霍爾傳感器原理?半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中,磁場方向垂直于薄片當有電流I流過薄片時,在垂直于電流和磁場的方向上将産生電動勢eh,這種現象稱為霍爾效應,該電動勢稱為霍爾電勢,上述半導體薄片稱為霍爾元件 ,下面我們就來聊聊關于霍爾傳感器原理?接下來我們就一起去了解一下吧!
半導體薄片置于磁感應強度為B的磁場中,磁場方向垂直于薄片。當有電流I流過薄片時,在垂直于電流和磁場的方向上将産生電動勢eh,這種現象稱為霍爾效應,該電動勢稱為霍爾電勢,上述半導體薄片稱為霍爾元件。
原理簡述如下:激勵電流I從a、b端流入,磁場B由正上方作用于薄片,這時電子e的運動方向與電流方向相反,将受到洛侖茲力FL的作用,向内側偏移,該側形成電子的堆積,從而在薄片的c、d方向産生電場E。電子積累得越多,FE也越大,在半導體薄片c、d方向的端面之間建立的電動勢EH就是霍爾電勢。
由實驗可知,流入激勵電流端的電流I越大、作用在薄片上的磁場強度B越強,霍爾電勢也就越高。磁場方向相反,霍爾電勢的方向也随之改變,因此霍爾傳感器能用于測量靜态磁場或交變磁場。
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