是一家專注于提供優質智能手機的手機品牌,秉承創新基因,realme在産品性能、設計、品質和服務方面不斷超越自我。realme面向全球,并在印度開拓市場,之後更在埃及、巴基斯坦、泰國等六十多個國家打開市場,是為年輕人而來的科技潮牌,秉持敢越級品牌的理念中不斷創新,一躍而起成為目前國内高端手機市場的一匹“黑馬”。

就真我realme 手機品牌近日剛發布的真我 GT2 大師探索版,搭載骁龍 8 移動平台及内置 5000mAh 大電池,不僅支持 100W 快速秒充,25 分鐘即可為手機充電至 100%。此外,真我 GT2 大師探索版還将首發全鍊路 GaN 百瓦秒充,首次在手機端引入氮化镓功率器件,搭配 100W 氮化镓充電頭,官方稱發熱峰值降低 85%。氮化镓充電頭的優勢相比較普通充電頭其有着體積更小,功率更大導熱系數更強的特點。

值得一提的是,真我 GT2 大師探索版由潮流設計師 Jae Jung 設計,采用複刻硬箱造型的直角金屬中框,将金屬鉚釘與機身融為一體,搭配觸摸細膩的環保素皮,使整個機身看上去映入眼簾的不僅僅是高貴,滿足感的氛圍也超級濃。

其次realme 真我 GT2 大師探索版首發的超級 N28 自由四天線技術,也成為其此次的最大賣點之一。什麼是N28 自由四天線技術?普通手機隻有兩個内置天線,這就會造成我們因為手握手機的姿勢改變而産生信号延遲。采用新技術手段過後,realme 真我 GT2 大師探索版常用網絡場景網速将提升 70%,支持自由天線切換技術 2.0,信号強度提升 1.5 倍。意味着不論用什麼姿勢,都不必擔心手機的信号會延遲或者衰減。

文末:其不止是解決手機充電器升級與信号接收方面,此次realme 真我 GT2 大師探索版搭載骁龍 8 移動平台強勢上市,無疑是對其它高端手機品牌的一次嚴峻考驗。骁龍 8 移動平台技術不僅實現了能效和性能雙突破,還從AI、影像、遊戲、連接技術領域,帶來全面提升的終端體驗。尤其是主推電競特點的realme 真我 GT2 大師探索版增加了骁龍 8 移動平台,論其是如虎添翼一點都不過分。#realme 真我 GT2 大師探索版#

該平台支持全部Snapdragon Elite Gaming特性,能夠提供超流暢的操控響應、色彩豐富的HDR場景和最佳視覺質量,以及衆多端遊級特性。憑借進一步的增強,骁龍8 集成的高通Adreno GPU實現了高達10%的頻率提升和30%的功耗降低,賦能極緻遊戲體驗。骁龍8 采用的高通Kryo CPU也實現了10%的處理速度提升,和30%的能效提升。

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